三星电子发布zHBM与BV-NAND原型，zHBM存储密度超传统HBM5十倍

zHBM核心工艺为晶圆键合。公司是国内混合键合设备龙头：W2W混合键合设备获复购并量产、新一代高速W2W混合键合已发货客户验证、首台W2W熔融键合通过验证（中金公司2026-04-28研报）；2025年键合设备收入1.36亿元同比+41.9%，具HBM概念。

中国大陆2.5D/3D先进封装龙头，2025年芯粒多芯片集成封装收入占比51%、12英寸Bumping产能及2.5D收入均居大陆第一（国投证券2026-03-17研报）。zHBM将存储垂直堆叠于AI加速器之上，高度依赖3D异构集成与键合封装，公司是国内该环节核心承接方。

2026年3月新发布12寸晶圆对晶圆(W2W)混合键合和芯片对晶圆(D2W)混合键合设备，面向CIS、三维集成及HBM存储封装（交银国际2026-05-06研报）；电子工艺装备收入占93.3%，为半导体设备平台龙头，键合设备为zHBM工艺直接配套。

公告明确CMP为先进封装（含3D IC、HBM、CoWoS）关键工艺，贯穿键合表面制备、晶圆背减、TSV金属化全流程；为国内极少数实现12英寸CMP规模化量产企业，先进制程产线国产份额90%以上（华泰证券2026-04-24研报）。zHBM键合前表面平坦化直接受益。

2025年报披露第一大供应商为SK海力士、采购数据存储器，子公司联合创泰持有SK海力士（HBM全球龙头）代理权及AMD经销资质，电子元器件分销收入占94.2%。三星zHBM强化HBM技术方向与AI存储景气，公司作为HBM核心分销商直接受益。

AMD核心封测伙伴（AMD为HBM最大采购方），已完成Memory高叠层封装结构开发、布局Chiplet/2D+先进封装，2026年计划投资91亿元扩张产能（华泰证券2026-04-18研报）。zHBM存储堆叠架构演进直接拉动3D封装需求。

2025年报公告：HBM封装、CoWoS封装、混合键合等尖端路线推动电镀材料需求激增，公司已构建覆盖TSV/RDL/Bumping全工艺的材料方案，覆盖90%以上国内封装厂，多款产品进入规模商业化。zHBM垂直堆叠增加TSV/键合工艺用量，电镀液直接受益。

全球封测龙头（央企），具备2.5D/3D封装、晶圆级封装(WLP)、SiP及微系统集成能力，产品应用于AI、HPC与高密度存储，芯片封测收入占99.6%。zHBM将存储堆叠于加速器上，封测环节（3D集成）为直接受益方。

全自动临时键合及解键合机面向Chiplet、InFO、CoWoS、HBM等2.5D/3D技术路线，键合品类收入规模及占比大幅提升、化学清洗机量产突破（申万宏源2026-04-24研报）。zHBM晶圆级键合工艺需配套临时键合/解键合环节。

2025年报：半导体前驱体（high-k/硅基/金属材料）广泛用于3D NAND、DRAM等存储芯片先进制程，中韩双研发中心开发AI先进封装所需前驱体，半导体业务收入占31.4%。前驱体是存储/HBM薄膜沉积关键材料，属上游直接供应商。

2025年报：封装产品覆盖TSV、Bumping、2.5D/3D系列，完成ePoP/PoPt高密度存储器封装技术开发并推进板级封装，华天江苏、盘古半导体已进入生产阶段。存储/3D堆叠封测技术储备完整，受益于HBM及3D封装需求放量。

TCB热压键合设备可适配HBM堆叠、CoWoS封装、CPO光电共封（财通证券2026-04-28研报），Yole预计2030年TCB设备市场超9.36亿美元；设备已完成样机开发并与多家客户推进打样验证。TCB是HBM高密度堆叠关键键合工艺。

2025年报：DDR5高带宽内存接口芯片MRCD/MDB是服务器高带宽内存模组MRDIMM核心逻辑器件，最新支持速率12800MT/s、全球领先，内存接口芯片收入占94.2%。zHBM重构AI服务器存储架构、强化高带宽内存体系，接口芯片为核心配套。

2025年报：研发并量产适用于TSV工艺的铜互连电镀添加剂，实现3D-TSV微孔高效电镀填充、深宽比达20:1，集成电路材料收入占76.3%。TSV是HBM及zHBM垂直堆叠的核心工艺，电镀添加剂直接配套该环节。

2025年报：构建先进存储测试体系，提供BI/CP/FT测试并推出新品满足HBM高端测试需求，半导体业务收入占39.4%（华西证券2026-04-28研报称半导体收入同比+92.67%）。HBM/zHBM放量需配套存储芯片与3D封装测试设备。