存储巨头纷纷布局HBM替代技术路线，HBF、HBC、ZAM等新架构涌现

公司2025年报直接论述HBF路线："HBF基于NAND闪存堆叠，在相同物理空间内提供约为现有HBM 8~16倍容量"，并引用SK海力士H3(HBM+HBF)混合架构每瓦性能提升2.69倍；同时量产LPCAMM2(LPDDR5X)模组，嵌入式存储收入占60.9%，是HBF/LPDDR5X双路径直接受益的存储模组龙头。

公司SOCAMM产品采用LPDDR5X技术(128位I/O)，年报称带宽/延迟/功耗显著优于DDR5 RDIMM、单模块可达128GB满足大模型训练，正对应AMD MoP以LPDDR5X替代HBM路线；同时布局PCIe 5.0 SSD(读取14000MB/s)及自研SPU主控，NAND/DRAM双线受益。

内存接口芯片收入占94.2%，全球DDR5 RCD/CKD核心供应商；2025年报明确PCIe 6.0在GPU/SSD/CXL领域快速增长及PCIe Retimer拓展高速铜缆。HBF/HBC/ZAM等新架构与PCIe 6.0 SSD均需全新接口/互连芯片，公司是A股最直接的内存接口标的。

数据存储主控芯片收入占87.6%，国内少数掌握SSD主控核心技术的企业；2026年定增报告明确"消费级场景需支持PCIe Gen6协议"，直接承接PCIe 6.0 SSD量产带来的主控芯片需求，产品覆盖消费级、工业级及企业级SSD全场景。

企业级SSD收入占99%，2025年报显示自研DP900主控完成PCIe 6.0 SSD研发、具备量产转化条件，并基于Marvell AlpsPlus(Gen6)开发国际主流企业级SSD；累计出货3500PB+、国内企业级SSD份额第四(6.4%)，直接受益PCIe 6.0 SSD量产交付。

控股子公司海太半导体以"全部成本+约定收益"模式向SK海力士提供半导体后工序服务，2025年7月完成《第四期后工序服务合同》签署；SK海力士为HBF标准联合发布方(2026H2工程样品、2027量产)，其存储扩产直接传导至公司封测业务。

子公司联合创泰持有SK海力士一线品牌代理资格，电子元器件分销收入占94.2%，覆盖服务器、车载等应用；SK海力士HBF/HBM新品放量将直接扩大其分销规模，是SK海力士存储新架构在A股最直接的分销渠道标的。

2025年报明确指出混合键合将用于3D NAND存储单元与逻辑电路垂直堆叠(对应HBF)、3D DRAM三维堆叠及HBM更高堆叠层数，公司已布局晶圆混合键合及配套量检测设备，是HBF/紫弦3D DRAM工艺的直接设备供应商。

公司是新紫光集团旗下核心半导体上市公司，主营含存储器芯片产品(西安紫光国芯DRAM设计)，集成电路收入占52.3%；集团发布"紫弦"3D DRAM架构(三维堆叠带宽超30TB/s)，公司作为集团唯一存储芯片上市平台具备技术承接与资本运作预期。

半导体存储器件测试业务收入占55.6%，提供DRAM/NAND存储测试解决方案，概念含高带宽存储器HBM；HBF(NAND堆叠)与3D DRAM(紫弦)等新架构带来更高堆叠层数与测试需求，公司是A股稀缺的存储测试设备标的。

NAND系列收入占65.2%，2025年报披露通过3D堆叠将存储单元与主控集成实现近存计算(高带宽、高经济性)，对应HBF技术方向；同时受益三星/SK海力士/美光产能向DDR5/LPDDR5X/HBM倾斜带来的利基DRAM供给缺口。

CMP设备收入占87.2%，年报称CMP贯穿3D IC/HBM/CoWoS键合表面制备、晶圆背减、TSV金属化全流程，减薄装备适配3D NAND/HBM/TSV；HBF与3D DRAM堆叠工艺增加CMP工序，公司为国内12英寸CMP量产主力。

电镀液及配套试剂收入占48.6%，先进封装电镀液市占率约30%，产品覆盖HBM、3D堆叠芯片的TSV/RDL/凸块等核心工艺；堆叠层数每翻番光刻工艺次数约翻倍，HBF/3D DRAM多路径并行直接扩大其电镀与光刻胶需求。

存储类芯片(EEPROM/NOR)收入占87.6%，2025年报明确LPCAMM2内存模组(LPDDR5X)需配套1颗SPD芯片；AMD MoP以LPDDR5X替代HBM带动LPDDR5X模组化普及，公司SPD为内存模组标配器件，直接受益需求增长。

存储半导体业务收入占26%，子公司沛顿科技从事DRAM/NAND封装测试与内存模组制造，服务长江存储/长鑫存储等国产存储原厂；HBF(NAND高带宽堆叠)与3D DRAM国产化推进将带来先进封测订单增量。