【Navitas Semiconductor二季度营收1050万美元 高于市场预期】Navitas Semiconductor二季度营收1050万美元，分析师预期997万美元；二季度每股亏损0.04美元，分析师预期亏损0.043美元；二季度调整后净亏损931万美元，分析师预期亏损1000万美元；二季度调整后运营亏损1140万美元，分析师预期亏损1120万美元。
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新
90%
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国内MOSFET/GaN功率器件领军企业，概念板块含氮化镓和第三代半导体。2025年报明确：中国GaN功率半导体市场规模2025年约5亿美元、2026年有望达8.47亿美元。已推出GaN HEMT产品，与Navitas在同赛道直接竞争，Navitas业绩超预期验证GaN功率行业景气上行。
中
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全球GaN基MOCVD设备龙头。2025年报披露：用于氮化镓基功率器件的MOCVD设备已发往客户量产验证；已开发面向硅基氮化镓异质外延功率器件的专用设备。引用Yole数据指出GaN功率市场将从2024年3.6亿美元增至2030年29亿美元（CAGR 42%），Navitas GaN芯片量产直接拉动设备需求。
南
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国内快充芯片龙头，拥有氮化镓功率器件控制技术专利，可无需辅助器件直接驱动GaN功率器件。GaN直驱技术是Navitas GaN芯片的关键下游配套方案，公司营收中消费电子占89.3%，深度受益GaN快充市场爆发。
三
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国内化合物半导体IDM龙头，产品矩阵含SiC/GaN电力电子芯片（碳化硅MOSFET、硅基氮化镓等），覆盖新能源汽车充电桩、数据中心等场景，直接对标Navitas的GaN功率芯片业务。2025年报明确将GaN列为电力电子核心技术方向。
斯
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2026年1月可转债问询函回复明确披露车规级GaN模块产业化项目已获环评批复（沪114环保许管〔2025〕223号），由子公司上海道之在嘉定区实施，GaN模块适用于新能源汽车OBC/充电桩/AI服务器电源等场景，直接与Navitas在车规GaN功率模块赛道竞争。
芯
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产品线涵盖氮化镓（GaN HEMT）功率器件和氮化镓驱动IC，与Navitas的GaN芯片形成器件+驱动配套生态。2025年报提及GaN功率器件可应用于PD快充、电源适配器、车载充电等场景，下游与Navitas高度重合。
士
78%
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国内功率半导体IDM龙头，产品线覆盖硅基IGBT/MOSFET及第三代半导体（SiC与GaN），概念含氮化镓和第三代半导体。第一上海2026-05-26研报指出其SiC与GaN双线并进，与Navitas在GaN功率器件市场形成竞争。
东
76%
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高性能功率半导体企业，2025年报明确布局SiC/GaN宽禁带半导体应用领域，产品用于数据中心服务器电源、车载充电机（OBC）、光伏逆变器等，与Navitas GaN功率器件目标市场高度重叠，同赛道竞争。
立
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化合物半导体射频芯片业务布局GaN-on-SiC芯片（碳化硅衬底+氮化镓有源层），用于卫星通信、基站功放、新能源汽车车载电源等场景。2025年报显示化合物半导体射频芯片收入占比9.1%，与Navitas同属GaN技术路线，但偏射频而非功率。
晶
72%
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电源管理芯片设计公司，2025年报明确GaN/SiC技术成熟驱动电源系统演进，快充业务采用磁耦通讯技术在国际知名客户实现量产。AC/DC电源芯片和快充方案与Navitas GaN器件构成上下游应用生态。