英特尔宣布独家量产300毫米磷化铟硅光子晶圆，CPO量产元年开启

新闻直接点名的国内光模块龙头，全球800G/1.6T光模块出货领先，概念板块含光电共封装CPO、英伟达概念。英特尔量产300mm InP硅光晶圆使光器件供不应求，公司作为AI集群光互连核心供应商直接受益于CPO量产元年（2026）开启。

新闻直接点名的光模块龙头，800G/1.6T高速光模块核心供应商，概念板块含光电共封装CPO、英伟达概念。数据中心光互连市场预计2030年达1444亿美元，AI集群光器件供不应求，公司高速光模块放量直接受益。

新闻直接点名，光器件平台型龙头，产品覆盖FAU光纤阵列、光引擎、无源器件等CPO核心配套，概念板块含光电共封装CPO。CPO大规模商用（预计2027-2028）将显著提升高密度光引擎与FAU等集成化器件需求，公司为CPO产业链核心卡位者。

2026-04-04公告实施高品质磷化铟单晶片建设项目，明确磷化铟是生产激光器、探测器芯片的关键基础材料，应用于数据中心、高速光模块，且现有产能已无法满足下游需求而扩产。直接对应英特尔300mm InP硅光晶圆所代表的InP材料需求爆发，为国产InP衬底最直接标的。

国产InP光芯片龙头，产品含2.5G-200G+ DFB/EML激光器及50-100mW大功率硅光光源。2025年报指出硅光渗透率提升拉动CW光源需求、CPO/NPO成光互联新增量、当前光芯片存在短期产能缺口；100G PAM4 EML已客户验证、200G PAM4 EML推进验证。CPO外置光源核心受益标的。

2026年公告披露收购安捷讯：安捷讯提供高密度FAU光接口，结合公司薄膜铌酸锂调制器芯片，可提供从芯片到光纤输出的完整CPO互连解决方案，并联合开发1.6T/3.2T透镜化光纤阵列（Lensed-FAU）。公司2025年报明确CPO预计2026-2027年进入初步部署并逐步放量。

2025年报披露产品广泛应用于光通信模块、光子集成电路PIC、FAU光纤阵列、外置激光光源ELSFP、NPO/CPO、OCS等领域，实现激光光源高效准直；V型槽阵列用于CPO多通道光纤高精度定位耦合。并购瑞士炬光后数据通信为重点拓展方向，客户含全球光子龙头Coherent。

2025年报披露MT-FA多芯光纤阵列与FAU是400G/800G/1.6T高速光模块核心无源/半有源组件，公司为国内光组件头部厂商；年报明确CPO共封装光学与硅光技术重构产业链，推动光组件向高密度光引擎、FAU集成化形态演进，光组件正成为AI算力核心瓶颈环节。

2025年报披露公司是全球最大的光密集连接产品制造商之一，MTP/MPO高密度光纤连接器技术与市场份额行业领先；研发项目明确FAU产品开发用于光模块和CPO并基本实现目标，同时拓展800G/1.6T高速光模块配套。CPO高密度外部光纤连接核心供应商。

2025年报披露收购的ficonTEc是全球光电子及半导体自动化封装测试领先设备商，产品覆盖硅光芯片、光模块的耦合封装测试，含高速硅光模组/CPO模组测试设备；公司正攻关CPO密度提升与热稳定性管控难题，目标成为全球AI算力互联核心装备供应商。CPO量产元年设备端最直接受益者。

2026-02定增募集说明书披露：公司重点开发下一代可插拔光模块和CPO光引擎及配套光器件；旗下创新中心成功研发国内首款1.6T硅光互连芯片，支撑800G/1.6T高速光模块量产，公司向其采购硅光芯片作为核心原材料。具备芯片-模块垂直整合的CPO受益标的。

2025年度董事会工作报告披露：公司实现业界第一梯队首发1.6T光模块，行业首推3.2T CPO/NPO解决方案（3.2T NPO光引擎+ELSFP外置光源，搭载自研硅光芯片）；2026年一季度业绩预告称400G/800G/1.6T光模块出货大增、盈利同比增约120%，直接受益CPO量产周期。

2025年报披露公司主营以砷化镓、氮化镓、磷化铟等化合物半导体外延片、芯片为核心主业，光芯片（VCSEL/FP/DFB/EML、PD/APD）是光模块核心部件且价值占比随速率提升上升。作为国内InP化合物半导体平台，对应英特尔300mm InP硅光晶圆的国产材料+光芯片替代方向。

2026-03公告披露建设年产1亿颗光通信半导体激光芯片项目，含砷化镓、磷化铟化合物半导体激光晶圆产线；400G/800G光收发模块已小批量生产并推进规模化量产，1.6T进入快速研发，围绕LPO/NPO/CPO多路径并行攻关。InP光芯片+光模块双线布局受益CPO量产元年。