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华尔街看好SK海力士ADR翻倍上涨空间 称存储芯片短缺或持续

【华尔街看好SK海力士ADR翻倍上涨空间 称存储芯片短缺或持续】华尔街认为,SK海力士ADR仍有接近翻倍的上涨空间。巴克莱银行分析师Simon Coles表示,存储芯片供应短缺将持续较长时间,给予SK海力士ADR每股330美元的目标价。巴克莱预计,存储芯片行业的供应短缺将在2027年进一步加剧,到2028年改善幅度仍将有限,因此未来几年供需紧张局面预计仍将持续。该行认为,目前存储芯片板块股票“被严重低估”。该行还预计,到2027年底,SK海力士持有的现金及现金等价物规模将超过公司当前市值的40%,并预计公司将持续扩大股票回购规模。

相关股票

16 只 · 按关联度排序
95%
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控股子公司海太半导体与SK海力士于2025年7月签署《第四期后工序服务合同》,以"全部成本+约定收益"模式向SK海力士提供半导体后工序服务(封测)。半导体业务占营收15.3%、利润26.0%,是A股中与SK海力士绑定最深的标的。
92%
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子公司联合创泰拥有SK海力士(SK Hynix)一线品牌代理资格;公司2025年报明确披露第一大供应商为SK海力士,采购产品为数据存储器,电子元器件分销业务收入占94.2%。存储短缺周期中代理收入直接受益。
90%
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公司已进入SK海力士全球供应链体系(公司简介载明),产品获SK海力士认可。为HBM核心TSV刻蚀提供高端特种气体,2025年报明确三星/SK海力士/美光将70%新增产能投向HBM,公司直接受益于HBM爆发。
85%
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存储模组厂商,采购SK海力士等原厂存储晶圆,嵌入式存储+PC存储占营收93.6%。2025年报引用SK海力士33.2% DRAM市场份额数据。巴克莱预计短缺持续至2028年,将直接推高公司产品售价与毛利率。
85%
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全球领先半导体存储品牌企业,采购SK海力士等原厂NAND Flash和DRAM晶圆,海外收入占比66.8%。存储供应短缺持续至2028年将推高产品ASP和库存价值,充分受益全球涨价周期。
82%
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国内存储芯片设计龙头,NOR Flash全球市占率第二,2025年存储芯片收入同比+26.41%。SK海力士等原厂产能转向HBM挤压利基型DRAM供给,为兆易的利基型DRAM和SLC NAND创造价格上行空间。
82%
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存储模组厂商,存储晶圆供应商包括SK海力士等原厂(2025年定增说明书载明),固态硬盘+嵌入式存储占营收76.5%。存储短缺推动产品ASP上升,公司100%收入来自存储业务,弹性最大。
80%
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国内少数同时提供NAND+NOR+DRAM完整存储芯片解决方案的公司。2025年报指出SK海力士等原厂产能转向HBM在利基型DRAM市场形成供给缺口,为公司创造"战略发展机遇",直接受益于供需紧张格局。
80%
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半导体级单晶硅材料(刻蚀用硅电极)龙头,已进入国际先进半导体材料产业链。2025年报深度分析SK海力士HBM爆发及30万亿韩元资本开支计划,海外收入占比23.3%,SK海力士扩产直接拉动刻蚀材料需求。
80%
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先进封装光刻胶及PSPI供应商(科创板光刻胶第一股)。2025年报指出SK海力士展出全球首款16层HBM4样品,每层堆叠都需要独立光刻工艺,驱动光刻胶需求呈"超线性扩张",公司目标成为先进封装光刻胶主力供应商。
78%
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薄膜沉积设备龙头,产品用于3D NAND、3D DRAM和HBM制造。2025年报指出存储芯片是薄膜沉积设备核心需求来源,SK海力士2026年资本支出增至30万亿韩元以上扩产,直接拉动国产设备替代需求。
77%
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第三方芯片测试龙头,研发项目包括"HBM存储芯片集成化测试系统与软件协同开发"。存储扩产和HBM出货量增长增加后道测试需求,公司已布局存储(Nor/NAND Flash、DDR、HBM等)测试领域。
75%
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半导体测试设备供应商,产品包括存储芯片BI测试系统和2.5D MEMS探针卡(用于NAND/DRAM测试),半导体业务收入占39.4%。SK海力士扩产带动存储测试设备需求增长。
75%
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子公司诚邦存储的模组产品广泛支持海力士等各大原厂存储晶圆,存储半导体业务收入占比67.3%(2025年报)。存储短缺推动模组产品价格和出货量双重受益。
72%
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数据存储主控芯片厂商(SSD主控),2025年报明确三星/海力士/美光等NAND原厂为主控芯片搭配颗粒。存储短缺推动SSD出货量增长,间接拉动主控芯片需求。
72%
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子公司大为创芯开展存储模组业务,半导体存储器收入占比89.8%,产品涵盖DRAM和NAND Flash模组。存储晶圆采购来自SK海力士等原厂,存储短缺直接提升产品价格和毛利率。