深圳平湖实验室全球首个8英寸GaN-on-SiC工艺平台取得突破

公司是GaN-on-SiC芯片核心生产商，2025年年报明确披露其化合物半导体射频芯片业务包括GaN-on-SiC（碳化硅基氮化镓）芯片，应用覆盖人形机器人、卫星通信等高端场景，与实验室平台技术路线及目标应用完全重合。该业务收入占比9.1%，利润占比6.7%，具备实质产品基础。

公司是国内化合物半导体龙头，拥有从碳化硅衬底、外延到芯片制造的完整产业链。2025年年报显示，其SiC、GaN电力电子芯片应用于新能源汽车、数据中心及AI服务器、人形机器人等领域，与实验室平台瞄准的算力中心、人形机器人等应用方向高度匹配。

公司是国内碳化硅衬底龙头企业，主营收入99.6%来自碳化硅衬底。实验室平台的核心攻关之一为'碳化硅衬底表面处理'，天岳先进作为上游核心衬底供应商，其产品质量和供应能力直接影响GaN-on-SiC平台的产业化进程。

公司主营晶体生长设备，产品包括碳化硅单晶炉、碳化硅外延炉等。2025年年报显示，其产品可用于'在半绝缘型碳化硅衬底上生长氮化镓外延层制得碳化硅基氮化镓外延片'，与实验室平台的工艺制备环节直接相关，是潜在的核心设备供应商。

公司是国产刻蚀和MOCVD设备龙头，正积极布局用于氮化镓基功率器件领域的MOCVD设备。实验室平台突破了'GaN外延生长'等核心技术，中微公司提供的GaN功率器件外延设备是支撑该平台工艺实现的关键装备之一。

公司氮化镓（GaN）射频模块产品已实现批量化供应，广泛应用于移动通信基站、卫星系统、低空经济感知系统等领域，并积极开拓商业航天、卫星互联网等新兴市场。其产品应用与实验室平台瞄准的'航空航天、太空算力'等高端领域高度协同，是潜在的重要客户与合作伙伴。

公司掌握'5G基站GaN射频功放塑封封装技术'等核心技术。实验室平台产出的GaN-on-SiC芯片（如HEMT器件）需要专业的高频射频封装测试服务，气派科技在该领域具备技术积累，是产业链下游的关键环节。