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海外事件
德国法院裁定美光侵犯长江存储两项专利并颁发禁令
德国慕尼黑第一地区法院就两起专利侵权案作出一审判决,认定美光侵犯长江存储两项德国专利并颁发禁令。这是长江存储在与美光持续近三年的全球专利争议中,取得的首个实质性禁令成果。涉及专利为3D NAND堆叠架构中的核心技术。长江存储在全球NAND Flash厂商中按销售金额与出货量排名均位列全球第三、中国第一,2026年Q1营收同比增长近445%,全球营收份额升至13%。
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佰
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公司2025年年报明确指出,其存储晶圆及芯片采购的核心供应商包括长江存储等全球原厂。作为存储模组与封测厂商,长江存储技术突破及市场份额提升(2026年Q1全球份额13%,同比增长445%)将直接为其提供更优质、更具成本竞争力的存储介质来源,是长江存储产业链的直接受益者。
雅
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光大证券2026年3月5日研报明确指出,公司半导体材料业务已“打入了中芯国际、长江存储等国内所有主流晶圆厂供应链”。公司是SK海力士的独家前驱体供应商,全球HBM前驱体市占率18%,是长江存储等国内存储芯片制造厂商扩产所需关键材料的核心供应商。
神
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招商证券2026年6月15日研报指出,公司硅零部件“已进入中国主流存储芯片制造厂...供应链”。硅零部件是存储芯片刻蚀工艺中的核心耗材,长江存储3D NAND堆叠层数持续增加,将直接拉动对刻蚀用硅零部件的需求,公司作为该领域龙头将深度受益。
中
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公司是国内半导体刻蚀设备龙头,其2025年年报明确指出“存储器技术由二维转向三维架构,随着堆叠层数的增加,刻蚀设备...越来越成为关键核心的设备”。长江存储是3D NAND领军企业,其技术突破与产能扩张是公司刻蚀设备的核心下游驱动力。
拓
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公司是国内半导体薄膜沉积设备龙头,其2025年年报明确指出公司设备是“实现3D NAND、3D DRAM等先进存储芯片技术突破的核心支撑”。长江存储3D NAND层数不断演进,对薄膜沉积设备的需求巨大且持续,公司是其核心设备供应商之一。
诚
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公司年报显示其已转型为“生态环保+半导体存储”双主业,2025年存储半导体业务收入占比达67.3%,成为第一大业务。其存储盘模组产品方案“广泛地支持三星、铠侠、西部数据、海力士、长江存储等各家存储原厂的相关存储晶圆产品”,是长江存储存储颗粒的直接下游客户。