财联社9月16日电，SK海力士表示，目前尚未确认有关SK海力士与英特尔就美国内存芯片生产进行谈判的报道所涉及的任何计划；正在探索多种选项以增强其全球竞争力，但尚未确定具体计划或安排。

公司2025年年报明确披露已成为SK海力士的超高纯溅射靶材供应商，产品应用于SK海力士先端存储芯片制造。公司是国内靶材龙头企业，根据日本富士经济报告，全球半导体靶材市场占有率排名前列。SK海力士若在美国扩产，公司作为认证供应商将直接受益于产能扩张带来的靶材需求增量。

光大证券2026-03-05研报确认，公司是SK海力士的独家HBM前驱体供应商，全球HBM前驱体市占率18%。公司2025年报显示半导体化学材料业务收入占比44.4%，利润占比44.3%，前驱体产品已进入三星、SK海力士、中芯国际等主流晶圆厂。SK海力士任何产能扩张都将直接拉动公司前驱体需求。

公司2025年报介绍明确提到已进入英特尔、SK海力士等全球领先半导体企业供应链体系。公司为HBM核心TSV（硅通孔）刻蚀提供高端特气，2025年特种气体业务收入占比65.1%，利润占比75.4%。公告显示公司实现对国内8寸及以上集成电路制造厂商超过90%的客户覆盖率，是国产电子特气龙头。

公司2025年报披露其全球首发的MXC芯片已被三星、SK海力士等内存厂商采用。东海证券2026-05-19研报确认，公司内存接口芯片全球市占率约36.8%位列第一，已导入SK海力士供应链。公司内存接口芯片收入占比94.2%，是全球内存互连芯片龙头，与SK海力士形成深度绑定。

浙商证券2026-01-06研报确认，公司硅零部件产品已进入SK海力士（大连）等主流存储芯片制造厂。公司2025年报显示半导体行业收入占比99.5%，主营半导体级单晶硅材料。公司硅零部件设计产能全国领先，受益于存储芯片行业高景气度，HBM扩产将增加对刻蚀用硅材料的需求。

公司2025年报明确指出，薄膜沉积设备是HBM等先进存储芯片技术突破的核心支撑。公司产品覆盖PECVD、ALD、SACVD等系列，已广泛应用于国内集成电路存储芯片制造。HBM产能扩张将直接拉动薄膜沉积设备需求，公司作为国内薄膜沉积设备龙头将显著受益。

公司是国内半导体清洗设备龙头，产品覆盖单晶圆清洗、电镀设备等，直接服务于SK海力士、三星等存储芯片厂商的HBM产线。2025年半导体设备收入占比95.8%。HBM生产对清洗和电镀工艺需求量大，公司设备已进入国内主要存储厂供应链，受益于存储扩产周期。

公司是国内刻蚀设备龙头，产品应用于3D NAND、DRAM等存储芯片制造。HBM的3D堆叠结构需要更多刻蚀工艺步骤，对刻蚀设备需求量倍增。公司2025年半导体设备收入占比100%，已进入长江存储、长鑫存储等国内主要存储厂供应链，受益于存储扩产。

公司2025年报明确指出，用于HBM的抛光片需求强劲，推动半导体硅片出货面积恢复增长。公司是国内半导体硅片龙头，产品覆盖300mm大硅片，HBM制造需要大量高纯度硅片。SK海力士等存储厂商扩产将直接拉动大硅片需求，公司作为国内供应商将受益。

公司2025年公告提到其掌握TSV（硅通孔）与硅中介层技术，实现HBM与图形处理器的高密度集成。公司是国内先进封装龙头，HBM的3D堆叠结构需要先进封装技术支持。公司已与AMD等建立深度合作，受益于AI算力和HBM需求增长带来的先进封装需求。

公司2025年报明确指出，硅通孔（TSV）是实现HBM与逻辑芯片集成的关键技术，掩膜版用于保护非刻蚀区域。公司是国内高世代平板显示掩膜版和先进封装掩膜版龙头供应商，HBM先进封装对掩膜版需求量大，公司直接受益于HBM产业链发展。

公司2025年报指出，2.5D/3D集成封装（包括HBM封装）对电镀材料提出严苛要求。公司电镀液及配套试剂收入占比48.6%，是科创板光刻胶第一股。公司构建了覆盖TSV、RDL、Bumping等核心工艺的完整产品矩阵，HBM扩产将拉动电子化学品需求。

公司2025年报披露，存储晶圆采购自SK海力士、三星、美光等原厂。公司嵌入式存储收入占比60.9%，是SK海力士的重要客户。SK海力士产能扩张将保障公司存储晶圆供应稳定性，同时HBM技术发展带来的存储升级需求将拉动公司嵌入式存储产品增长。

公司2025年募集说明书提到，存储晶圆主要采购自韩国、美国及日本厂商，包括SK海力士。公司嵌入式存储收入占比44.0%，是全球领先半导体存储品牌企业。SK海力士产能扩张将保障公司存储晶圆供应，HBM技术发展带来的存储升级需求有利于公司产品结构优化。

公司2025年报指出，AI服务器需求爆发带动DDR5、HBM等主流存储产品需求激增，国际头部公司加速向HBM迁移带来利基型DRAM市场机遇。公司存储芯片收入占比71.3%，SPI NOR Flash全球市占率第二，同时布局DRAM业务，受益于存储行业景气度提升。