SK海力士第二季度营业利润达60万亿韩元（利润率76%），上半年业绩创历史新高，但股价暴跌17%创纪录最大单日跌幅。韩国未来资产证券将其目标价从420万韩元大幅下调至280万韩元，表示市场核心担忧已从短期盈利转向中国在光刻技术领域的进展可能引发半导体行业整体估值重估。
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香
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公司2025年报明确披露：第一大供应商为SK海力士，向其采购数据存储器。旗下联合创泰是SK海力士核心代理商，电子元器件分销业务收入占比94.2%。公司公告表示将'充分发挥SK海力士核心代理商优势'，深度绑定SK海力士产品线。SK海力士目标价下调及中国光刻进展引发的估值重估将直接影响其分销业务预期。
鼎
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2026年3月公告年产300吨KrF/ArF光刻胶产业化项目建成投产，建成国内首条全流程高端晶圆光刻胶量产线。产品覆盖3D NAND、DRAM、高性能逻辑器件，已有多款产品稳定批量供应。公司拥有国际一流ArF浸没式光刻机及配套评价实验室。中国光刻技术进展将直接加速其高端光刻胶的验证导入和市场份额提升。
太
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2025年7月公告：控股子公司海太半导体与SK海力士正式签署《第四期后工序服务合同》，以'全部成本+约定收益'模式向SK海力士提供半导体后工序服务（封装测试）。公司半导体业务收入占比15.3%，利润占比26%。SK海力士作为其核心客户，业绩波动和估值重估将直接影响太极实业的订单稳定性与业务预期。
上
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公司ArF浸没式光刻胶研发项目是国家战略性需求，已购置ArF浸没式光刻机保障研发进度。集成电路材料收入占比76.3%，涵盖电子光刻、电子清洗、电子研磨五大核心技术。中国光刻技术进展将加速其高端光刻胶的国产替代进程，公司公告称该产品是'占领技术和市场高地'的关键方向。
中
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年报明确指出：光刻机受波长限制，14nm以下需通过刻蚀+薄膜沉积多重模板工艺实现，使刻蚀设备重要性持续提升。公司是国内等离子体刻蚀设备龙头，100%收入来自半导体设备。中国光刻技术进展将推动晶圆厂扩产，直接拉动刻蚀设备需求，公司作为核心设备商率先受益。
盛
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公司涂胶显影Track设备支持主流光刻机接口（i-line、KrF、ArF），首台高产能KrF涂胶显影设备已于2025年9月交付中国头部逻辑晶圆厂。半导体清洗/电镀/涂胶显影设备全覆盖，中国大陆收入占比99.4%。中国光刻技术进展将拉动配套涂胶显影设备国产化需求，公司是该赛道核心供应商。
拓
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公司年报指出：薄膜沉积设备是3D NAND、3D DRAM、HBM等先进存储芯片技术突破的核心支撑。在光刻机受限时，多重模板工艺需要更多的薄膜沉积步骤。公司是国内PECVD/ALD设备龙头，96.6%收入来自半导体专用设备。中国光刻技术进展将带动国产晶圆厂扩产，薄膜沉积设备需求同步增长。
佰
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公司2025年报引用TrendForce数据明确SK海力士在DRAM市场份额33.2%，并分析HBM市场规模超300亿美元。公司主营存储模组（嵌入式60.9%、PC存储32.7%），国产DRAM份额仅5%、国产NAND份额低于10%，国产替代空间大。SK海力士利润新高验证存储行业高景气，公司作为国产存储模组龙头受益。
德
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公司募集说明书明确提及'美光、三星、海力士等原厂均宣布涨价，存储市场量价齐升，行业景气度持续提升'。主营存储主控芯片及模组（固态硬盘42.5%、嵌入式34%）。SK海力士Q2利润新高验证全球存储高景气，公司作为国产存储模组厂商受益于行业上行周期和国产替代加速。
江
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公司是国产半导体存储品牌龙头，嵌入式存储44%、固态硬盘24.5%、移动存储21.5%，100%收入来自存储业务。SK海力士Q2利润60万亿韩元创新高，印证全球存储行业高景气延续。公司作为中国存储品牌出货量领先企业，受益于行业景气上行及国产化率提升趋势（国产DRAM仅5%）。
利
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公司2025年报披露研发项目包括'HBM存储芯片集成化测试系统与软件协同开发'，直接切入HBM测试赛道。SK海力士是HBM全球龙头（市占率超50%），中国光刻技术进展若推动HBM国产化，将催生独立第三方测试需求。公司是国内稀缺的独立第三方芯片测试服务商，产能持续扩张。
有
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公司是国内半导体硅材料龙头，刻蚀设备用硅材料收入占比29.7%，300mm硅抛光片占比61.3%。公司公告指出'十五五是实现半导体材料国产化的战略机遇期'。中国光刻技术进展将推动国内晶圆厂扩产，带动上游半导体硅片及刻蚀用硅材料需求增长，公司作为国产硅材料核心供应商受益。