SK海力士考虑合资建存储芯片工厂 降低资本支出和产能过剩风险

控股子公司海太半导体为太极实业与SK海力士合资的DRAM后工序服务公司。2025-07-09公告披露已与SK海力士正式签署《第四期后工序服务合同》，以全部成本+约定收益模式持续提供半导体后工序服务，且为关联交易（SK海力士为关联方）。SK海力士合资建厂扩产直接利好其后工序封测订单，半导体业务利润占比26%。

2025年报明确披露公司第一大供应商为SK海力士，采购产品为数据存储器，SK海力士是核心子公司联合创泰的核心供应商；公司拥有SK海力士一线品牌代理资格，电子元器件分销收入占比94.2%。SK海力士出货增长与涨价直接增厚其分销收入与库存收益。

2025年报披露代理模式销售客户主要包括SK海力士、台湾UMC等，且SK海力士（无锡）已实现高纯氯气直销模式，是SK海力士的电子特气/湿化学品直接供应商（集成电路业务收入占比71.2%）。SK海力士新工厂投产将直接带来其电子材料采购增量。

2026-03-31年报披露公司全球首发MXC芯片，三星电子及SK海力士推出的最新CXL内存产品均采用其MXC芯片；内存接口芯片收入占比94.2%。SK海力士存储供应紧张、DDR5/HBM出货放量直接拉动其内存接口芯片及配套模组需求。

2026-01-10限售股上市公告披露前十大股东含SK海力士（无锡）投资有限公司（持股约2.08%）；公司主营电子级磷酸/硫酸等湿电子化学品，集成电路业务收入占比84.6%。与SK海力士存在股权加供应双重关联，扩产直接带动其湿化学品需求。

研发封测一体化的存储模组厂商，嵌入式存储收入占60.9%；年报引Gartner数据称2025年HBM市场规模307.5亿美元同比增超100%，并援引TrendForce显示SK海力士DRAM份额33.2%居首。SK海力士预警供应紧张延续至2027年，直接支撑其存储产品量价。

SPI NOR Flash全球市占率第二、利基型DRAM核心供应商，存储芯片收入占比71.3%。年报指出AI需求带动存储芯片需求升温价格上涨。SK海力士等原厂产能转向DDR5/HBM使利基DRAM供给缺口扩大，公司是国产利基存储主要承接方。

国内少数同时提供NAND/NOR/DRAM完整方案的存储设计公司，NAND收入占65.2%。2025年报明确指认三星、SK海力士、美光将产能向DDR5/LPDDR5X/HBM倾斜形成利基DRAM供给缺口，为公司创造战略发展机遇，直接受益本轮存储上行。

存储模组龙头（嵌入式存储44%、SSD 24.5%），自研SLC NAND存储芯片。年报披露2025年Q4存储合约价涨幅普遍超30%、个别高达70%，DRAM市场规模环比增49.86%。SK海力士预警2027年供应紧张延续，支撑其模组业务量价齐升。

环氧塑封料龙头（占收入93.5%）；2025年报披露韩国子公司具备开发HBM所需高导热EMC技术能力，衡所GR910系列已在NAND Flash批量供货，GMC有望切入全球AI算力芯片供应链。SK海力士HBM扩产拉动先进封装材料需求。

半导体前驱体（high-k、硅基、金属材料）广泛运用于3D NAND、DRAM等存储芯片先进制程，半导体业务收入占比31.4%；2025年报披露已构建中国和韩国双研发部门开发先进封装用前驱体。存储原厂扩产周期直接带动其前驱体材料需求。

2025年报披露存储半导体业务主要从事DRAM、NAND FLASH及嵌入式存储芯片的封装测试（覆盖DDR5/LPDDR5等），是国内存储封测主力。全球存储供给紧张、SK海力士等原厂扩产预期下，存储封测产能利用率和订单量直接受益。

球形硅微粉收入占58.4%，产品应用于芯片封装EMC、GMC、底部填充材料；2025年报明确聚焦HBM、Chiplet等先进封装领域，深化纳米级球形二氧化硅研发。SK海力士HBM/存储扩产直接拉动其封装粉体材料需求。

2025年报披露核心技术在HBM全制程检测、晶圆边缘全维度检测等方向已实现商业化落地与头部客户导入，主营晶圆缺陷检测设备。SK海力士HBM产能扩张带来晶圆检测设备需求，公司是其检测设备国产供应环节。

薄膜沉积设备（PECVD/ALD/SACVD）是3D NAND、3D DRAM、HBM等先进存储芯片制造的核心支撑设备；2025年报指出HBM将引入混合键合技术带来新设备需求。存储原厂扩产周期带动国产薄膜沉积设备订单增长。