【三星电子扩大与英伟达NAND供应合作 加速V9、V10闪存布局】三星电子正扩大与英伟达在NAND闪存领域的合作，在此前已开展DRAM、高带宽内存（HBM）及晶圆代工合作的基础上，进一步深化存储芯片供应关系。据报道，三星已开始量产第十代V-NAND（V10）并向英伟达供货，同时扩大第九代V-NAND（V9）产能，并推进第十一代500层级V-NAND（V11）开发。据悉，三星目前已具备月产超过10万片V-NAND的产能，其中约60%产能分配给V9产品。
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大
90%
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公司企业级SSD已通过Nvidia、xAI测试导入（2025年报），是全球首批量产PCIe 5.0企业级SSD厂商，企业级SSD收入占比99%，被列入英伟达概念板块。三星V10扩产专供英伟达，NAND供应增加直接保障大普微SSD的晶圆供给，同时英伟达AI服务器SSD需求同步拉动公司出货。
佰
90%
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国内存储模组龙头，2025年营收增长68.72%（年报），企业级SSD进入头部AI服务器厂商供应链。年报详细分析三星32.3% NAND市占率及与英伟达HBM合作格局，直接受益于三星V-NAND扩产带来的行业高景气及AI服务器存储需求爆发。
雅
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半导体前驱体材料广泛运用于3D NAND、DRAM存储芯片先进制程（2025年报）。公司已构建中国和韩国双研发部门跟踪前沿技术，三星V9/V10/V11向500层堆叠演进对高端前驱体需求大增，公司直接受益于三星NAND扩产带来的材料采购需求。属HBM概念板块。
东
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国内少数NAND Flash芯片设计公司，NAND系列产品收入占比65.2%（2025年报），2xnm制程量产并进入1xnm风险量产。三星扩产V-NAND并加速向英伟达供货，验证存储行业强劲景气周期，国产NAND替代空间随之打开。
联
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NAND闪存主控芯片龙头（收入占比87.6%），是SSD和存储模组的核心零部件。年报指出2026年北美CSP的NAND需求同比激增265%，AI服务器单台存储容量是传统8-10倍。三星与英伟达的NAND合作强化行业景气，主控芯片需求随之高增。
江
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全球半导体存储品牌企业，NAND Flash及DRAM产品线完备。企业级存储业务营收17.83亿元同比+93.30%（2025年报），申万宏源研报指出2025年NAND价格指数涨166%。三星NAND扩产增强供应链保障，利好公司企业级SSD业务。
普
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公司产品直接广泛应用于三星等品牌（上市公司介绍页），收购SHM后切入SLC NAND市场（全球第四，TrendForce数据）。三星扩产NAND验证行业高景气，公司作为三星现有芯片供应商及NAND新进入者双重受益。
德
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闪存主控芯片设计+存储模组厂商，SSD收入占比42.5%、嵌入式存储34.0%（2025年报）。年报指出AI服务器推动SSD需求年增超60%，三星V-NAND扩产将改善NAND晶圆供给，利好公司模组业务成本与供应稳定性。
上
75%
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半导体电子化学品龙头，针对3D NAND/DRAM存储芯片工艺开发蚀刻类配方化学品（2025年报）。三星V-NAND向500层推进对蚀刻材料用量和精度要求成倍提升，公司作为国内存储芯片材料供应商受益于行业资本开支扩张。
精
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半导体存储器件测试设备龙头（收入占比55.6%），是国内头部存储厂商主力供应商（2025年报），已交付9Gbps高速FT测试机。三星V10量产及V11开发推升高端NAND测试需求，华源证券研报指出AI驱动存储测试复杂度倍增。
朗
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闪存应用产品龙头，SSD等闪存产品收入占比70.9%（2025年报）。年报分析服务器NAND需求同比增长超50%，三星V-NAND扩产强化行业涨价预期，利好公司产品售价与毛利率。
利
70%
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独立第三方芯片测试商，研发项目包括HBM存储芯片集成化测试系统与软件协同开发（2025年报）。三星扩产V-NAND及推进HBM合作，带动存储芯片测试需求增长，公司作为国内芯片测试龙头有望承接增量订单。