三星、SK海力士最快本月底公布股东回报 总额或超200万亿韩元

控股子公司海太半导体与SK海力士签署《第四期后工序服务合同》（2025-06/07公告），以"全部成本+约定收益"模式向其提供半导体后工序服务；2025年报半导体业务收入占比15.3%、利润占比26%。SK海力士拟公布超200万亿韩元股东回报印证其盈利与扩产强劲，直接增厚海太订单景气。

公司档案及2025年报明确拥有SK海力士核心代理资格，电子元器件分销收入占94.2%；2026-04-07业绩快报称AI驱动企业级存储需求增长，分销业务及自主品牌"海普存储"（企业级SSD/DRAM）首次年度盈利。SK海力士股东回报方案强化其作为核心代理商的出货预期，主力5日净流入14.6亿元。

2024年度审计报告确认与"SK海力士系统集成电路（无锡）有限公司"存在稳定客户关系；半导体前驱体（high-k/硅基/金属材料）用于3D NAND、DRAM存储先进制程，2025H1前驱体收入同比增超30%。SK海力士HBM扩产将直接带动薄膜沉积材料需求，主力5日净流入3.0亿元。

公司档案明确进入SK海力士、三星、英特尔、美光、台积电等全球半导体企业供应链；2025年报称"为HBM核心TSV刻蚀提供高端特气，直接受益于HBM爆发"，并引用三星、SK海力士、美光将70%新增产能投向HBM。两公司股东回报方案印证HBM扩产景气，直接利好其特气出货。

半导体存储器研发封测一体化企业（嵌入式/PC/企业级存储+先进封测），2026Q1营收同比+341.53%，公告明确"受益于AI算力爆发与存储行业进入高景气周期，产品价格持续上涨"。三星/海力士超级周期印证存储涨价持续性，公司为A股存储模组高弹性标的。

存储芯片占2025年收入61.4%；2025年报指出"三星、美光、海力士等存储大厂将更多产能转向HBM，传统DRAM产能受挤压，引发DRAM缺货涨价潮"。海力士/三星超200万亿韩元股东回报计划证实其盈利创纪录，DRAM涨价延续利好公司车规/工规存储业务。

主营集成电路刻蚀用单晶硅材料（硅零部件占收入54.1%），已进入国际先进半导体材料供应链体系；2025年报引用"SK海力士2026年资本支出增至30万亿韩元以上，HBM对TSV刻蚀工艺提出更高要求"。海力士/三星扩产直接拉动刻蚀硅材料需求。

存储芯片占2025年收入71.3%，SPI NOR Flash全球市占率第二，并推进利基DRAM募投项目（2026-01-23增资公告）。三星/海力士产能向HBM倾斜使利基DRAM/NOR供需趋紧，公司作为国产存储设计龙头受益于涨价周期与国产替代。

100%存储业务（嵌入式44%、SSD 24.5%、移动存储21.5%、内存条9.7%），拥有Lexar等品牌，企业级SSD已适配鲲鹏/海光/龙芯等国产CPU平台。三星/海力士原厂涨价周期直接传导至存储模组厂，量价齐升逻辑明确。

内存接口芯片占2025年收入94.2%，DDR5 RCD/MRCD/MDB全球龙头，高带宽MRDIMM接口芯片支持12800MT/s。AI服务器内存（DDR5/MRDIMM）需求随HBM超级周期放大，公司作为服务器内存模组核心逻辑器件供应商直接受益。

定增文件披露通过TSV与硅中介层技术实现HBM与GPU高密度集成（2.5D/3D先进封装），为AMD等头部客户配套AI算力芯片封测，2025年报封装测试收入占97.6%。HBM产能扩张带动CoWoS/HBM先进封装需求，公司直接受益。

2025年报披露Propus 300/Pleione 300键合设备应用于HBM芯片三维集成（混合键合），并提及"SK海力士已展出全球首款16层HBM4样品"。HBM从8层向12/16层演进使混合键合设备需求倍增，公司为国产键合设备核心供应商。

存储模组企业（SSD 42.5%、嵌入式34%、移动存储13.7%、内存条9.7%），2026年增发文件引用"三星与SK海力士旗下Solidigm占2024年中国企业级SSD市场60%+份额"，凸显国产替代空间。原厂涨价周期下模组厂库存收益与量价齐升。

CMP设备国内龙头（收入占87.2%），2025年报明确CMP及减薄装备适配HBM、3D IC、TSV等关键工艺，"CMP作为先进封装（含3D IC、HBM）的关键工艺贯穿键合表面制备、TSV金属化全流程"。海力士/三星HBM扩产带动先进封装CMP设备需求。

2025年报称电镀液业务在先进封装领域市占率约30%，产品覆盖HBM、3D堆叠芯片等高端封装核心工艺（凸块制作、通孔填充、铜互连）。HBM向12/16层演进使电镀工艺次数翻倍，公司直接受益于HBM产能扩张周期。