长鑫科技：2026年半年度净利润776.05亿元 同比扭亏为盈
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公司实际控制人、董事长朱一明同时担任长鑫科技集团董事长（据2025年年报关联交易公告披露）。2026年公司与长鑫科技关联交易采购额达57.11亿元（招商证券2026-05-06研报），远超2025年实际发生额11.82亿元。公司存储芯片业务占营收71.3%、占利润76.0%，利基型DRAM产品从长鑫科技采购代工，直接受益于长鑫产能扩张与行业景气。
长鑫存储核心气体供应商，据国金证券2026-06-21研报，公司已签订合肥、北京长鑫两个项目共计13.9万Nm³/h的电子大宗气体供应合同。公司电子大宗气体业务占营收71.4%，氦气为核心产品，随长鑫DRAM扩产将显著受益于气体需求增长。
中国大陆第一的集成电路封测企业，拥有20多年Memory封装量产经验，32层闪存堆叠、25um超薄芯片制程能力，与全球前三大存储器制造商密切合作（华安证券2026-05-02研报）。2025年年报披露长鑫科技集团为关联方，其关联自然人担任本公司董事。长鑫DRAM产能扩张将直接带动封测需求。
全球内存接口芯片龙头，2025年互连芯片收入51.39亿元，全球市场份额36.8%（开源证券2026-05-11研报）。核心产品DDR5 RCD/MDB芯片是每条DRAM内存模组的必需组件，CXL MXC芯片已向三星、AMD送样。长鑫DRAM出货量暴增将直接拉动内存接口芯片需求。
华芯投资业务三部总经理袁训同时担任北方华创董事及长鑫新桥存储、长鑫集电（北京）董事（据北方华创2025年年报）。北方华创为国内半导体设备龙头，产品覆盖刻蚀、薄膜沉积等核心环节，长鑫DRAM扩产将带来大量设备采购需求。
与北方华创同属华芯投资生态，袁训同时担任拓荆科技董事及长鑫新桥存储、长鑫集电（北京）董事（据拓荆科技2025年年报）。公司主营CVD/ALD薄膜沉积设备，是DRAM先进制程的关键设备供应商，长鑫扩产直接受益。
公司通过战略投资鑫丰科技布局DRAM封测领域（据2025年年报），助力鑫丰科技于2027年内DRAM封装产能提升至6万片/月，充分受益于存储芯片龙头厂商产能扩张。同时拓展定制化DRAM解决方案及3D DRAM先进封装业务。华安证券2026-05-01研报确认此布局。
半导体量检测设备龙头，产品包括用于NOR/NAND/DRAM存储芯片CP测试的2.5D MEMS探针卡，以及适配NAND/UFS/DRAM等Memory器件的BI老化测试设备（JH5302/JH5400/JH5500系列）（据2025年年报摘要）。长鑫DRAM产能扩张将增加测试设备需求。
国内领先的半导体存储器测试设备企业，半导体存储器件测试业务占营收55.6%（2025年报），核心产品包括DRAM FT测试机、DRAM通用测试验证系统（UDS）、DRAM芯片老化测试及修复设备。据年报引用TrendForce数据，2026Q1常规DRAM价格大幅上行，行业供需显著收紧，存储芯片厂商扩产将带动测试设备需求。
专注半导体存储器研发封测，产品涵盖嵌入式存储、PC存储、CXL DRAM模组等（据2025年年报）。公司开发的CXL DRAM模组采用CXL标准构建高速共享内存池，主要面向数据中心与服务器。DRAM行业景气上行将直接利好存储模组厂商的量价齐升。
公司已转型为生态环保与半导体存储双主业（据2025年年报），存储半导体业务占营收67.3%、占利润149.2%（扣除亏损业务后）。子公司东莞市芯存诚邦科技从事芯片封测与存储模组产品研发生产。存储产品销售占营收62.7%，直接受益于DRAM行业景气。
全球领先半导体存储品牌企业，产品覆盖嵌入式存储、固态硬盘、移动存储和内存条四大产品线（2025年报）。内存条业务占营收9.7%，已点亮SOCAMM产品并布局CXL2.0内存拓展模块。DRAM行业供需收紧将利好存储模组厂商。
中国大陆少数能同时提供NAND Flash、NOR Flash、DRAM完整解决方案的存储芯片设计企业（据2025年年报）。DRAM系列产品占营收5.8%、占利润7.9%，公司布局利基型DRAM标准型与低功耗系列。海外大厂退出利基DRAM市场带来国产替代机遇。
国内知名独立第三方芯片测试服务商（据2025年年报），公司研发项目包括HBM存储芯片集成化测试系统与软件协同开发，已完成超过6000种芯片型号量产测试。长鑫DRAM产能扩张将增加独立第三方测试需求。
专注闪存主控芯片与存储模组，内存条类产品占营收9.7%、占利润17.1%（2025年报）。公司已发布向特定对象发行股票募资用于DRAM扩产项目，布局CXL内存盘控制器。DRAM行业景气上行将利好公司存储模组业务量价齐升。