英伟达预测2026-2030年全球磷化铟晶圆需求将激增20倍

A股磷化铟衬底龙头：2026年4月公告控股子公司云南鑫耀实施'高品质磷化铟单晶片建设项目'，总投资1.89亿元，扩产至年产45万片(折合4英寸)磷化铟单晶片；2025年报化合物半导体(砷化镓/磷化铟晶片)收入占13.8%。直接对应英伟达预测磷化铟晶圆需求2026-2030激增20倍的产能受益主线，东吴证券2026-06-09研报称其为'磷化铟领跑AI光模块国产替代'。

国内InP基光通信激光器芯片龙头，ESG报告明确'光通讯用磷化铟基半导体芯片的研发、生产'，覆盖DFB/EML/CW等InP基芯片，数据中心产品收入占2025年营收65.4%，已批量供货国际前十大及国内主流光模块厂商。单颗800G光模块需配4-8颗InP激光器芯片，公司是磷化铟紧缺下国产替代最直接受益方。

中国信科旗下全球光器件十强，2025年报披露拥有III-V光芯片平台（FP/DFB/EML/VCSEL等InP基激光器芯片及PD/APD探测器芯片）+800G/1.6T光模块（含1.6T DR8），实现'芯片-器件-模块'垂直整合，接入和数据业务收入占70.9%。磷化铟衬底紧缺下自研InP光芯片的自主可控优势凸显。

化合物半导体平台龙头，2025年报明确主业为蓝宝石、砷化镓、氮化镓、碳化硅、磷化铟(InP)、氮化铝等材料的外延片及芯片研发生产，集成电路芯片收入占16.2%，具备InP光通信芯片产业化能力。英伟达磷化铟需求20倍预测直接利好其InP外延/芯片业务景气及国产化合物半导体替代。

全球铟资源储量第一、全国最大原生铟生产基地（公司介绍明确'锡、铟资源储量均居全球第一'），高纯铟是磷化铟衬底主要原料。中金公司2026-05-01研报指出1Q26铟均价同比+62%，将2026盈利预测上调至41.2亿元。磷化铟晶圆需求激增20倍将直接拉动上游铟金属量价齐升。

半导体激光芯片IDM企业，2025年报通信芯片系列产品涵盖VCSEL、EML、DFB、PIN PD系列，其中EML/DFB为InP基高速光通信激光器芯片，直接配套800G/1.6T光模块光源。磷化铟衬底紧缺推升国产InP光芯片价值量，公司作为稀缺的InP光芯片IDM标的受益。

2026年3月公告光通信激光芯片及高速光模块项目进展：25G DFB光芯片完成研发试产推进量产，用于400G/800G/1.6T的大功率CW DFB与50G EML激光芯片研发推进中，400G/800G光模块已小批量生产、1.6T进入研发。DFB/EML均为InP基芯片，垂直布局光芯片-器件-模块，直接受益于磷化铟材料景气。

央企铅锌锗冶炼龙头，中泰证券2026-05-23研报披露：呼伦贝尔驰宏100吨/年铟锭和高纯铟生产项目正开展前期工作，一期40吨/年预计2026年底建成，二期60吨/年择机推进；高纯铟是磷化铟衬底主要原料之一。公司具备铟资源冶炼回收能力，受益于磷化铟扩产带动的铟需求与价格中枢上移。

半导体晶体生长设备商，方正证券2026-06-20研报指出公司已成功研发可用于磷化铟、砷化镓、碲锌镉领域的电阻加热高压长晶炉，磷化铟是800G以上高速光模块及CPO必选项。新闻指出InP衬底单条产线投资超12亿元、扩产周期3-5年，公司作为国产长晶设备商将受益于衬底厂扩产资本开支。

全球800G/1.6T高速光模块龙头，2025年报高端光通讯收发模块收入占98%，产品覆盖800G OSFP及1.6T以太网光模块，与AAOI计划年底800G/1.6T月产能达65万个直接对标。英伟达磷化铟需求20倍预测印证AI算力光互联高景气，公司为需求端最大受益方，受美股Coherent涨超13%的板块映射。

光模块龙头，2025年报光互联产品收入占99.7%，明确'400G、800G、1.6T以及更高速率的光互联产品作为公司核心产品与业绩增长引擎'，800G OSFP及1.6T产品已规模化交付。与AAOI、Coherent、Credo同处800G/1.6T高速光模块赛道，受周五美股光通信板块大涨直接映射。

高速光组件与光模块收入占2025年营收34.7%、利润占53.7%，800G OSFP/1.6T DR8等产品批量出货并布局3.2T CPO/NPO及ELSFP方案，年报披露与Coherent等竞争高速光模块市场。作为A股800G/1.6T光模块弹性标的，受益于英伟达磷化铟需求预测带动的板块景气映射。