台积电1.6nm级A16工艺完成开发验证 目标Q4量产

2025年报及定增说明书确认公司为台积电核心供应商（超高纯溅射靶材），主要客户包括台积电、中芯国际、SK海力士等，超高纯靶材收入占比61.9%、16nm节点已批量供货。台积电A16目标Q4量产并批准294.425亿美元资本开支（先进工艺+封装），直接拉动先进制程溅射靶材需求。

2025年报披露已收购汉京半导体62.23%股权，其高纯石英制品及碳化硅陶瓷零部件"已进入东京电子、日立国际等设备厂商及台积电、华虹集团等晶圆厂供应链"。台积电294.425亿美元扩产（先进工艺与封装）直接利好其半导体设备核心零部件及高纯材料订单。

2025年报将"背面供电"列为与GAA并列的核心新技术方向，其PF-300T Bianca系列PECVD可在晶圆背面沉积SiN/SiO2介质薄膜（背面供电关键工序），并布局三维集成键合设备。A16采用超级电源轨(SPR)背面供电技术，公司是A股薄膜沉积设备最直接受益标的。

2025年报称CMP为先进封装(3D IC/HBM/CoWoS)关键工艺，贯穿键合表面制备、晶圆背减、TSV金属化全流程；公司为国产CMP龙头（占国产CMP销售90%以上），12英寸减薄机累计出货超20台。背面供电(SPR)需背面CMP与晶圆减薄工序，直接受益先进制程迭代。

2026行动方案披露Primo TSV 300E硅通孔刻蚀设备"越来越多地在先进封装和MEMS器件生产中应用"。A16背面供电(SPR)技术依赖TSV深孔刻蚀工序，公司为国产刻蚀设备龙头（2025年报收入97.4%来自中国大陆），受益先进制程与先进封装设备需求扩张。

2025年报披露单片背面清洗设备（伯努利卡盘）可用于背面金属污染清洗及背面刻蚀等核心工艺，正是背面供电(SPR)所需环节；公司电镀设备收入占比12.2%（覆盖TSV铜填充）。台积电A16量产验证背面供电路线，带动清洗/电镀设备国产化需求。

2025年报披露已构建覆盖TSV、RDL、Bumping核心工艺的先进封装材料矩阵，覆盖90%以上国内封装厂，电镀液及配套试剂收入占比48.6%。背面供电(SPR)依赖TSV铜填充电镀，A16量产及先进封装扩产带动高纯电镀液、TSV添加剂需求放量。

国内CMP抛光液龙头（2025年抛光液收入占比81.5%），年报提及"台积电持续扩大CoWoS产能并加速推进CoPoS技术研发"，先进封装电镀液及添加剂已批量量产。台积电A16+封装扩产验证CMP耗材景气，公司受益先进制程国产替代。

2025年报披露S300-D新平台专为先进制程设计，覆盖SPM、背面蚀刻(Backside Etch)、预清洗、斜边处理等关键工艺，WPH较上一代提升30%。背面供电(SPR)需背面蚀刻与清洗工序，公司湿法设备卡位该环节，受益先进制程配套扩产。

东吴证券2026-05-01研报：用于HBM等先进封装的3D AOI设备通过国内头部客户验证，2Xnm明场纳米图形晶圆缺陷检测设备研发进展顺利。A16级先进制程与背面供电新工序对量检测要求提升，公司为国内量检测龙头，受益扩产。

2025年报披露拥有2.5D/3D封装、XDFOI等先进封装平台，Yole数据显示2025年全球先进封装市场规模约531亿美元。台积电加码先进封装产能验证AI/HPC封装高景气，公司作为国内封测龙头与台积电先进封装同赛道受益。

国内封测龙头，深度绑定AMD并布局Chiplet/2.5D/3D先进封装，2025年报封装测试收入占比97.6%。台积电A16瞄准AI与高性能计算并加码封装产能，验证高性能计算芯片封装需求景气，公司同赛道受益。

2025年报披露全自动临时键合及解键合机针对Chiplet技术，可应用于InFO、CoWoS、HBM等2.5D/3D路线；后道涂胶显影设备覆盖BGA/Flip-Chip/WLCSP/2.5D/3D工艺。台积电先进封装扩产验证2.5D/3D设备需求，公司为国产涂胶显影+键合设备稀缺标的。

2025年报专门讨论台积电SoIC与CoWoS技术，称CoWoS、CoWoP、FOPLP等先进封装催生更多掩膜版需求；公司为国内先进封装掩膜版龙头（石英掩膜版收入占比91.6%）。台积电加码封装产能直接利好封装掩膜版市场扩容。