长鑫存储将是本土最受益AI科技革命超级成长资产，预计27年4000亿利润

长鑫存储最直接绑定方：2026年与长鑫科技关联交易采购额达57.11亿元、远超上年（招商证券2026-05-06研报），利基DRAM由长鑫代工；2025年报存储芯片收入占比71.3%，深度受益长鑫HBM/DRAM激进扩产与国产AI存储放量。

2025年报明确'解决了…合肥长鑫等众多知名半导体客户多种气体材料进口制约'，对国内8寸以上晶圆厂客户覆盖率超90%；2026年报披露为HBM核心TSV刻蚀提供高端特气，长鑫HBM量产直接拉动其特气需求。

薄膜沉积设备龙头，2025年报披露混合键合设备Propus/Pleione 300应用于HBM三维集成；招商证券2026-06-03研报指长鑫DDR5/LPDDR5扩产及合肥一期二期、北京产线达产带动薄膜沉积设备需求，为长鑫扩产核心设备供应商。

2025年定增公告明确'上游以长江存储、长鑫存储为代表的国产存储晶圆实现技术突破与产能提升，为国产高端存储器研发奠定供应链基础'，募投重点投向AI服务器/端侧高端存储器，是长鑫DRAM晶圆下游模组客户。

2025年报披露已与主要NAND及DRAM晶圆原厂签订长期协议（含合肥长鑫），并指出长鑫存储DRAM市占率5.8%、本土原厂渗透率迎历史机遇；自建晶圆级先进封装（芯成汉奇）切入AI/HBM存储，模组+封测一体化受益。

半导体存储器件测试业务收入占比55.6%（2025年报），在合肥、深圳设研发制造基地贴近长鑫；年报指HBM 3D堆叠使测试道数由3-4道增至15道以上、存储测试设备需求成倍增长，是国产存储/HBM测试设备核心标的。

2025年报：半导体前驱体（high-k/硅基/金属材料）广泛运用于DRAM、3D NAND等存储芯片先进制程及AI先进封装，半导体业务收入占比31.4%；国内稀缺的存储/HBM前驱体供应商，长鑫DRAM/HBM扩产直接拉动前驱体采购。

东吴证券2026-06-23研报：长鑫存储已启动HBM扩产、拟IPO募资295亿元投向DRAM（含HBM），国产HBM量产带动存储测试设备需求进入放量期；公司测试机收入占比60.5%，存储测试机为第二成长曲线。

CMP装备龙头，2025年报披露减薄/CMP装备覆盖HBM、TSV、3D IC、CoWoS等关键工艺，是国内少数实现12英寸CMP规模化量产企业；长鑫DRAM/HBM扩产直接拉动CMP与减薄设备采购。

子公司合肥沛顿存储2026年5月公告扩产高端存储芯片封测（投资8.30亿元，达产后月新增封装产能2880万颗晶粒，国投证券2026-06-12研报），存储半导体业务收入占比26%（2025年报）；合肥基地与长鑫同城，配套国产DRAM/HBM封测。

2026年44亿元定增中8.88亿元投向存储芯片封测产能提升项目（年新增84.96万片），定增问询回复披露以TSV/硅中介层实现HBM与GPU高密度集成；公司在合肥设封测基地，受益国产存储/HBM封测需求放量。

电镀液在封装领域市占率约30%（2025年报），产品覆盖HBM、3D堆叠芯片的TSV/RDL/Bumping核心工艺；HBM从8层向16层演进使堆叠光刻/电镀工序近翻倍，电镀及光刻试剂需求呈超线性增长。

球形硅微粉收入占比58.4%（2025年报），产品用于芯片封装EMC/GMC/底部填充等，年报指AI先进封装使功能性粉体材料价值量快速提升；概念板块含高带宽存储器HBM，为HBM封装粉体材料供应商。

环氧塑封料收入占比93.5%（2025年报），'一代封装、一代材料'，GMC/EMC等塑封料匹配HBM及先进封装迭代需求；概念板块含高带宽存储器HBM，受益长鑫HBM量产带来的封装材料国产化。

等离子体刻蚀/深硅刻蚀设备龙头，TSV硅通孔刻蚀为HBM制造核心工序；概念板块含高带宽存储器HBM，长鑫DRAM/HBM扩产直接拉动刻蚀设备采购，大陆营收占比97.4%。

间接参股远见智存（穿透持股7.1671%），聚焦HBM DRAM堆叠及核心IP，HBM2e已流片量产、HBM3/3e完成设计推进流片（2025年报）；属资金收益型关联，弹性来自HBM国产化主题而非长鑫直接供货。