韩国KOSPI指数高开3.2% SK海力士涨7.7％
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控股子公司海太半导体以"全部成本+约定收益"模式为SK海力士提供半导体后工序封测服务，2025-07-09公告四期合同已正式签署生效；半导体业务占收入15.3%。SK海力士拟回购286亿美元并扩产，直接提升其封测订单与产能利用率。
电子元器件分销占收入94.2%，旗下联合创泰拥有SK海力士授权代理资格（2025年报原文），代理产品覆盖AI服务器等；华鑫证券2026-03-22研报称自主品牌"海普存储"2025年首次年度盈利、预计收入17亿元。直接受益海力士存储涨价与AI需求。
国泰海通2026-03-28持续督导报告明确公司硅零部件已进入SK海力士（大连）等主流存储芯片制造厂，硅零部件占收入54.1%；2026Q1季报称存储芯片供不应求带动开工率上升、业务进入景气区间，直接对接海力士扩产资本开支。
存储研发封测一体化，嵌入式存储占收入60.9%；2025年报明确HBM3E需求旺盛、HBM4开始导入，子公司泰来科技掌握16/32层叠Die、30-40μm超薄Die先进封装量产能力。存储涨价+AI服务器扩容直接增厚其存储模组与封测业务。
存储芯片占收入71.3%，SPI NOR全球市占率第二并布局利基型DRAM；2025年报称"GPU、存储芯片需求升温、价格上涨成为集成电路行业增长主要驱动力"。海力士/三星产能转向HBM造成利基存储供给缺口，公司直接受益涨价。
2025年报披露SK海力士（无锡）为其客户，实现氯气代理+直销双模式，集成电路客户收入占71.2%；主营电子湿化学品/电子特气/前驱体是存储晶圆制造必备材料，直接受益海力士2026年30万亿韩元以上资本开支扩张。
内存接口芯片占收入94.2%；2025年报披露三星电子与SK海力士推出的CXL内存产品均采用公司全球首发MXC芯片。HBM/DDR5景气上行带动内存接口与CXL配套需求，与SK海力士存在直接产品合作关系。
存储业务占收入100%，覆盖嵌入式存储(44%)、SSD(24.5%)、内存条等全产品线；据其2025年报，AI服务器DRAM/NAND需求为普通服务器数倍，存储量价齐升直接增厚模组厂毛利率，公司为国产存储模组龙头。
存储业务占收入100%，固态硬盘42.5%、嵌入式存储34%，自研闪存主控芯片；2026-02增发说明书援引美光预测AI服务器DRAM需求为普通服务器8-10倍、NAND为3-5倍，NAND/DRAM涨价周期直接放大其模组收入弹性。
半导体薄膜沉积设备占收入96.6%；2025年报明确薄膜沉积是实现3D NAND、3D DRAM、HBM技术突破的核心支撑，混合键合设备将受益HBM更高堆叠层数需求，直接受益三星/海力士AI存储扩产带来的国产设备订单。
大陆少数同时提供NAND/NOR/DRAM完整方案的存储设计公司，NAND占收入65.2%；2025年报明确三大国际原厂产能持续向DDR5/LPDDR5X/HBM倾斜、利基型DRAM形成显著供给缺口，为大陆存储厂商创造战略机遇。
环氧塑封料占收入93.5%；2025年报称Chiplet、HBM等先进封装技术对封装材料性能要求不断提升、先进封装材料成为主流。HBM扩产直接拉动高端环氧塑封料需求，公司为国产先进封装材料核心供应商。
测试机占收入60.5%，国产测试机龙头；东吴证券2026-06-23研报指出HBM 3D堆叠使CP测试道数由3-4道提升至15道以上、存储测试设备需求进入放量期，且长鑫存储HBM扩产带动国产存储测试设备需求，公司SOC&存储双轮驱动。
SK海力士（无锡）投资有限公司为公司股东（2026-01限售解禁公告显示持股约2.08%）；主营电子级磷酸/硫酸等湿电子化学品，集成电路收入占84.6%，直接配套存储厂湿法刻蚀清洗环节，受益SK海力士无锡厂扩产。
干法去胶/快速热处理/干法刻蚀设备供应商，客户覆盖全球前十大芯片制造厂商；2025年报指出HBM通过TSV技术垂直堆叠对深硅刻蚀设备需求持续增长、3D NAND层数增加带动去胶工序大增，直接受益存储厂扩产资本开支。