【三星电子据悉将在韩国器兴新建DRAM工厂】据报道，三星电子计划在韩国器兴新建一座DRAM工厂，每月可生产约10万片晶圆。该计划可能投资数以万亿计韩元；施工最早可能在第三季度开始。
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华
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公司简介明确"进入三星等全球领先半导体企业供应链体系"，为三星DRAM工厂提供刻蚀/沉积用电子特气；年报披露为HBM核心TSV刻蚀提供高端特气，直接受益于三星韩国器兴DRAM扩产带来的气体需求增量。
神
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年报披露大直径硅材料通过日韩零部件厂商间接供应三星电子等晶圆厂；国信证券2026年6月研报确认"产品最终销售给三星电子"，公司定增10亿元扩产硅零部件，受益于三星DRAM产能扩张带动的上游材料需求。
鼎
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2026年3月公告年产300吨KrF/ArF光刻胶项目投产，明确"ArF和KrF光刻胶产品覆盖高端存储（3D NAND, DRAM）"；光刻胶是DRAM制造关键材料，三星扩产带动国产替代需求，公司半导体业务收入占比已达57%。
中
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年报披露其刻蚀设备和薄膜沉积设备是存储芯片制造核心装备，"随着存储器技术由二维转向三维架构，堆叠层数增加驱动刻蚀/薄膜设备成为关键"；HBM概念股，DRAM扩产直接拉动等离子体刻蚀和MOCVD设备采购需求。
拓
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年报明确"薄膜沉积设备是实现3D DRAM、HBM等先进存储芯片技术突破的核心支撑"；招商证券2026年6月研报指出"随DRAM向更先进架构迭代，PECVD/ALD设备需求持续提升，公司受益于存储扩产大周期"。
恒
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年报明确"产品主要应用于先进NAND、DRAM存储芯片生产制造的光刻、薄膜沉积等工艺环节"；光刻材料占收入77.6%、前驱体材料占14.6%，是DRAM制造不可或缺的关键材料，直接受益于三星扩产带动的材料需求。
盛
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年报披露"边缘湿法刻蚀设备支持多种器件和工艺，包括3D NAND、DRAM和逻辑工艺"；作为国内半导体清洗设备龙头，DRAM月产10万片晶圆的新建工厂将带来大量清洗/电镀/刻蚀设备采购需求，公司直接受益于产业扩产周期。
微
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方正证券2026年5月研报指出"半导体新增订单超80%来自存储芯片NAND与DRAM头部客户"；公司ALD/CVD设备广泛应用于DRAM制造，三星扩产强化存储行业高景气信号，利好公司国内存储客户扩产放量。
北
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年报披露12英寸介质刻蚀设备用于"存储芯片台阶介质刻蚀"等工艺，ICP刻蚀和ALD薄膜沉积系统覆盖存储芯片全流程；国内半导体设备龙头，电子工艺装备收入占比93.3%，受益于全球DRAM扩产带动的设备需求周期。
屹
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年报披露干法刻蚀设备"已应用于国内外知名存储芯片制造企业"，客户全面覆盖全球前十大芯片制造商；干法去胶和刻蚀设备在先进存储领域具竞争优势，三星新建DRAM工厂将带动刻蚀设备需求。
雅
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电子材料收入占比59%（半导体化学材料+光刻胶44.4%），子公司为半导体封装材料和电子特气供应商；具备HBM概念，DRAM扩产将带动前驱体材料和光刻胶需求增长，国外收入占比24.7%受益于全球存储产业链。
通
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年报提及"GPU、加速器、高带宽内存和先进封装驱动的AI算力超级周期"；为长鑫存储等存储客户提供封装测试服务，集成电路封装测试收入占比97.6%，DRAM扩产利好存储封测产业链需求增长。