财联社8月13日电，韩国KOSPI指数涨幅扩大至4%，现报6841.97点。三星电子涨近5%，SK海力士涨超6%。

SK海力士为第一大供应商，主营SK海力士数据存储器分销（2025年报：SK海力士是联合创泰核心供应商，存在供应商依赖风险），电子元器件分销占收入94.2%；光大证券2026-01-12研报称公司受益存储涨价趋势，近5日主力净流入14.6亿元，市场关注度最高。

控股子公司海太半导体（持股55%）自2009年起按全部成本+约定收益模式为SK海力士提供半导体后工序服务，2026-01-30公告2026年度后工序服务日常关联交易预计5.02亿美元，四期合同期至2030年6月；SK海力士扩产（资本开支增至30万亿韩元以上）直接拉动其封测业务。

公司为HBM核心TSV工艺提供先进刻蚀气体，已进入SK海力士、三星、美光等全球半导体企业供应链体系（公司简介）；2025年报引用数据：2026年HBM市场规模546亿美元(+58%)、产能缺口50%-60%，三星/SK海力士/美光将70%新增产能投向HBM，华泰证券2026-04-10研报看好其受益存储景气。

半导体材料（前驱体/电子特气/光刻胶）供应商，2024年审计报告确认与SK海力士（中国）半导体、SK海力士系统集成电路（无锡）存在稳定客户关系；2025年报半导体业务收入占31.4%、利润占42.1%，SK海力士HBM扩产直接拉动其前驱体等材料需求。

A股存储龙头，NOR Flash全球市占率第二，布局利基DRAM；国盛证券2026-05-07研报称其各品类存储全面涨价、预计2026年营收189亿元(+105%)；存储芯片收入占71.3%，与三星/SK海力士共享DRAM涨价周期，属同赛道直接受益方。

存储模组+先进封测一体化厂商，2025年报称HBM3E需求旺盛、HBM正从3E快速演进至HBM4，AI数据中心扩张带动存储需求上行；嵌入式存储占收入60.9%，NAND/DRAM晶圆涨价直接抬升产品售价，获大基金二期投资。

全球领先的半导体存储品牌企业，主营Flash及DRAM存储器研发销售，2025年报收入结构：嵌入式存储44%、固态硬盘24.5%、移动存储21.5%；存储原厂涨价直接增厚模组环节利润，与三星/SK海力士本轮涨价周期同向受益。

国内少数同时提供NAND/NOR/DRAM完整方案的存储设计公司，NAND系列占收入65.2%；原厂（三星/SK海力士/美光）产能向HBM及高端产品倾斜致利基存储供给收缩，公司产品价格与需求双重受益于本轮存储涨价。

球形硅微粉国内龙头（球形硅微粉占收入58.4%、利润74.8%），MUF封装用电子级超细高纯球形二氧化硅入选江苏省重点推广目录（2024），用于HBM/先进封装底部填充；SK海力士HBM产能扩张直接拉动高端封装填料需求，属国家制造业单项冠军企业。

2025年报明确其Pleione 300/Propus 300键合设备应用于高带宽存储器（HBM）及芯片三维集成领域，实现芯片拾取与混合键合；SK海力士推进16层HBM4及先进封装扩产，带动HBM混合键合设备需求释放。

闪存盘发明者、A股存储第一股，闪存应用产品占收入70.9%；2025年报披露Q4原厂大范围涨价、存储合约价涨幅普遍超30%甚至个别70%，DRAM市场规模环比增49.86%，公司直接承接原厂涨价传导，量价齐升。

国内极少数实现12英寸CMP装备规模化量产的企业，CMP设备收入占87.2%；2025年报称减薄装备与CMP覆盖HBM、3D IC、TSV、CoWoS等关键工艺，HBM扩产直接拉动其CMP与减薄设备采购，并受益国产替代。

半导体存储器件测试设备收入占55.6%，2025年报指出全球存储厂商优先扩产HBM及高端服务器存储、直接利好具备高端测试能力的设备厂商，HBM/算力芯片对测试速率提出更高要求；与三星/SK海力士扩产同向受益。

先进封装电镀液市占率约30%（2025年报），产品覆盖HBM、3D堆叠芯片等高端封装核心工艺；年报披露SK海力士已展出全球首款16层HBM4样品，堆叠层数翻倍使电镀/光刻工艺次数近似翻倍，直接受益HBM放量。