三星电子在最新业绩展望中明确表示，芯片供应短缺形势将在2027年加剧并延续至2028年。与此同时，公司预计HBM4收入在第三季度较第二季度将增长逾两倍，下半年HBM4收入将占整体HBM收入的约60%，预计下半年HBM市场份额将与整体DRAM市场份额保持一致。公司还预计全年移动设备平均售价和销量将上升。
相关股票
10 只 · 按关联度排序
华
92%
加载行情
公司2025年报明确写入'为HBM核心TSV刻蚀提供高端特气，直接受益于HBM爆发'，并深度布局HBM产业链为TSV工艺提供先进刻蚀气体。已进入三星、SK海力士等全球领先半导体企业供应链（年报原文）。特种气体收入占比65.1%，半导体行业客户收入占比39.5%。三星HBM4放量将直接拉动TSV刻蚀特气需求。
华
88%
加载行情
公司2025年报明确披露：'韩国子公司具备开发HBM所要求的高导热EMC（环氧塑封料）的技术能力，有望直接切入全球AI算力芯片供应链'。环氧塑封料收入占比93.5%，是HBM先进封装的关键材料。其韩国子公司可直接服务三星等HBM厂商，HBM4量产放量带来高导热EMC需求爆发。
德
82%
加载行情
公司2025年报明确判断'先进封装（如HBM、CoWoS）需求的爆发'是核心行业趋势。产品覆盖晶圆UV膜、固晶材料、底部填充胶等芯片级封装全流程，可满足HBM高密度异构集成需求。集成电路封装材料收入16.2%，智能终端+集成电路封装材料合计利润占比超67%，直接受益于HBM4扩产对先进封装材料的拉动。
雅
80%
加载行情
公司半导体前驱体材料'广泛运用于3D NAND、NOR FLASH等存储芯片，DRAM内存芯片和逻辑芯片等先进制程'（2025年报原文），并'不断开发芯片先进制程薄膜沉积工艺和AI先进封装所需的各种前驱体材料'。前驱体是HBM制造中ALD/CVD薄膜沉积的关键材料，半导体业务收入占比31.4%。概念含HBM。
艾
80%
加载行情
2025年报公告'HBM3E、Chiplet 3D堆叠、CoWoS-L等先进封装技术直接带动高纯电镀液、TSV添加剂等材料需求激增'。公司构建的RDL/Bumping/TSV全工艺材料解决方案已覆盖90%以上国内封装厂。概念含HBM，电镀液及配套试剂收入占比48.6%。HBM4的TSV工艺直接拉动其电镀液需求。
通
78%
加载行情
国内集成电路封装测试龙头企业（收入占比97.6%），先进封装能力覆盖Chiplet、3D堆叠等HBM所需技术。概念含高带宽存储器HBM、Chiplet、玻璃基板封装。公司产品应用于高性能计算、大数据存储等领域。HBM4封装测试需求爆发将带动封测环节订单增长，公司作为国内封测龙头充分受益。
联
75%
加载行情
公司硅微粉产品是芯片封装环氧塑封料（EMC）的核心填料，应用于先进封装领域。2025年报公告'先进封装加速渗透'推动高性能产品营收增长。概念含高带宽存储器HBM、Chiplet。球形硅微粉收入占比58.4%，HBM4对EMC品质要求提升将带动高端硅微粉需求，公司作为国内硅微粉龙头受益。
中
75%
加载行情
公司等离子体刻蚀设备是TSV（硅通孔）工艺的关键设备，TSV正是HBM 3D堆叠的核心技术。概念含高带宽存储器HBM。HBM4对TSV深宽比和刻蚀精度要求更高，驱动刻蚀设备需求增长。公司作为国产刻蚀设备龙头，已进入中芯国际等主流产线，将受益于HBM扩产带来的设备国产化机遇。
佰
75%
加载行情
2025年报明确提及HBM4：'预计1c nm工艺生产的DDR5、LPDDR5X/6、GDDR7、HBM4陆续从送样验证迈向大规模量产'。公司专注半导体存储器研发封测一体化，嵌入式存储收入占比60.9%。概念含HBM、先进封装。三星HBM4带动存储行业景气上行，公司作为国内存储模组龙头直接受益。
神
72%
加载行情
2025年报公告'以HBM为代表的人工智能所需算力芯片竞争激烈，三星计划在2026年推出新一代HBM产品。三维堆叠结构的HBM对TSV工艺提出更高要求，对刻蚀技术和应用数量提出更高要求'。公司提供刻蚀用单晶硅材料，已进入中国主流存储芯片厂和刻蚀设备厂供应链，间接受益于HBM对TSV刻蚀耗材的需求增长。