三星电子上半年研发投入创纪录达190亿美元 同比增长51.5%

国内半导体前驱体材料龙头，2025年前驱体收入21.11亿元（同比+8.01%、毛利率44.79%），产品覆盖high-k/硅基/金属材料，广泛用于3D NAND、DRAM及HBM先进制程，通过收购韩国UP Chemical构建中韩双研发体系、深度服务全球存储原厂（中银证券2026-05-08研报）。三星上半年设备投资28万亿韩元创半年度纪录，存储原厂扩产直接拉动前驱体耗材需求。

三星5G射频前端芯片直接供应商，华泰证券2026-05-02研报指出5G MMMB、L-PAMiF产品在三星出货稳步提升、料号持续导入；2025年5G产品收入4.76亿元（同比+45.92%）、收入占比58.93%。三星电子研发投入27.3万亿韩元（+51.5%）创纪录，AI手机/折叠屏方向投入加大，公司作为其射频模组供应商订单有望持续放量。

全球半导体溅射靶材龙头（2024年出货量全球第一），为台积电、中芯国际、SK海力士等核心供应商，先端存储芯片用高纯300mm硅靶已稳定批量供货（方正证券2026-04-28、申万宏源2026-05-05研报）。三星设备投资创纪录印证全球存储/先进制程扩产周期，靶材作为晶圆制造关键耗材直接受益于原厂资本开支上行。

2025年首次以Cell+Pack形式向三星供应高端手表电池，并为三星量产交付耳机扣电（华泰证券2026-03-31研报）；公司消费类聚合物锂电收入占比80.5%。三星研发投入+51.5%创纪录（含智能穿戴/AI终端方向），公司作为其电池直接供应商有望随三星新品放量获得新增订单。

国产存储测试机龙头（测试机收入占比60.5%），HBM 3D堆叠使CP测试道数由3-4道升至15道以上、测试需求成倍增长；SK海力士26Q1净利同比+406%创纪录，全球存储原厂资本开支上行（东吴证券2026-06-23研报）。三星研发/设备投资创新高进一步确认存储扩产周期，公司存储测试机需求进入放量期。

国内薄膜沉积设备龙头（PECVD/ALD/SACVD），是3D NAND、DRAM/HBM扩产的核心设备环节，晶圆对晶圆混合键合设备已获重复订单并量产、面向HBM/Chiplet三维集成（招商证券2026-06-03研报）。三星设备投资28万亿韩元创纪录，印证全球存储与先进制程扩产大周期，利好薄膜沉积设备需求。

刻蚀设备龙头，200层以上3D NAND已大规模量产、层数持续提升显著加大高端刻蚀设备需求，公司CCP/ICP刻蚀设备在国内主流产线份额持续提升（首创证券2026-04-28研报）。三星上半年设备投资28万亿韩元刷新半年度纪录，全球存储/逻辑扩产景气确认，刻蚀设备作为前道关键环节受益。

国内电子大宗气体龙头（电子大宗气体收入占比71.4%），华西证券2026-04-06研报明确指出三星、美光、SK海力士2026年资本开支计划均同比大幅提升，测算十五五大陆存储+逻辑扩产带来电子大宗气体新增市场97.5亿元；公司已累计服务10座12英寸晶圆厂。三星加码设备投资印证存储扩产景气，公司深度受益。

2025年年报披露主要客户包括SAMSUNG，主营笔记本电脑键盘（收入占比66.3%）、触控板及FPC柔性线路板，属三星笔电/消费电子零部件供应商。三星电子研发投入创纪录并向AI终端延伸，公司作为其输入设备及FPC供应商存在订单传导可能，属远端受益标的。

2025年年报披露客户涵盖Samsung、Meta等全球科技企业，主营音频功放、电源管理、射频前端等IC设计（高端模数混合类芯片收入占比52.8%）；公司产品用于AI眼镜、手机等终端。三星研发投入创新高并加速AI眼镜等新品布局，公司作为其IC供应商有望受益新品放量，属远端传导标的。