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东芯股份:拟使用6.82亿元超募资金投建存算联融合芯片研发项目
【东芯股份:拟使用6.82亿元超募资金投建存算联融合芯片研发项目】财联社8月21日电,东芯股份(688110.SH)公告称,公司拟使用超募资金6.82亿元投资建设“存算联融合芯片研发项目”,建设周期约42个月。该项目为存算联融合芯片研发项目,将存储芯片、联接芯片与计算芯片通过先进封装技术集成于单芯片,打造低功耗嵌入式SOC智能计算芯片。项目芯片可应用于智能家居、工业物联网等领域。项目实施完成后,将丰富公司产品结构,推动公司从存储芯片供应商向智能芯片及解决方案提供商拓展,增强公司综合竞争力。该事项已获董事会审议通过,尚需提交股东会审议。
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东
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公司公告使用6.82亿元超募资金投建“存算联融合芯片研发项目”,将存储、联接、计算芯片通过先进封装集成。其2025年报明确公司战略为“围绕‘存、算、联’一体化战略方向”,本次项目是该战略的具体实施,旨在从存储芯片供应商向智能芯片及解决方案提供商转型。
长
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公司是全球领先的封测企业,拥有“系统级封装(SiP)、2.5D/3D封装”等先进封装技术。东芯股份的“存算联融合芯片”项目明确需要“通过先进封装技术集成于单芯片”,长电科技是国内先进封装核心供应商,存在潜在技术服务合作机会。
通
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公司是国内封测行业双龙头之一,获得国家集成电路一期和二期基金共同投资,产品应用于AI、高性能计算、存储等领域。东芯股份新项目所需先进封装技术是通富微电的核心业务,公司作为本土封测领先企业,是潜在的技术合作方。
一
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公司是一家以PCB设计服务为基础,提供PCBA制造服务的硬件创新服务商。其2025年报公告中提及“基于新一代‘天琴芯’类脑芯片的边缘计算主板研发,采用存算一体设计”,证明其在存算一体技术方向有服务经验。东芯股份新项目涉及芯片研发,可能产生PCB/PCBA设计制造服务需求。
兆
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公司是国内存储芯片(NOR Flash、SLC NAND Flash、利基型DRAM)及MCU设计龙头,与东芯股份同属中小容量存储芯片设计赛道。东芯股份向“存算联融合芯片”的转型,代表了存储芯片企业向智能化、集成化发展的行业趋势,兆易创新作为同行龙头,同受此技术路径变化影响。