韩国否认正在讨论将芯片作为首个对美投资项目的报道

国内半导体存储器龙头，主营嵌入式存储/存储模组/先进封测。2025年报直接指出全球DRAM市场SK海力士、三星、美光份额分别33.2%/32.6%/25.7%，海外原厂优先保障北美CSP，本土长鑫/长存迎来国产替代历史机遇；公司HBM概念、嵌入式存储收入占60.9%，直接受益于韩国存储巨头对美投资所凸显的国产存储替代逻辑。

国内利基存储设计龙头，存储芯片收入占比71.3%，产品覆盖NOR Flash、SLC NAND及利基DRAM(DDR3L/DDR4/LPDDR4)。国盛证券2026-05-07研报指出利基DRAM 26Q1环比翻倍增长、涨价趋势延续。在全球存储被三星/SK海力士垄断背景下，公司是国产存储替代核心标的。

中国大陆少数能同时提供NAND Flash、NOR Flash、DRAM完整存储解决方案的公司，NAND收入占65.2%。2025年报明确布局利基型DRAM(标准型+低功耗型)。在韩国存储巨头主导全球市场、国产化率仅5%的背景下，是存储芯片国产替代的直接受益标的。

全球领先半导体存储品牌企业，主营Flash及DRAM存储器，嵌入式存储收入占44%、固态硬盘24.5%。自研SLC NAND存储芯片，与晶圆原厂错位竞争。在三星/SK海力士等海外原厂优先保障北美客户、国产存储渗透率提升的背景下，直接受益于存储国产替代。

国内存储主控芯片第一家上市公司，主营闪存主控芯片及存储模组(固态硬盘42.5%、嵌入式34%)。2025年增发预案指出全球NAND/DRAM晶圆被三星、海力士、美光等寡头垄断，国产DRAM份额不足5%、NAND不足10%，公司受益于长鑫/长存加速国产化带来的国产模组厂商契机。

国内半导体薄膜沉积设备龙头(PECVD/ALD/SACVD)，2025年报指出其设备是3D NAND、3D DRAM、HBM等先进存储芯片技术突破的核心支撑，混合键合设备受益于HBM高堆叠需求。在国产存储晶圆厂(长鑫/长存)扩产及国产替代背景下，是存储设备核心供应商。

全球NOR Flash和EEPROM主要供应商之一，产品应用于三星、OPPO、vivo等(公司档案明确)。2025年报布局NAND(8-16Gb)与DRAM(LPDDR4x)的MCP一体化方案。作为国产非易失性存储芯片设计商，受益于存储国产替代与海外巨头供应集中背景。

主营NOR Flash存储芯片(存储收入占86.3%)，2025年积极布局易失性DRAM内存产品，DDR4已量产。作为国产存储芯片设计企业，在三星/SK海力士主导全球DRAM、国产化率偏低的背景下，直接受益于存储国产替代逻辑。

刻蚀用大直径硅材料及硅零部件龙头，硅零部件主要应用于存储芯片制造厂等离子刻蚀工艺，已进入主流存储厂供应链。招商证券2026-06-15研报指出DRAM/HBM与3D NAND扩产提升刻蚀价值量，硅零部件国产替代空间打开，2025年销量同比+39.52%。

国内电子大宗气体龙头，是长鑫存储重要供应商，已签合肥、北京长鑫两个项目共13.9万Nm3/h(国金证券2026-06-21研报)。在全球存储被韩美日垄断、长鑫/长存大规模扩产背景下，直接受益于国产存储芯片扩产带来的电子气体需求。