SK海力士发布2026年第二季度业绩，当季销售额为79.32万亿韩元（市场预期83.85万亿韩元），营业利润为60.5万亿韩元（市场预期64万亿韩元），均不及预期，导致其ADR美股盘后跌幅一度扩大至超5%。但公司披露多项积极指引：第二季度DRAM平均售价较第一季度上涨约30%；已开始大规模发货HBM4，并计划在2026年下半年扩大HBM4供应。公司预计第三季度DRAM出货量将环比增长约10%，NAND出货量环比低个位数增长。SK海力士预计2026年资本开支将达到40万亿-50万亿韩元区间的高端，DRAM市场需求同比增长20%-30%区间的中部，NAND市场需求同比增长10%-20%区间的高端。此外，公司与约10家客户签署了长期芯片供应协议，以增强中长期需求可见性，并正在评估额外的股东回报措施。
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香
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2025年报明确披露"公司目前第一大供应商为SK海力士"，子公司联合创泰拥有SK海力士授权代理资格，代理其数据存储器产品并在中国云计算市场实现核心互联网企业覆盖。SK海力士HBM4扩产与DRAM出货量增长直接增厚公司分销业务收入。
雅
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光大证券2026-03-05研报指出公司核心产品前驱体纯度达7N级，全球HBM前驱体市占率18%，是SK海力士HBM前驱体独家供应商。半导体材料收入占比31.4%，直接受益于SK海力士HBM4扩大供应与资本开支维持高位。
华
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2025年报披露产品已获得SK海力士等全球一线客户广泛认可，已进入SK海力士供应链体系。年报指出2026年HBM市场规模546亿美元（增58%），SK海力士将70%产能投向HBM，公司为HBM核心TSV刻蚀提供高端电子特气。
澜
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2025年报明确"全球DRAM市场90%份额由三星、海力士及美光占据，这三家公司也是公司内存接口芯片及内存模组配套芯片的主要下游客户"。DRAM ASP涨30%、出货量增10%直接拉动公司内存接口芯片需求，该业务收入占比94.2%。
佰
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公司是半导体存储模组龙头，2025年报详细分析HBM4基于1c nm工艺大规模量产趋势，拥有HBM概念板块。DRAM/NAND产品线齐全（嵌入式存储60.9%、PC存储32.7%），直接受益于SK海力士DRAM均价涨30%及HBM4产业链扩张。
拓
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2025年报披露Pleione 300和Propus 300键合设备主要应用于高带宽存储器（HBM）及芯片三维集成领域，实现混合键合前晶圆活化与精准键合。SK海力士扩大HBM4供应直接拉动公司混合键合设备需求，半导体设备收入占比96.6%。
精
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公司推出JH5520 HBM BI老化测试系统，是针对HBM封装老化测试的专用设备，支持高速、宽温、大负载功耗动态老化测试方案。半导体业务收入占比39.4%，SK海力士HBM4扩产直接拉动HBM测试设备需求。
艾
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2025年报披露产品覆盖HBM、3D堆叠芯片等高端封装核心工艺（TSV硅通孔、RDL、Bumping），封装电镀液市占率约30%，是国内先进封装材料龙头。SK海力士从8层向16层HBM4演进直接拉动电镀液及光刻胶需求放量。
华
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2025年报披露减薄装备可覆盖HBM（高带宽内存）、CoWoS、3D NAND等多领域关键工艺需求。作为国内CMP设备龙头，CMP及减薄设备是HBM制造中TSV/混合键合前道关键工艺设备，SK海力士HBM4扩产直接拉动设备采购。
江
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全球领先的半导体存储品牌企业，拥有嵌入式存储、固态硬盘、内存条等四大产品线，内存条产品直接受益于DRAM涨价周期。2025年报指出AI服务器DRAM需求量约为普通服务器8倍，DRAM ASP涨30%拉动行业景气度上行。
中
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2025年报披露硅通孔（TSV）铜填充空隙量测设备系列主要应用于先进封装和HBM芯片制造。SK海力士HBM4从8层向16层演进使TSV深宽比提升带动检测需求倍增，公司作为国内半导体量测设备龙头直接受益。
通
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公司掌握TSV与硅中介层技术，可实现HBM与图形处理器高密度集成，年报披露存储芯片封测基地覆盖多层堆叠封装技术。SK海力士HBM4大规模发货和扩产带动先进封装需求，公司作为国内封测龙头受益，封装测试收入占比97.6%。
精
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国内少数实现半导体存储器测试设备全覆盖的厂商（晶圆测试、老化测试、FT测试机等），2025年报指出存储厂商将新增产能优先投向HBM及高端服务器存储，直接利好具备高端测试能力的设备厂商，存储测试收入占比55.6%。
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主营闪存主控芯片设计及存储模组产品，2025年增发公告详细分析SK海力士在1c nm DDR5/HBM4等先进节点竞争格局，DRAM内存条类产品收入占比9.7%。DRAM均价上涨直接提升存储模组环节盈利能力。
北
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存储芯片收入占比61.4%，拥有DRAM、SRAM产品线，在全球车规存储市场占据重要产业地位。2025年报指出三星、海力士、美光等将更多产能转向HBM，挤压传统DRAM产能带来国产替代机遇，受益于DRAM市场结构性涨价。