韩国KOSPI指数涨幅扩大至4% SK海力士涨近9%

2025年报披露公司第一大供应商为SK海力士，向其采购数据存储器，SK海力士是子公司联合创泰核心供应商；电子元器件分销收入占比94.2%。SK海力士拟回购40万亿韩元（约286亿美元）且存储供应紧张涨价，直接增厚公司分销收入弹性。

控股子公司海太半导体2025年7月与SK海力士正式签署《第四期后工序服务合同》，以「全部成本+约定收益」模式向SK海力士提供半导体后工序服务；2025年报半导体业务收入占比15.3%、利润占比26%。SK海力士资本开支增至30万亿韩元以上扩产，直接带动海太封测订单。

全球内存接口芯片龙头，内存接口芯片收入占比94.2%；年报披露三星电子及SK海力士推出的CXL内存产品均采用公司MXC芯片。SK海力士/三星扩产DDR5与HBM，直接拉动公司DDR5内存接口芯片及配套芯片需求。

2025年报明确「为HBM核心TSV刻蚀提供高端特气，直接受益于HBM爆发」，并已进入SK海力士、三星等全球领先半导体企业供应链体系。SK海力士2026年资本开支增至30万亿韩元以上投向清州M15X等HBM产线，公司特气需求随之增长。

增发公告披露拟在韩国建设先进制程超高纯溅射靶材生产基地，「实现对SK海力士、三星等重要客户覆盖」；公司超高纯靶材收入占比61.9%。SK海力士/三星扩产HBM与先进制程，直接扩大其溅射靶材采购量。

2025年报披露代理模式形成销售的客户包括SK海力士，且SK海力士(无锡)实现氯气直销模式；公司主营电子湿化学品、电子特气与前驱体，集成电路收入占比71.2%。SK海力士无锡厂扩产直接带动其电子化学品供应规模。

半导体前驱体材料龙头，2025年报披露high-k等前驱体广泛用于3D NAND、DRAM内存及逻辑芯片先进制程，并设中韩双研发部门跟踪AI先进封装用前驱体需求；SK海力士/三星存储扩产与HBM爆发直接拉动上游前驱体材料采购。

集成电路刻蚀用单晶硅材料龙头，硅零部件收入占比54.1%，已进入国际先进半导体材料产业链。2025年报以SK海力士2026年资本开支超30万亿韩元、HBM推动TSV刻蚀工艺需求上升论证主业景气，直接受益于SK海力士扩产周期。

SK海力士(无锡)投资有限公司为公司IPO前股东（首发限售股上市流通公告披露）；公司主营电子级磷酸、电子级硫酸等湿电子化学品，集成电路收入占比84.6%。SK海力士无锡晶圆厂扩产提升其湿电子化学品采购需求。

存储芯片收入占比71.3%，NOR Flash全球市占率第二，并推进利基型DRAM募投项目；三星/SK海力士/美光产能转向HBM与DDR5形成利基型DRAM供给缺口，公司作为国内存储设计龙头直接受益于涨价周期与国产替代。

公司键合设备Propus 300、Pleione 300应用于HBM三维集成（混合键合前晶圆表面活化清洗、芯片顺序拾取精准键合）；HBM正从8层向12、16层演进，SK海力士扩产带动混合键合设备需求，公司为国产HBM核心设备标的。

2025年报明确「三星、SK海力士、美光持续将产能向DDR5、LPDDR5X及HBM倾斜，在利基型DRAM市场形成显著供给缺口，为中国大陆供应商创造战略发展机遇」；公司主营利基型NAND/NOR/DRAM，直接受益于原厂产能结构调整。

2025年报披露CMP装备与减薄装备适配3D IC、CoWoS、HBM等关键工艺，是国内极少数实现12英寸CMP装备规模化量产的企业；HBM产能扩张直接拉动CMP与晶圆减薄设备采购，公司充分受益于存储扩产资本开支。

主营嵌入式存储与存储模组，2025年报指出HBM3E等高端服务器内存需求旺盛、DRAM原厂（三星/SK海力士/美光）供应紧张推动价格上行；公司作为存储成品厂商，直接受益于存储涨价带来的收入与毛利弹性。

国内存储模组头部企业，主要原材料为NAND Flash与DRAM存储晶圆（集中于三星、SK海力士、美光等原厂）；SK海力士回购提振存储景气、原厂产能转向HBM致通用存储供应紧张涨价，公司产品定价与库存直接受益。