【韩国股市反弹 杠杆交易引发的抛售潮开始缓解】韩国股市周二反弹，此前因杠杆头寸平仓而引发的剧烈抛售潮开始缓解，这使得投资者得以重新关注这个位于全球人工智能交易核心市场的内在实力。韩国KOSPI指数收盘上涨3.6%，报6747.95点，盘中一度上涨4.9%。此前两个交易日，该指数暴跌了10.5%。KOSPI仍深陷熊市区域，较6月22日创下的历史收盘高点已下跌25%。但随着监管机构采取措施遏制杠杆融资产品，市场关注点重新回归基本面，包括人工智能驱动的持续强劲需求，以及内存芯片制造商的盈利前景依然乐观。摩根大通分析师指出：“未来几年，市场的基本面实力依然强劲。”他们在区域资产配置中维持对韩国市场的“超配”评级，12个月目标点位为12500点。“市场应能克服头寸平仓带来的冲击，并延续积极走势。”
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14 只 · 按关联度排序
太
92%
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控股子公司海太半导体与SK海力士签订《第四期后工序服务合同》(2025.7.1-2030.6.30)，以全部成本+约定收益(总投资额10%+超额收益)模式为SK海力士提供半导体后工序服务，全部产品销往SK海力士产量即销量(2025年报)。韩国存储器景气度回升直接决定其半导体业务收入15.3%的盈利水平。
雅
88%
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半导体前驱体材料广泛用于3D NAND、DRAM存储芯片及HBM先进封装；已构建中国和韩国双研发部门跟踪世界前沿技术(2025年报)；电子材料收入占比59%，HBM概念。直接受益于三星/SK海力士HBM产能扩张带来的前驱体材料需求增长。
长
85%
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在中国、韩国和新加坡拥有八大生产基地(含长电韩国JCET STATS CHIPPAC KOREA)，提供2.5D/3D先进封装(HBM核心封装技术)，应用于AI/高密度存储领域(2025年报)；国外收入占比78.3%，直接服务三星/SK海力士等存储客户。
澜
82%
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内存接口芯片收入占比94.2%，全球DDR5内存接口龙头；AI服务器内存模组配置数量是通用服务器约2倍(2025年报)，韩国存储厂扩产DDR5/HBM直接拉动配套内存接口芯片需求，DDR5渗透率提升带来价量齐升。
佰
80%
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存储模组+HBM先进封装双主业，嵌入式存储收入60.9%；年报引用Gartner数据HBM市场规模2025年达307.5亿美元同比增超100%，AI驱动DDR5/HBM需求爆发使公司直接受益；海外收入53.4%，获国家大基金二期投资。
兆
78%
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存储芯片收入占比71.3%，NOR Flash全球市占率第二；年报明确指出AI需求爆发带动DDR5/HBM需求激增，国际头部存储厂向HBM/DDR5迁移导致利基型DRAM竞争格局改善价格上涨，公司存储芯片业务直接受益于行业景气上行。
江
76%
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全球存储品牌企业，产品覆盖嵌入式存储(44%)、固态硬盘(24.5%)、内存条(9.7%)；AI服务器存储需求驱动DDR5/HBM量价齐升，企业级SSD和内存条直接受益(2025年报)；海外收入66.8%，旗下品牌Lexar全球知名。
北
75%
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存储芯片收入占比61.4%(含DRAM)，国外收入82.7%(2025年报)；韩国存储巨头产能转向HBM/DDR5带来的利基型DRAM市场缺口，使公司DRAM芯片业务受益于供需改善和涨价周期。
通
73%
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集成电路封装测试收入97.6%，HBM/先进封装概念；国外收入66.6%；与AMD深度绑定受益AI算力芯片封装需求，AI/HBM封装需求增长直接带动封测产能利用率提升(2025年报)。
聚
72%
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存储类芯片收入87.6%，DDR5内存模组SPD芯片核心供应商；AI服务器DDR5内存模组需求爆发，每根DDR5模组需配置SPD芯片(2025年报)，直接受益于DDR5渗透率提升和AI服务器放量；海外收入53.5%。
神
70%
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大直径硅材料销往日本/韩国知名硅零部件厂商，最终客户含三星(2025年报)；年报明确分析SK海力士、三星、美光均计划2026年推出新一代HBM产品，韩国存储器产业扩张直接拉动上游硅材料需求；海外收入23.3%。
拓
68%
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HBM混合键合设备供应商，年报明确提及HBM产能扩张带来混合键合设备新需求；产品Propus 300/Pleione 300应用于HBM三维集成领域；韩国存储巨头HBM扩产增加先进封装设备采购预期。