两部门：加快发展先进存力 研发高带宽闪存、高带宽内存等新型存储产品
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政策明确点名“研发高带宽内存”，公司是全球内存接口芯片龙头（2025年营收51.39亿元，yoy+53.43%），市占率36.8%，产品直接服务于HBM等高带宽内存。公司同时布局CXL MXC芯片，是政策提及的“存储协议”升级核心受益者。资金面显示，9月15日主力净流入9615万元。
政策推动HBM等新型存储产品研发。公司半导体材料业务（2025年收入占比31.4%）是全球HBM前驱体核心供应商，据光大证券2026-03-05研报，公司全球HBM前驱体市占率18%，是SK海力士的独家供应商，直接受益于国内HBM产能扩张。
政策推动新型存储研发，对测试设备需求激增。据东吴证券2026-06-23研报，HBM的3D堆叠结构使测试道数由3-4道提升至15道以上，公司作为国产存储测试机龙头，其存储测试设备业务将进入爆发期。资金面显示，9月15日主力净流入2.31亿元。
政策推动存储技术升级。公司是国内半导体薄膜沉积设备龙头，产品广泛应用于存储芯片制造。据招商证券2026-06-03研报，公司先进键合设备是实现高精度堆叠和提升芯片间通信带宽的关键，适配HBM、Chiplet等先进封装技术。
政策直接点名新型存储产品。公司主营半导体存储器的研发、封测和销售，2025年嵌入式存储收入占比60.9%。公告显示，公司已研发CXL DRAM模组，并布局FOMS和CMC等先进封装技术，直接面向“高带宽存储器”等新型产品。
政策推动存储芯片国产化。公司是存储芯片设计龙头，2025年存储芯片收入占比71.3%，产品包括全球市占率第二的SPI NOR Flash及SLC NAND Flash、DRAM。政策提及的“高带宽闪存”等新型产品，公司具备技术储备和研发基础。
政策推动存储芯片国产化。公司是少数能同时提供NAND Flash、NOR Flash、DRAM等存储芯片完整解决方案的企业（2025年NAND系列产品收入占比65.2%），其“存、算、联”一体化技术路线与政策推动的“以存强算”方向一致。
政策推动HBM等新型存储研发。公司在公告中明确将“存储（Nor/Nand Flash、DDR、HBM等）”列为重点布局领域，是专业的独立第三方芯片测试服务商，将直接受益于新型存储芯片测试需求的增长。
政策提及“提升分布式、超融合等存储系统的技术水平”。公司作为全球领先的IT基础设施提供商，2025年存储类、交换类等产品收入占比5.9%，利润占比10.6%，是存储系统集成商的核心代表。
政策推动HBM等新型存储研发。据国投证券2026-04-16研报，公司新拓高速存储芯片测试系统、HBM芯片KGD分选测试系统等，布局存储测试赛道，是HBM产业链的测试设备供应商。