SK海力士表示，计划在韩国清州的M17芯片厂投资19.1万亿韩元，投资将在2031年前完成。计划在韩国龙仁投资35.2万亿韩元用于第二阶段芯片厂建设。

控股子公司海太半导体与SK海力士签订《第四期后工序服务合同》（2025.7.1-2030.6.30），以"全部成本+约定收益（总投资额10%+超额收益）"模式为SK海力士提供半导体封装测试后工序服务，产品全部销往SK海力士。SK海力士宣布清州M17（19.1万亿韩元）与龙仁二期（35.2万亿韩元）合计54.3万亿韩元扩产，将直接拉动海太半导体封测订单与产能利用率。

2025年报披露公司第一大供应商为SK海力士，向其采购数据存储器；公司拥有SK海力士、联发科等一线品牌代理资格，电子元器件分销收入占94.2%。SK海力士巨额扩产带来DRAM/HBM供给与出货量扩张，直接扩大公司分销业务规模（国外收入占85.3%）。

光大证券2026-03-05研报：公司是SK海力士HBM前驱体独家供应商，全球HBM前驱体市占率18%，产品纯度达7N级，并打入中芯国际、长江存储等国内主流晶圆厂。SK海力士清州/龙仁扩产核心指向HBM与先进DRAM产能，直接拉动前驱体需求；公司2025年半导体材料收入占31.4%，为国产前驱体龙头。

浙商证券2026-01-06研报：公司硅零部件已进入长江存储、长鑫存储及SK海力士（大连）等主流存储芯片制造厂产线，大直径刻蚀用单晶硅材料全球市占率约15%。2025年报硅零部件收入占54.1%。SK海力士扩产验证存储超级周期，刻蚀环节硅零部件耗材需求随产能爬坡放量。

中信建投2026-06-16研报：公司电子级磷酸、电子级硫酸等湿电子化学品已通过SK海力士、中芯国际、长江存储、长鑫存储、台积电等境内外大厂认证，集成电路业务收入占84.6%。SK海力士两座新厂投产将扩大湿电子化学品采购，公司作为通过其认证的国内供应商受益。

首创证券2026-04-28研报：刻蚀与薄膜双轮驱动，受益存储扩产浪潮，3D NAND层数提升带动高端刻蚀设备需求。SK海力士54.3万亿韩元扩产印证全球存储资本开支上行，驱动国产存储晶圆厂同步扩产；公司CCP/ICP刻蚀设备已批量应用于3nm及以下先进产线，在国内主流客户份额持续提升。

东吴证券2026-06-23研报：SK海力士2026Q1净利润同比+406%创全球半导体历史新高，国内长鑫存储已启动HBM扩产并拟IPO募资295亿元投向DRAM（含HBM）技术升级，国产HBM量产将带动存储测试设备需求放量。公司为国内测试机龙头（测试机收入占60.5%），受益存储扩产与国产替代双逻辑。

存储半导体业务2025年收入占26%，半年内连续两期大额扩产购置高精度研磨及高端测试设备，技术路线布局DDR5、LPDDR5及先进堆叠NAND Flash封测（国投证券2026-06-12研报）。SK海力士巨额扩产验证存储超级周期持续，公司存储封测订单与产能利用率有望同步提升。

招商证券2026-06-03研报：国内存储扩产趋势明确，长江存储三期、长鑫存储合肥/北京/上海临港产线带动薄膜沉积设备需求。公司PECVD/ALD/SACVD设备已广泛应用于国内存储芯片产线。SK海力士巨额资本开支印证存储超级周期，强化国产存储扩产逻辑，公司订单受益。

2025年报：全球存储市场规模升至2354亿美元（同比+45.7%），HBM已成AI计算芯片标配，2025年HBM市场规模307.5亿美元（同比+100%以上）。公司为存储模组+先进封测一体化厂商，嵌入式存储收入占60.9%。SK海力士扩产强化存储供需景气，利好公司产品出货与价格。

华西证券2026-04-06研报：电子大宗气体龙头，深度受益存储扩产逻辑，三星、美光、SK海力士2026年资本开支计划均大幅提升，预计2026年国内两大存储厂扩产10-12万片、总资本开支超160亿美元。公司电子大宗气体收入占71.4%，为国内存储晶圆厂现场制气配套。

存储芯片收入占71.3%，2026年1月公告以募集资金向合肥芯存等子公司增资实施DRAM研发及产业化募投项目；2025年报披露DRAM缺货涨价、存储行业迎来"超级周期"。SK海力士两厂合计54.3万亿韩元扩产强化DRAM/HBM景气上行，公司NOR Flash+利基型DRAM量价齐升逻辑受益。