【美银：预计韩国内存产能年均扩张低于10% 远不及2030年翻倍目标】美银最新报告指出，市场过分乐观地看待韩国内存巨头的扩张承诺。针对韩国总统李在明喊出的“2030年产能翻倍”口号，美银估算，除去旧厂因技术升级关闭，以及向更先进工艺过渡导致的产能减损，实际每年的扩张率将低于10%，到2030年将远不及翻倍水准。
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香
92%
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2025年报明确披露「公司目前第一大供应商为SK海力士」，经营主要产品为SK海力士数据存储器，电子元器件分销收入占比94.2%，具备SK海力士核心代理商优势。美银指出韩内存实际年扩张率低于10%，SK海力士产能供给受限加剧，公司作为其核心分销商直接受益于存储涨价与渠道价值重估。
兆
90%
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存储芯片收入占比71.3%，SPI NOR Flash全球市占率第二，利基型DRAM持续布局。2025年报指出国际头部公司加速向HBM/DDR5迁移、放弃利基型产品带来竞争格局改善。国盛证券2026-05-07研报判断各品类存储产品均处于全面涨价周期。韩厂扩产低于预期延长涨价持续性，国产存储龙头直接受益。
江
88%
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100%营收来自存储业务（嵌入式44%、SSD 24.5%、移动存储21.5%、内存条9.7%），拥有FORESEE和Lexar双品牌。韩国内存原厂产能年扩张低于10%，全球存储供给趋紧推涨价格，公司作为模组品牌商直接受益于库存增值与产品涨价传导，2025年报显示海外收入占66.8%。
北
88%
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存储芯片收入占比61.4%（DRAM为主），通过收购北京矽成（ISSI）布局车规/工业级DRAM市场，2025年报显示存储芯片贡献利润57.6%。韩系DRAM原厂产能扩张低于预期加速利基型DRAM国产替代进程，公司作为国内DRAM设计龙头将受益于客户转单与份额提升。
佰
87%
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存储业务收入占比97.5%（嵌入式60.9%、PC存储32.7%），具备研发封测一体化能力。2025年报指出国产DRAM份额约5%、国产NAND份额低于10%，发展前景较大。韩厂产能扩张放缓为国产替代提供历史性窗口，公司已布局HBM、CXL DRAM等高端存储产品。
太
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子公司海太半导体与SK海力士签订《第四期后工序服务合同》（2025.7-2030.6），以全部成本+约定收益模式为SK海力士提供DRAM后工序封装服务，半导体业务收入占比15.3%。海太半导体产量直接取决于SK海力士订单规模，韩内存产能扩张进度高度敏感于本次事件。
朗
80%
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闪存应用产品收入占比70.9%，被称为存储第一股。2025年报引用CFM数据：预计2026年全球存储市场规模创历史新高，DRAM同比增长69%至2692亿美元，DRAM/NAND仍将继续上涨。韩厂扩产低于预期将进一步加剧供需缺口，利好公司SSD、内存条等产品销售。
德
80%
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100%营收来自存储业务（SSD 42.5%、嵌入式34%、内存条9.7%），2025年募集说明书指出全球NAND和DRAM晶圆供应商仅三星、海力士、美光等少数原厂，上游晶圆价格波动直接传导至公司成本与售价。韩厂产能扩张放缓强化原厂议价能力，推动存储涨价利好公司。
澜
80%
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内存接口芯片收入占比94.2%，DDR5内存接口芯片全球主要供应商，2025年报显示DDR5已取代DDR4成为市场主流。韩内存产能扩张低于10%强化全球内存供需紧平衡，服务器内存模组需求持续增长，公司作为DDR5接口芯片龙头间接受益于量价齐升。
联
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SSD主控芯片收入占比87.6%，国内独立存储主控龙头。佰维存储2025年报将其列为核心主控供应商。韩厂原厂产能受限推动国内模组厂加大国产主控采用，主控芯片国产化率提升，公司作为SSD主控芯片领军企业直接受益于存储产业链本土化加速。
深
78%
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存储半导体业务收入占比26%，以深圳沛顿和合肥沛顿为双基地开展DRAM封测服务，2025年报显示双基地产能产量持续提升。国内存储产能扩张加速带动封测需求增长，公司作为国内主力存储封测企业受益于国产替代趋势下的封测环节需求外溢。
恒
75%
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存储芯片收入占比86.3%（NOR Flash为主）。2025年报指出2025下半年以来NOR Flash价格整体上涨，预计2026年价格趋势保持乐观。韩厂存储产能扩张低于10%导致整体供给偏紧，带动NOR Flash等利基存储涨价，公司作为NOR Flash设计企业直接受益。
神
73%
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硅零部件收入占比54.1%，大直径硅材料为存储刻蚀核心耗材，产品销往韩国等海外存储客户。招商证券2026-06-15研报指出存储超级周期与国产替代共振。国内外存储厂扩产带动刻蚀耗材需求增长，公司作为材料+部件一体化龙头受益。
精
72%
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半导体业务收入占比39.4%，产品覆盖FLASH/DRAM存储器件测试需求。2025年报披露JH5302/JH5400/JH5500/JH5510系列满足FLASH/DRAM存储器件测试需求并布局先进封装检测。国内存储厂扩产带来测试设备需求增长，公司作为存储测试设备供应商受益。
拓
70%
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HBM键合设备（Pleione 300/Propus 300）主要应用于高带宽存储器（HBM）和芯片三维集成领域，2025年报明确提及。韩内存产能扩张放缓但国内HBM/3D NAND扩产加速，公司作为国内薄膜沉积及键合设备龙头受益于本土存储产业链扩张。