韩国7月信息通信技术出口额创下历年同月新高

公司简介载明拥有SK海力士、联发科等一线品牌代理资格，电子元器件分销收入占94.2%；韩国7月ICT出口533.6亿美元、同比+140.6%印证存储超级周期，其代理的HBM/DRAM/NAND量价齐升。自主品牌海普存储企业级SSD/DRAM已量产，国盛证券2026-01-26研报预计2025年海普存储收入17亿元、首次年度规模盈利。

控股子公司海太半导体2025年7月与SK海力士正式签署《第四期后工序服务合同》，以「全部成本+约定收益」模式持续提供存储后工序服务，是A股与韩国存储龙头绑定最直接的标的；SK海力士2026年资本开支增至30万亿韩元以上扩产（神工股份年报引述），直接拉动公司半导体封测业务（收入占比15.3%）量增。

研发封测一体化存储厂商，2025年集成电路收入占97.5%，嵌入式存储+PC存储占收入93.6%；年报明确HBM3E等高端内存需求旺盛、HBM正演进至HBM4。韩国ICT出口创历史新高印证全球存储超级周期延续，公司存储产品直接受益于DRAM/NAND全面涨价。

国产存储龙头，2025年存储芯片收入占71.3%，NOR Flash全球市占率第二；国盛证券2026-05-07研报指出利基DRAM全面涨价、26Q1 DRAM环比翻倍以上增长，预计2026年归母净利77亿元（同比+367%）。韩厂产能向HBM/DDR5倾斜形成的供给缺口使公司利基存储量价齐升。

内存接口芯片收入占94.2%，为全球DDR5 RCD/高带宽内存接口龙头；年报披露三星、SK海力士CXL内存产品均采用其全球首发的MXC芯片。DRAM涨价叠加AI服务器内存模组量价齐升，直接拉动配套接口芯片需求，是存储景气最纯正的「卖水人」。

半导体前驱体（high-k/硅基/金属材料）广泛用于3D NAND、DRAM及HBM先进制程，半导体业务收入占31.4%、电子材料合计占59%；SK海力士为其核心客户，HBM4升级与韩厂扩产直接拉动前驱体用量，且具备中韩双研发中心承接先进制程材料国产化。

国泰海通持续督导报告披露：硅零部件产品已进入SK海力士（大连）等主流存储芯片制造厂及北方华创、中微供应链，硅零部件收入占54.1%；SK海力士2026年资本开支增至30万亿韩元以上（公司年报引述），直接拉动刻蚀用大直径硅材料与硅部件需求。

全球半导体存储品牌厂商，嵌入式存储占收入44%、SSD占24.5%；年报披露Q4北美云厂商需求大增带动存储合约价涨幅普遍超30%、个别达70%，DRAM市场规模环比+49.86%；韩国ICT出口数据再次确认存储景气，公司存储产品量价直接受益。

存储模组厂商，SSD占收入42.5%、嵌入式占34%，并募投SSD/DRAM扩产项目；公司成本中NAND/DRAM晶圆占比较高，三星、海力士等原厂涨价周期下，模组产品价格同步上行并带来库存收益弹性，直接受益于本轮存储超级周期。

公司简介载明已进入SK海力士、三星、美光、台积电等全球领先半导体企业供应链体系，覆盖国内8寸以上IC制造厂超90%；高纯氟碳类、光刻混合气体等为3D NAND/DRAM/HBM核心耗材，韩厂扩产与国内长鑫/长存扩产双轮拉动特气需求。

存储半导体业务收入占26%，子公司沛顿科技为国内稀缺的DRAM/内存模组封测厂商（年报口径）；全球存储涨价+国内存储原厂扩产带动封测代工量价齐升，央企背景（国务院国资委）具备国产存储链配套与扩产承接能力。

NAND占收入65.2%、DRAM占5.8%，是国内少数同时提供NAND/NOR/DRAM完整方案的厂商；年报指出三星、SK海力士、美光产能向DDR5/HBM倾斜造成利基DRAM供给缺口，国际大厂涨价外溢使公司利基存储产品量价齐升、份额扩张。

电子湿化学品/特气/前驱体供应商，年报披露通过代理+直销模式向SK海力士供货（SK海力士无锡实现氯气直销），集成电路收入占71.2%；HBM与DRAM扩产带动电子级氢氟酸、硫酸及前驱体HCDS等需求增长，韩厂供应链渗透提升。

电子级磷酸/硫酸湿电子化学品龙头，集成电路收入占84.6%；限售股公告列示SK海力士（无锡）投资有限公司为公司IPO战略股东，深度绑定韩国存储大厂；韩厂与国内存储晶圆厂扩产共同拉动湿电子化学品刚需用量。

薄膜沉积设备（PECVD/ALD/SACVD）是实现3D NAND、DRAM/HBM技术突破的核心装备，收入占96.6%；年报引SEMI预计2026-2028年全球300mm设备支出累计4390亿美元，存储扩产与HBM工艺升级直接拉动设备订单，招商证券2026-06-03研报上修2026年营收至88.77亿元。