光通信概念震荡反弹 宿迁联盛涨停

A股磷化铟衬底龙头，直接对标本轮暴涨63%的AXT：2026-04-04公告控股子公司云南鑫耀实施"高品质磷化铟单晶片建设项目"（投资1.89亿元，扩至年产45万片/折合4英寸，含6000片6英寸）；2025年报化合物半导体材料收入占比12.9%，并点名AXT、住友电工为全球竞争对手。东吴证券2026-06-09研报称其领跑AI光模块InP国产替代，Yole预计2026年InP衬底供需缺口超70%

国内稀缺光芯片IDM（芯片设计-晶圆制造-加工-测试全流程），主营2.5G-100G激光器芯片及CW光源，2025年报数据中心产品收入占比65.4%，已批量供货国际前十大及国内主流光模块厂商。InP激光器供应缺口（LITE CEO称缺口超存储产业）直接对应其EML/DFB芯片量价逻辑，近5日主力净流入2.4亿元。

国内稀缺光芯片+光模块一体化厂商：2026-02-14增发募集说明书披露拥有PLC、III-V（FP/DFB/EML/VCSEL激光器芯片、APD探测器）及硅光三大芯片平台，25G及以下DFB已自主量产且自给率高；产品覆盖800G/1.6T数通光模块。InP芯片自供能力使其在激光器芯片短缺中具备供应链安全优势，直接受益AI光网络扩张瓶颈逻辑。

主营光芯片及器件，产品线含FP/DFB/EML激光器芯片（InP基）及AWG芯片（2025年报收入占比25.6%）、PLC分路器芯片；光通信产品收入占比98.5%。InP激光器供应紧张直接对应其DFB/EML芯片放量与国产替代逻辑，属新闻点名的光芯片领涨标的。

2025-11-27公告100G EML已量产、200G EML开始送样，100G VCSEL/100mW CW DFB达量产出货水平；2026-03-19公告增资星沅光电（联合EXOPTRONICS INC）开发高端磷化铟激光器芯片；2025年报称已形成VCSEL/DFB/EML/PIN四大光通信芯片矩阵，磷化铟平台主要面向光通信，直接命中InP激光器缺口主题。

新闻直接点名的光模块厂商：2025年报400G及以上光模块收入占比54.8%、国外收入89.1%，具备光芯片到光器件到光模块全链条设计制造能力。AI数据中心光模块扩容直接拉动其需求；InP激光器缺口抬升上游芯片采购成本，属板块联动核心标的。

全球高速光模块龙头，2025年报高端光通讯收发模块收入占比98.0%，产品用于云计算数据中心并深度绑定英伟达等AI算力客户。LITE CEO所述InP激光器缺口为AI光网络扩张瓶颈，对应其高速光模块（800G/1.6T）需求景气延续，是光通信概念反弹的核心权重。

光模块核心厂商，2025年报光互联产品收入占比99.7%，覆盖数据宽带/电信/数据中心，推进光器件芯片制造-封装-模块垂直整合。作为InP激光器芯片主要下游采购方，受益AI数据中心光模块需求增长与板块景气联动。

光通信前端收发电芯片设计商（激光驱动器LDD/跨阻放大器TIA/收发合一芯片），2025年报收发合一芯片收入占比84.3%，已实现155Mbps-100Gbps速率批量出货，正研发400G/800G数据中心收发芯片。激光器光芯片与驱动放大电芯片在光模块中配套共存，间接受益InP激光器缺口下的光模块放量。

光通信精密元器件一站式供应商，2025年报光有源器件收入占比58.1%、光无源器件40.4%，为全球光模块厂商提供OSA高速光器件、MPO连接器、光纤透镜阵列等，是InP激光器芯片封装与光模块环节核心配套方，间接受益AI光网络扩张。

铟资源储量全球第一、全国最大原生铟生产基地（公司简介）；中金公司2026-05-01研报指出AI浪潮加速锡焊料及半导体化合物需求，铟供应增速受限下价格中枢有望抬升。高纯铟是磷化铟衬底主要原料，InP激光器扩产直接拉动铟需求，属两跳上游受益标的。

2026-03-13公告子公司兆驰光联投资建设"光通信高速模块及光器件项目"，覆盖100G-800G光模块，400G/800G并行光收发模块已小批量生产、1.6T进入研发；公司同时布局LED/化合物半导体芯片。作为光通信激光芯片+模块新进入者，属产业扩张主题受益标的。

中泰证券2026-05-23研报指出高纯铟是磷化铟衬底的主要原料之一，公司呼伦贝尔驰宏100吨/年铟锭及高纯铟生产项目正在推进，一期40吨/年预计2026年底建成。公司锗产量居全国同行业之首，铟锗资源禀赋使其成为InP衬底扩产的上游原料受益标的。