新型氮化镓晶体管耐压能力近四千伏
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2026年5月26日公告拟增资4900万元参股远山新材料8.93%股权，远山新材料主营蓝宝石基中高压氮化镓外延材料、功率器件及模块，重点布局1200V-3000V高压产品，应用于服务器电源、新能源车、光伏储能等工业场景。新闻中4000V耐压突破与公司布局的高压GaN路线高度一致。浙商证券2026-05-26研报指出公司正式切入第三代高压氮化镓半导体赛道。近5日主力净流入1.7亿元。
化合物半导体龙头，拥有碳化硅及硅基氮化镓完整产业链。2025年报明确指出'氮化镓器件作为电力电子领域的核心技术之一，广泛应用于低功率消费电子市场，并逐步向新能源汽车、高功率数据中心、通信电源等应用场景渗透'。Yole预测2024-2030年全球氮化镓功率器件市场CAGR达42%。公司电力电子业务覆盖碳化硅MOSFET、硅基氮化镓等产品线。
国内功率半导体IDM龙头，产品线广度对标英飞凌，沿硅基IGBT/MOSFET、第三代半导体（SiC与GaN）、12英寸高端模拟三条主线并进。概念板块包含'氮化镓'、'碳化硅'、'第三代半导体'。第一上海2026-05-26研报指出公司已切入AI服务器电源管理，功率半导体与AI算力供电的绑定愈发清晰。
功率半导体IDM龙头，拥有芯片设计、晶圆制造、封测全产业链能力。华鑫证券2026-06-21研报指出公司'氮化镓（GaN）专属外延中心已正式启用，D-mode 650V G5平台等多款产品进入量产阶段'。公司围绕数据中心、AI服务器布局DrMos功率模块、多相电源控制器等产品，部分产品已批量供货海内外头部电源设计厂商。
数据中心电源龙头，2025年数据中心电源业务营收20.15亿元，同比增长38.15%，对营收贡献比例提升至45.17%。国海证券2026-04-23研报指出'高功率服务器电源比肩国际高端水平，是市场上少数能够实现高功率服务器电源规模销售的供应商'。三安光电年报提到其服务器电源产品应用碳化硅/氮化镓器件。新闻中GaN高压突破有望提升服务器电源能效和功率密度。
电源管理芯片设计企业，华泰证券2026-03-16研报指出公司'首家完成服务器一次电源、二次电源到三次电源的全链路布局，推出面向800V HVDC系统的1700V SiC辅源、隔离驱动、SiC/GaN驱动等芯片'。公司可满足高算力服务器对电源转换效率、稳定性及小型化的要求，GaN技术进步将直接提升其驱动芯片的应用价值。
MOCVD设备龙头，方正证券2026-04-29研报指出公司'持续保持国际氮化镓基MOCVD设备市场领先地位，积极布局用于SiC和GaN基功率器件应用的市场'。公司年报显示应用于氮化镓功率器件生产的MOCVD设备处于快速发展阶段，新型MOCVD设备已发往下游客户进行量产验证。GaN功率器件市场扩容将直接拉动设备需求。
全球领先半导体IDM，产品组合包括氮化镓场效应晶体管（GaN FET）、碳化硅二极管/MOSFET、IGBT等。半导体业务采用IDM模式，产品广泛应用于汽车、通信、消费、工业等领域。新闻中GaN高压突破验证了氮化镓技术在电力电子领域的应用潜力，利好拥有GaN产品线的功率半导体厂商。
功率半导体芯片及器件制造、集成电路封测一体化企业，主营产品涵盖功率二极管、整流桥、MOSFET、IGBT及碳化硅SBD/JBS等。概念板块包含'氮化镓'、'碳化硅'、'第三代半导体'。方正证券2026-04-03研报指出公司26Q1汽车电子业务呈爆发式增长，收入预计同比翻倍。GaN技术突破有望拓展其在新能源车、数据中心电源等领域的应用。
化合物半导体射频芯片业务布局GaN-on-SiC芯片，2025年化合物半导体射频芯片收入占比9.1%。公司年报显示GaN-on-SiC芯片应用于新能源汽车车载电源、工业高频电源、通信基站功放等场景，是下一代功率系统的核心升级方向。新闻中高压GaN突破对GaN-on-SiC技术路线有正向验证作用。
功率半导体器件设计、研发、制造企业，以IGBT、FRD为核心产品。2025年12月30日公告与国内传动领域头部公司签署战略合作协议，'未来将聚焦电控系统、液压控制系统、伺服系统、机器人核心零部件中所用到的功率半导体器件，并重点围绕氮化镓（GaN）功率半导体器件开展联合共研'。新闻中GaN高压突破验证了该技术路线的可行性。