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外媒称长鑫科技将撼动全球存储垄断格局,韩国股市暴跌、美股存储板块盘前重挫

7月28日,韩国综合股价指数(KOSPI)暴跌10.84%,三星电子收盘跌13.39%创18年来最大单日跌幅,SK海力士收盘跌14.65%。韩国媒体及CNBC报道认为,长鑫科技上市并筹得巨额资金将追赶并撼动三星电子、SK海力士、美光科技在全球存储行业的垄断地位。美股方面,美光科技盘前跌超7%,西部数据、闪迪跌超8%,SK海力士ADR跌超5%。

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公司董事长朱一明同时担任长鑫科技集团董事长(2026-03-30年报披露),长鑫科技为兆易创新关联法人。2026年度日常关联交易预计额度8.25亿美元(约57.11亿元),长鑫开放产能为兆易创新利基型DRAM业务提供代工服务。存储芯片收入占公司营收71.3%,长鑫上市扩产直接强化其DRAM产品线的产能保障。
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公司持股20.94%的联营企业鑫丰科技是境内最早为长鑫存储提供LPDDR封装配套的封测厂商之一,也是长鑫存储供应体系中少数具备LPDDR5量产封装能力的重要合作伙伴(2026-03-24公告)。鑫丰科技目前具备超2万片/月Wafer DRAM封测产能,长鑫上市扩产将直接拉动鑫丰科技封测需求。
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公司硅零部件产品已直接进入长鑫存储等主流存储芯片制造厂(2025年度持续督导报告)。硅零部件业务收入占比54.1%,是公司第一大产品线。长鑫上市融资扩产将直接增加对刻蚀用硅零部件的采购需求,公司作为本土核心供应商确定受益。
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年报明确将合肥长鑫列为全球存储晶圆原厂之一,公司从包括长鑫在内的晶圆厂采购DRAM晶圆,并已签订长期合作协议(2025年报)。长鑫市场份额2025Q3已达5.8%(TrendForce),上市融资扩产将增强佰维存储的上游国产DRAM供应保障,降低对海外原厂的依赖。
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公司董事袁训同时兼任长鑫新桥存储技术有限公司、长鑫集电(北京)存储技术有限公司董事(2025年报披露)。作为国内封测龙头(营收97.6%来自集成电路封测),长鑫DRAM产能扩张将产生大量封装测试需求,通富微电有望获得配套订单。
75%
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2025年报关联方列表中明确列示“长鑫科技集团股份有限公司”(本公司关联自然人担任董事的公司)。作为全球封测龙头,芯片封测收入占比99.6%,长鑫上市扩产将带动DRAM后道封测需求,长电科技凭借行业地位有望承接相关订单。
75%
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公司董事兼任长鑫新桥存储技术有限公司和长鑫集电(北京)存储技术有限公司董事(2025年报)。北方华创是国内半导体设备龙头(电子工艺装备收入占比93.3%),长鑫上市融资后扩产将直接拉动刻蚀、薄膜沉积等国产设备的采购需求。
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公司董事兼任长鑫新桥存储技术有限公司和长鑫集电(北京)存储技术有限公司董事(2025年报)。拓荆科技是国内薄膜沉积设备龙头(PECVD/ALD),产品已广泛应用于存储芯片制造领域。长鑫上市扩产将直接增加对国产薄膜沉积设备的需求。
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公司董事兼任长鑫集电(北京)存储技术有限公司董事。中微公司是国内等离子体刻蚀设备龙头,年报指出存储器从2D转向3D架构使刻蚀设备成为关键核心设备。长鑫上市融资扩产将直接拉动刻蚀设备需求,中微公司有望受益于国产替代进程。