中国两大存储龙头站上全球舞台，长江存储Q2出货容量全球第三，苹果接触长鑫存储

与长鑫存储存在直接关联交易：2026年度向长鑫集团（含长鑫存储技术、长鑫科技合肥）采购代工生产DRAM产品额度8.25亿美元（约57.11亿元），且董事长朱一明任长鑫科技董事长，长鑫为关联法人。存储芯片收入占比71.3%，利基型DRAM量价齐升，直接受益于长鑫DRAM全球份额提升与苹果接触长鑫的国产替代逻辑。

存储模组+先进封测一体化厂商，年报明确采购长江存储、长鑫存储等本土存储晶圆原厂晶圆，深度受益于国产存储原厂产能扩张。2026Q1营收同比+341.53%，AI新兴端侧存储收入11.75亿元同比+496.45%，为全球唯一具备晶圆级封测技术的独立存储解决方案供应商，直接承接长存长鑫放量红利。

全球领先半导体存储品牌，主营Flash及DRAM存储器（嵌入式存储44%、固态硬盘24.5%），年报明确以长江存储、长鑫存储为代表的国内存储晶圆原厂实现技术突破，公司为其下游模组客户。2025年净利预增150.66%，直接受益于国产存储原厂份额提升带来的供应与景气红利。

国内存储主控芯片第一家上市公司，主营闪存主控+存储模组（固态硬盘42.5%、嵌入式存储34%），年报明确以长江存储、长鑫存储为代表的本土存储晶圆原厂缩小与国外差距，公司为其下游方案商。受益于国产NAND/DRAM原厂扩产带来的晶圆供应与国产化率提升。

国内存储封测龙头，存储半导体业务收入占比26%，主营DRAM、NAND FLASH及嵌入式存储芯片封测（DDR5/LPDDR5等），为长鑫存储等国产存储原厂提供封测服务。长存长鑫扩产直接拉动存储封测需求，公司持续扩充优质产能强化先进封测全业务链能力。

半导体设备龙头，刻蚀、薄膜沉积等核心工艺装备广泛应用于集成电路与存储制造。公司董事兼任长鑫新桥存储技术、长鑫集电（北京）存储技术董事，深度绑定长鑫存储扩产。长存长鑫产能扩张直接带来设备采购需求，电子工艺装备收入占比93.3%。

等离子体刻蚀设备龙头，2026Q1披露第二代ICP刻蚀设备在3D DRAM应用中取得140:1高深宽比刻蚀结果，完全自主开发的超高深宽比刻蚀机已有300多台反应器大规模量产，全面覆盖存储器刻蚀应用。长鑫存储3D DRAM扩产直接拉动其刻蚀设备需求。

半导体薄膜沉积设备龙头（PECVD/ALD/SACVD），年报明确薄膜沉积设备是3D NAND、3D DRAM、HBM等先进存储芯片技术突破的核心支撑，广泛应用于国内存储芯片制造。长存长鑫扩产直接带动其薄膜沉积设备需求，半导体专用设备收入占比96.6%。

半导体前驱体材料龙头，年报披露前驱体广泛运用于3D NAND、NOR FLASH等存储芯片及DRAM内存芯片先进制程，并布局前驱体金属原材料国产化。长存长鑫存储扩产直接拉动其前驱体材料需求，半导体业务收入占比31.4%。

内存接口芯片全球龙头，DDR5内存接口芯片收入占比94.2%。但主要下游客户为三星、海力士、美光（合计占DRAM约90%），长鑫DRAM份额仅5.8%（TrendForce 2025Q3），受益于长鑫扩产的传导路径相对间接，属存储景气与国产替代泛概念受益。