【SK海力士：计划2026年下半年大幅扩充HBM4产能供给】财联社7月29日电，SK海力士称，计划2026年下半年大幅扩充HBM4高带宽内存产能供给。已与10家行业大客户签订长期芯片供货协议（LTA）；预计2026年三季度DRAM出货量环比二季度提升约10%；预计2026年三季度NAND闪存出货量环比二季度小幅上涨，涨幅为低个位数（1%~4%）；长期供货协议设置差异化定价机制，根据客户类型、芯片产品特性区分定价，平抑存储价格周期性剧烈波动；长期供货协议将显著提升企业中长期订单、需求端的确定性。
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太
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控股子公司海太半导体与SK海力士签订《第四期后工序服务合同》（2025.7.1-2030.6.30），以全部成本+约定收益（总投资额10%+超额收益）模式为SK海力士提供半导体封装测试后工序服务，产量全部销往SK海力士。SK海力士HBM4大幅扩产将直接增加海太半导体的封装测试订单量。
华
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已进入SK海力士全球供应链体系，并深度布局HBM产业链，为TSV硅通孔关键工艺提供先进刻蚀气体。2025年报指出深度布局HBM产业链，精准卡位TSV刻蚀气体环节，将充分受益于HBM产业爆发式增长红利。
香
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子公司联合创泰是SK海力士授权分销商，拥有SK海力士、MTK等一线品牌代理资格。电子元器件分销收入占比94.2%（2025年报），客户涵盖互联网云服务、移动通讯等行业。SK海力士HBM4大幅扩产将充实其货源供应能力。
华
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CMP设备是HBM先进封装（含3D IC、CoWoS等）关键工艺装备，贯穿TSV金属化全流程。减薄装备适配HBM工艺需求，2025年报明确将HBM列为应用场景。概念板块含高带宽存储器HBM。SK海力士HBM4扩产将拉动CMP设备需求。
艾
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构建了覆盖RDL/Bumping/TSV全工艺材料解决方案，已覆盖90%以上国内封装厂。2025年报明确HBM3E、Chiplet 3D堆叠、CoWoS-L等封装技术直接带动其高纯电镀液、TSV/TGV添加剂需求激增。概念板块含高带宽存储器HBM。
路
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掩膜版是TSV（硅通孔）工艺光刻环节的刚需母版。2025年报明确论述TSV是实现2.5D/3D堆叠封装如HBM与逻辑芯片集成的关键技术，指出HBM4内存封装对掩膜版需求持续增长。国内掩膜版龙头，受益于HBM4扩产需求放量。
安
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化学机械抛光液和电镀液产品覆盖先进封装领域。2025年报指出先进封装技术成为后摩尔时代提升芯片性能的关键路径，GPU、HBM需求强劲。电镀液产品覆盖TSV、铜柱等先进封装工艺需求。HBM4扩产拉动高端抛光液和电镀液用量。
天
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TSV硅通孔电镀产品是HBM工艺中的核心工艺材料。2025年报明确指出TSV是HBM工艺中的核心工艺，TSV填孔镀铜是最核心、最难的工艺环节。先进封装电镀添加剂已获知名封装厂肯定。HBM4扩产增加TSV电镀材料需求。
兴
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2025年报明确将HBM等先进封装技术列为下游布局方向，提供支撑2.5D/3D、TSV、HBM等先进封装的剥离液、电镀液、键合配套试剂等功能湿化学品。国产湿电子化学品龙头，HBM4扩产带动产业链相关材料需求增长。
佰
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存储芯片研发封测一体化厂商，HBM概念板块明确。2025年报详细论述HBM行业，引用Gartner数据称2025年HBM市场规模307.5亿美元（同比+100%），并指出SK海力士HBM收入持续大幅增长。存储行业高景气及HBM4扩产构成行业性利好。
德
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存储模组产品的NAND Flash和DRAM晶圆供应商包括SK海力士等原厂（2025年增发公告披露）。SK海力士HBM4扩产同时增加DRAM整体产能供给，有利于公司获取更充足稳定的晶圆货源，且公司自身也在推进DRAM扩产项目。
深
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存储半导体业务收入占比26%（2025年报），子公司沛顿科技从事存储芯片封测。年报论述HBM作为AI存储核心增量引擎，头部企业将产能向HBM倾斜。概念板块含高带宽存储器HBM。存储行业景气上行及HBM扩产对封测业务形成利好。