【台积电CEO回应“大幅上调2026资本支出指引 ”：因产能扩充、设备涨价】财联社7月16日讯，台积电宣布将2026全年资本支出指引从520–560亿美元上调至600–640亿美元。台积电董事长兼首席执行官魏哲家在法说会上解释称，本次开支上调的增量需求来源于两方面：一、市场需求持续上行，客户强烈要求台积电同步扩充产能；第二，设备通胀抬升采购成本。
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中
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2025年报明确披露三氟化氮和六氟化钨两大核心产品“多年来稳定供应台积电”，是台积电的电子特气直接供应商。台积电将2026年资本支出上调至600-640亿美元、产能扩充，将直接拉动电子特气采购量。公司三氟化氮年产能18,500吨（全球前列）、六氟化钨年产能2,000吨（全球最大），集成电路与显示行业收入占比79.8%。
神
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2025年报指出大直径硅材料经硅零部件厂商→刻蚀机设备商(Lam/TEL)→最终销售给台积电等国际知名晶圆厂，构成TSMC供应链一环。年报更直接引用“台积电计划将2026年资本支出提升至520至560亿美元”，说明公司已将TSMC扩产作为自身景气度核心参照，99.5%收入来自半导体行业。
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国内等离子体刻蚀和薄膜沉积设备龙头，刻蚀设备是晶圆制造三大核心设备之一。TSMC上调资本支出至$600-640B（+~15%）释放全行业设备需求扩张信号，叠加设备通胀抬升采购价格直接利好设备商定价能力。公司100%收入来自半导体设备，刻蚀设备累计出货量突破300反应台。
北
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国内规模最大的半导体设备平台型企业，电子工艺装备收入占比93.3%，产品覆盖刻蚀、薄膜沉积、清洗、氧化扩散等核心环节。TSMC大幅上修资本开支印证全球晶圆厂扩产强度超预期，带动国内设备需求及国产替代加速。设备通胀（TSMC明确提到“设备通胀抬升采购成本”）增强设备商定价能力。
拓
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国内薄膜沉积设备（PECVD/ALD/SACVD）龙头，薄膜沉积设备是晶圆制造三大核心设备之一。TSMC $600-640B扩产计划重点投向先进制程（2nm/1nm），先进制程对薄膜沉积的工艺步骤数和设备需求量远超成熟制程。公司96.6%收入来自半导体专用设备。
华
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国内CMP设备绝对龙头，CMP是先进制程（尤其是CoWoS先进封装、3D IC）中实现纳米级全局平坦化的核心装备。台积电扩产重心在AI需求和先进封装，CMP工艺步骤数随制程推进大幅增加。2026年4月公司第1,000台CMP设备出机，产品全面适配先进封装。公司87.2%收入来自CMP设备。
盛
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国内半导体清洗设备领先企业（国内市占率23%），产品线拓展至电镀、先进封装湿法、PECVD等领域。TSMC扩产驱动的全球晶圆产能建设增加清洗设备采购需求，设备通胀提升价格弹性。2025年报显示国际市占率持续提升（清洗设备8.0%、电镀设备8.2%），已进入中国半导体设备五强。
安
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国内CMP抛光液龙头（收入占比81.5%），CMP抛光液是晶圆制造中用量最大的电子化学品之一。台积电产能扩充意味着更多晶圆产出→更多CMP抛光步骤→更高抛光液消耗量。公司99.8%收入来自集成电路行业，为晶圆厂核心耗材供应商，直接受益于全球晶圆产出增长。
鼎
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国内唯一全面掌握CMP抛光垫全流程核心技术的供应商（2025年报披露），覆盖CMP全品类材料，半导体业务收入占比57%。CMP抛光垫是晶圆制造核心耗材，TSMC扩产增加全球晶圆产出，CMP抛光垫消耗量同步增长。公司已深度渗透国内主流晶圆厂，部分客户中为第一供应商。
沪
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中国大陆规模最大的半导体硅片企业，率先实现300mm硅片规模化量产销售（300mm硅片收入占比65.6%）。TSMC资本支出大幅上调预示全球晶圆产能扩张加速，硅片作为晶圆制造基础原材料将直接受益于产出增加。产品线涵盖抛光片、外延片及SOI硅片。
江
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国内高纯溅射靶材龙头（超高纯靶材收入占比61.9%），产品已进入世界著名半导体厂商最先进制造工艺。溅射靶材是晶圆制造PVD环节的关键消耗材料。TSMC产能扩充提升靶材消耗量，公司国外收入占比34.1%，已深度参与全球半导体供应链，受益于晶圆产出增长。
长
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全球领先的芯片成品制造（封测）企业，拥有晶圆级封装（WLP）、2.5D/3D封装、系统级封装（SiP）等先进封装技术。TSMC大幅扩产中先进封装（尤其是CoWoS）是重点方向，先进封装产能扩张利好整个封装产业链。公司芯片封测收入占比99.6%。