SK海力士美股盘前涨超5%
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公司2025年报明确"第一大供应商为SK海力士，采购产品为数据存储器"，控股子公司联合创泰拥有SK Hynix、联发科等一线品牌代理资格，2025年电子元器件分销收入占比94.2%。SK海力士巨额回购凸显存储盈利与景气，直接增厚其存储器分销业务量价预期；8月20日主力净流入4284万元。概念含HBM。
控股子公司海太半导体2025年7月与SK海力士完成《第四期后工序服务合同》签署并生效，以"全部成本+约定收益"模式为SK海力士提供半导体后工序服务（关联交易），系SK海力士在华封测核心合作方；公司2025年半导体业务收入占比15.3%、利润占比26%。
2025年报披露：通过代理模式形成销售的客户主要包括SK海力士、台湾UMC等，且SK海力士（无锡）实现氯气直销模式，代理+直销双通道供货；主营电子湿化学品/电子特气/前驱体，集成电路行业收入占比71.2%，概念含HBM。SK海力士盈利与扩产直接拉动其电子化学品需求。
2025年12月增发可行性报告：拟在韩国建设超高纯金属溅射靶材生产基地，"实现对SK海力士、三星等重要客户覆盖"，境外产能重点服务上述存储原厂；超高纯靶材收入占比61.9%。SK海力士高盈利支撑扩产（清州M15X等），直接带动其靶材订单。
2025年报：公司全球首发CXL MXC芯片，三星电子及SK海力士最新CXL内存产品均采用其MXC芯片；内存接口芯片收入占比94.2%。SK海力士HBM/DDR5放量直接扩大配套内存接口与模组芯片需求，属SK海力士存储产品生态核心配套供应商。
2025年报：韩国子公司具备开发HBM所要求的高导热EMC技术能力，"有望直接切入全球AI算力芯片供应链"；衡所华威GMC颗粒状环氧塑封料已在NAND Flash通过考核并实现批量供货。SK海力士HBM扩产（美国印第安纳州先进封装厂）提升高导热封装材料需求。
国内存储芯片设计龙头，2026年1月公告向全资子公司及孙公司增资，推进DRAM芯片研发及产业化募投项目。三大原厂（三星/SK海力士/美光）产能向DDR5/HBM倾斜，利基DRAM供给缺口为国产替代创造机遇；SK海力士盈利验证存储上行周期延续。
2025年报：研发封测一体化存储解决方案商，据弗若斯特沙利文为全球唯一具备晶圆级封测技术的独立存储方案供应商；NAND/DRAM晶圆采购自SK海力士等原厂，原厂涨价与盈利景气直接传导至其模组业务定价。SK海力士回购印证存储超级周期延续。
2025年报：半导体前驱体（high-k/硅基/金属材料）广泛运用于3D NAND、DRAM内存芯片等先进制程，构建中国+韩国双研发部门，子公司含韩国UP Chemical、韩国先科，贴近韩系存储原厂。SK海力士HBM/DRAM扩产直接带动存储前驱体材料需求。
2025年报引述CFM：2026年全球存储市场规模预计达2298亿美元、同比增长37.62%，服务器NAND/DRAM需求同比增逾50%/40%；公司为存储模组龙头，主控+固件+模组一体化，深度受益SK海力士等原厂涨价周期与AI服务器存储扩容。
2025年报明确：三星、SK海力士、美光三大原厂持续将产能转向DDR5、LPDDR5X及HBM，"在利基型DRAM市场形成显著供给缺口，为大陆及台湾供应商创造战略发展机遇"；公司主营NAND/NOR/利基DRAM，直接受益原厂产能结构性收缩带来的份额与价格红利。
2025年报引述：2025年四季度北美云服务商高容量存储需求大增，原厂大范围涨价，存储合约价涨幅普遍超30%、个别高达70%，当季DRAM市场规模环比大增49.86%；公司主营存储产品，直接受益SK海力士等原厂涨价与存储量价齐升周期。