ASM国际二季度营收10亿欧元 略高于市场预期
【ASM国际二季度营收10亿欧元 略高于市场预期】ASM国际二季度营收10亿欧元，分析师预期9.998亿欧元。二季度运营利润率32.2%，分析师预期31.9%。二季度毛利润率51.9%，分析师预期51.2%。预计三季度营收按恒定汇率将为11亿欧元+/-5%。
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微
92%
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2025年报明确将ASM International（先晶半导体ASM）列为全球薄膜沉积设备市场的主要竞争对手（与AMAT、LAM、TEL并列）。公司以ALD技术为核心，半导体ALD设备收入8.8亿元（+169%），是国内首家量产型High-k ALD设备进入前道产线的国产厂商，与ASM在ALD领域形成直接竞争关系。
拓
88%
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公司核心产品包括PE-ALD（等离子体增强原子层沉积）和Thermal-ALD系列，与ASM在ALD/CVD薄膜沉积设备市场直接竞争。2025年营收65.19亿元（同比+59%），ALD设备是实现先进逻辑芯片、存储芯片高深宽比结构薄膜沉积的核心设备。
北
86%
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2025年报披露公司拥有完整ALD产品线：12英寸介质原子层沉积系统（D-ALD）和12英寸金属栅极原子层沉积系统（MG ALD），涵盖存储芯片和逻辑芯片薄膜沉积工艺。电子工艺装备收入占比93.3%，与ASM在全球ALD设备市场直接竞争。
南
82%
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公司承担国家02专项'ALD金属有机前驱体产品的开发'，已掌握多种ALD/CVD前驱体材料的合成、纯化技术，建成高纯半导体前驱体自主生产线。前驱体是ASM ALD设备运行必需的核心耗材，公司已实现晶圆制造所需硅/金属/高K前驱体全覆盖并导入国内主要芯片制造商量产制程。
中
78%
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公司2025年报披露近两年新开发LPCVD和ALD设备，多款已获重复订单。主营等离子体刻蚀设备和薄膜沉积设备，在MOCVD（LED外延）领域也与ASM存在竞争。年报指出ALD氮化钛因优秀阶梯覆盖率成为先进制程接触孔阻挡层的主要选择。
雅
76%
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2025年报显示公司半导体前驱体材料包括高K材料、硅基材料和金属材料，广泛用于3D NAND、DRAM和逻辑芯片先进制程的薄膜沉积工艺，已构建中韩双研发部门跟踪ALD前驱体前沿技术。前驱体是ASM ALD设备必不可少的上游耗材，公司半导体业务收入占比31.4%。