存储芯片大消息:苹果压价长鑫存储失败,长鑫因华为小米等国内巨头大规模扫货而拒绝降价
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长鑫存储A股最直接关联方:公司董事长朱一明兼任长鑫科技集团董事长(2026-04-03股东会资料),自2019年起向长鑫集团采购代工DRAM;2026年度日常关联交易预计额度8.25亿美元折57.11亿元,较2025年实际11.82亿元大增(2026-03-31公告)。利基DRAM量价齐升,26Q1净利14.61亿同比+522.79%(华创证券2026-05-06研报)。近5日主力净流入36.2亿
嵌入式存储占收入60.9%(2025年报),采购长鑫等国产晶圆原厂颗粒;年报明确"以长江存储和长鑫存储为代表的本土存储原厂在下游客户导入与渗透率提升方面迎来历史机遇",并引TrendForce数据:2025Q3长鑫DRAM全球份额5.8%。25Q4 DRAM合约价环比+45%-50%,公司2025年营收+68.72%、净利+437.56%,2026Q1 AI端侧存储收入+496%。近5日主力净流入
存储模组龙头,嵌入式存储收入占44%、内存条9.7%(2025年报),直接采购DRAM晶圆,涨价周期下量价齐升+库存增值双受益;为小米概念股,对接新闻中华为/小米大规模扫货国产存储的渗透主线。TrendForce数据显示国产DRAM份额约5%、提升空间大,公司全价值链垂直整合(芯片设计/固件/封测)。近5日主力净流入16.8亿元。
SK海力士中国核心分销商,电子元器件分销占收入94.2%(2025年报),DRAM涨价直接推升分销收入与存货增值;自主品牌"海普存储"企业级DRAM/SSD已量产并实现年度盈利,2025年销售收入约17亿元(华鑫证券2026-03-22研报)。新闻中长鑫拒绝苹果压价、存储价格维持强势,直接利好存储分销与自有存储业务量价齐升。
子公司十一科技承接"国家存储器基地工程(一期)"等重大总包项目(2025年报)——国家存储器基地即长鑫存储(合肥)项目;2025-09-18诉讼公告中将"第三人长鑫存储技术有限公司"列为十一科技相关案件当事人。工程总包收入占76.5%,长鑫因华为小米扫货满产而扩产,公司为工程建设直接受益方。
国内高端存储芯片封测龙头,存储半导体业务收入占26%(2025年报),封测产品覆盖DDR4/DDR5/LPDDR4/LPDDR5/eMCP等全系列,为智能终端与数据中心提供存储解决方案。长鑫等本土存储原厂产能扩张与国产化率提升(TrendForce口径国产DRAM份额仅约5%)直接带动本土存储封测需求,涨价周期亦增厚封测环节景气。
利基型DRAM设计公司(DDR3、LPDDR4x等),2025年报明确:"三星、SK海力士、美光持续将产能向DDR5、LPDDR5X及HBM等高性能领域倾斜,利基型DRAM市场形成显著供给缺口,为中国大陆供应商创造战略发展机遇"——与新闻中长鑫LPDDR5X因国产扫货而拒绝苹果压价同源,直接受益利基DRAM供给缺口与量价齐升。
半导体前驱体材料龙头,high-k/硅基/金属前驱体广泛用于DRAM、3D NAND等存储芯片先进制程(2025年报),半导体材料收入占31.4%;2025年前驱体收入同比+30%以上,国产化项目已转入批量试产。长鑫等本土存储原厂扩产+满载运转直接拉动前驱体、电子特气等材料需求,是DRAM国产化放量的材料端核心供应商。
国内少数实现DRAM等半导体存储器测试设备全覆盖的厂商(晶圆测试/老化修复/FT测试机/MEMS探针卡),2025-09-25公告交付首台高速测试机;产品已在多条产线实现对国外供应商替代、成为客户主要供应商(2025年报)。长鑫等存储原厂因国产需求旺盛而满产扩产,直接拉动存储测试设备订单。
全球DDR5内存接口芯片龙头,内存接口芯片占收入94.2%(2025年报),并配套SPD/TS/PMIC等DDR5模组芯片;AI PC普及助推CKD芯片需求(2025年报)。存储涨价周期与DDR5/LPDDR5渗透率提升共振,DRAM出货量与模组需求增长直接带动接口芯片与配套芯片放量,是DRAM产业景气度提升的卡位受益者。
通过战略投资鑫丰科技切入DRAM封测,计划2027年内将DRAM封装产能提升至6万片/月,受益存储芯片龙头厂商产能扩张带动(华安证券2026-05-01研报);主营显示驱动封测龙头,正将凸块制造工艺向高性能芯片封测延展。存储封测为新增成长业务,长鑫等原厂扩产带来增量封测需求。
DDR5 SPD芯片全球主要供应商之一(与澜起合作开发,另一家为瑞萨电子,2025年报),存储类芯片占收入87.6%;SPD为DDR5/LPDDR5内存模组标配芯片,DRAM出货量与渗透率提升直接带动SPD需求。聚辰为小米概念股,间接对接新闻中华为/小米大规模采购存储带来的产业链景气传导。