摩根士丹利：韩国股市在“洗盘”后仍有36%上涨空间
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公司电子元器件分销平台（联合创泰）持有SK海力士一级代理资格，分销业务占2025年收入94.2%、国外收入占85.3%，SK海力士产能扩张与估值重估（Kospi目标9000点）直接增厚其分销规模与业绩弹性；主力资金5日净流出约0.9亿元，短期需留意兑现节奏。
控股子公司海太半导体2025年6-7月与SK海力士正式签署《第四期后工序服务合同》，以'全部成本+约定收益'模式独家为其提供半导体后工序（封测）服务，半导体业务占2025年收入15.3%、利润26.0%；主力资金5日净流入32.3亿元，市场已抢跑该逻辑。
2025年报披露公司为Samsung、SUMCO、奕斯伟等境内外头部晶圆厂核心供应商，晶圆检测及量测设备在HBM制造检测领域形成差异化优势，直接受益于三星/SK海力士HBM扩产（SK海力士2026年资本开支计划超30万亿韩元）带来的检测设备需求。
2025年报披露电子级磷酸/硫酸等产品已通过SK海力士、中芯国际、长江存储、台积电等境内外厂商认证，且SK海力士(无锡)投资有限公司持股2.08%为战略股东；SK海力士扩产直接拉动其湿电子化学品出货量。
超高纯溅射靶材龙头（占收入61.9%），2025年12月增发方案拟在韩国建靶材生产基地'实现对SK海力士、三星等重要客户覆盖'，提升属地化服务能力，直接受益于韩国存储晶圆厂扩产带来的靶材需求。
全球首发CXL MXC芯片，三星电子及SK海力士推出的CXL内存产品均采用该芯片；内存接口芯片收入占94.2%，存储需求上行直接拉动DDR5接口芯片及CXL生态放量，与韩国存储龙头形成深度生态绑定。
2025年报披露客户包括SK海力士（代理模式销售）并已实现对SK海力士(无锡)氯气直销，主营电子湿化学品/电子特气/前驱体材料，集成电路收入占71.2%；SK海力士扩产及无锡工厂满产直接拉动其材料出货。
半导体前驱体（high-k/硅基/金属材料）广泛用于3D NAND、DRAM等存储芯片先进制程，公司设中国+韩国双研发部门，2025年前驱体收入同比增长超30%；韩国存储扩产及HBM先进封装对薄膜沉积前驱体需求高增。
存储芯片占2025年收入71.3%，SPI NOR Flash全球市占率第二，布局利基DRAM；三星/SK海力士将产能转向DDR5/HBM后通用存储出现供给缺口，存储涨价周期直接改善其量价，与韩国存储龙头共享行业景气。
嵌入式存储占收入60.9%，2025年报明确AI数据中心带动HBM3E需求上行、HBF分层存储新趋势，公司布局企业级RDIMM/CXL DRAM模组并具备先进封测能力，同处存储复苏与AI存储升级赛道。
推出JH5520 HBM BI测试系统，子公司武汉精鸿聚焦存储芯片CP/BI/FT全流程测试设备，2026年一季度半导体板块收入3.02亿元、同比增42.19%；HBM扩产直接拉动其存储测试设备订单与国产替代空间。
全球存储品牌厂商，嵌入式存储占收入44%、固态硬盘24.5%，海外收入占66.8%；NAND/DRAM存储涨价周期叠加AI终端存储升级，公司盈利弹性大，与三星/SK海力士共享行业上行周期。
存储半导体业务占2025年收入26%，为全球客户提供内存条及存储模组制造服务，存储涨价与AI服务器需求带动其存储制造业务产能利用率和毛利改善，与SK海力士存储景气周期共振。
国内首家存储主控芯片上市公司，SSD占收入42.5%、嵌入式存储34%；原材料NAND/DRAM晶圆采购自三星、SK海力士等原厂，存储涨价周期直接增厚其模组产品毛利率，并承接国际大厂收缩的通用存储市场。
2025年报指出三星/SK海力士/美光将产能转向DDR5/HBM，利基型DRAM形成显著供给缺口；公司为国内少数同时提供NAND（占65.2%）/NOR/DRAM完整方案的厂商，直接受益于国际大厂产能腾挪带来的国产替代机遇。