财联社8月19日电，标普将韩国SK海力士评级调高至“A-”，因人工智能(AI)带动业务强劲；评级展望为正向。

2025年年报明确披露"公司第一大供应商为SK海力士，采购产品为数据存储器"，核心子公司联合创泰持有SK海力士一线品牌代理资格，电子元器件分销收入占比94.2%。SK海力士因AI业务获标普上调评级至A-，其存储出货与涨价直接增厚公司分销收入与利润，属最直接受益标的。

控股子公司海太半导体(无锡)与SK海力士于2025年7月正式签署《第四期后工序服务合同》，以"全部成本+约定收益"模式向SK海力士提供DRAM后工序服务（关联交易公告2025-035/临2025-035）。SK海力士AI驱动扩产（2026年资本开支30万亿韩元投M15X晶圆厂）直接拉动后工序服务量，半导体业务贡献公司利润26%。

2025年年报披露通过代理模式向SK海力士销售电子化学品，并已对SK海力士(无锡)实现氯气直销（代理+直销双模式），集成电路客户收入占71.2%。SK海力士AI扩产与先进制程爬坡直接提升其对电子湿化学品/特气的采购需求，评级上调强化其扩产确定性。

定增募投"年产12,300个超高纯金属溅射靶材"韩国基地项目，公告明确"实现对SK海力士、三星等重要客户覆盖"，超高纯靶材收入占61.9%。SK海力士HBM/DRAM扩产增加溅射靶材消耗，公司作为海力士靶材供应商直接受益于其资本开支扩张。

2025年年报披露其全球首发的CXL MXC芯片被三星电子及SK海力士用于最新CXL内存产品，内存接口芯片收入占比94.2%。SK海力士AI驱动DDR5与CXL内存放量，公司作为内存接口芯片配套龙头，受益于海力士产品迭代与出货增长。

半导体前驱体材料（high-k/硅基/金属）广泛用于3D NAND、DRAM等存储芯片先进制程，并明确开发"AI先进封装复杂芯片组所需前驱体材料"，电子材料收入占比59%、概念含高带宽存储器HBM。SK海力士HBM产能扩张直接拉动薄膜沉积用前驱体需求。

研发封测一体化存储模组厂商，嵌入式存储收入占60.9%，概念含高带宽存储器HBM。2025年报引TrendForce数据指出SK海力士DRAM市占率33.2%居全球第一；存储原厂涨价周期（合约价涨幅普遍超30%）下，公司作为模组环节直接受益量价齐升。

球形硅微粉收入占58.4%，产品用于半导体封装材料及覆铜板，概念含高带宽存储器HBM；HBM先进封装(EMC/GMC)依赖球形硅微粉/球形氧化铝填料。SK海力士HBM4扩产带动先进封装填料需求增长，公司作为国内龙头供应商受益。

环氧塑封料收入占93.5%，为国内HBM先进封装用环氧塑封料国产供应商，概念含高带宽存储器HBM。SK海力士HBM堆叠封装（TSV+模塑）扩产直接拉动环氧塑封料用量，公司受益于HBM封装材料国产化替代进程。

国内存储模组龙头，嵌入式存储占44%、固态硬盘24.5%、内存条9.7%。SK海力士等原厂AI驱动涨价周期（2025Q4合约价涨幅超30%）直接提升模组厂收入与毛利率，公司存储业务收入占比100%，弹性显著。

存储半导体业务收入占26%，旗下沛顿科技从事DRAM/NAND存储芯片封装测试，深圳+合肥双基地运营，产品覆盖DDR4/DDR5/LPDDR5等。SK海力士AI景气带动全球存储量价齐升，存储封测需求随之增长，公司作为央企背景封测平台受益。

SK海力士(无锡)投资有限公司为公司股东（限售股上市流通公告股东名单披露），公司主营电子级磷酸/硫酸等湿电子化学品，集成电路客户收入占84.6%。SK海力士无锡工厂扩产与评级上调强化其湿电子化学品采购需求及战略绑定关系。

存储主控芯片+存储模组厂商，固态硬盘收入占42.5%、嵌入式34%。2025年增发说明书披露三星、SK海力士、美光产能转向DDR5/HBM，为国产厂商打开通用存储承接空间；存储涨价周期下公司量价齐升。

存储芯片收入占71.3%，SPI NOR全球市占率第二并布局利基DRAM。SK海力士等原厂将产能向HBM/DDR5倾斜导致利基型DRAM供给缺口扩大，公司作为国产利基存储龙头受益于结构性国产替代与涨价传导。

2025年年报明确"三星、SK海力士、美光产能持续向DDR5/LPDDR5X及HBM倾斜，在利基型DRAM市场形成显著供给缺口，为公司创造战略发展机遇"；NAND收入占65.2%。公司作为少数同时提供NAND/NOR/DRAM方案的国产厂商，受益于海力士评级上调背后的存储景气外溢。

重组标的子公司香港宝通与SK海力士子公司Solidigm签署《授权经销商政策和程序》并持续获得返点，分销其企业级SSD产品（审核问询函专项说明披露）。但公司主业为软件外包（收入占66.2%），存储分销占比小，关联强度弱于前述标的。