英伟达收购Groq后下一代LPU芯片弃SRAM转向3D堆叠DRAM架构

2025年报明确：混合键合设备Propus 300/Pleione 300应用于HBM及芯片三维集成，实现混合键合前晶圆表面活化清洗与精准键合；年报指出HBM更高堆叠层数将引入混合键合、3D DRAM依托三维集成实现存储芯片垂直堆叠与高密度互连——与英伟达LPU弃SRAM转向3D堆叠DRAM+TSV的技术路线直接对应，为国内三维集成键合设备核心供应商。

2025年报：HBM正从8层向12层、16层演进（SK海力士已展出全球首款16层HBM4样品），堆叠层数翻番带来光刻工艺超线性增长；公司构建RDL/Bumping/TSV全工艺材料解决方案，已覆盖90%以上国内封装厂，高纯电镀液、TSV/TGV添加剂等产品直接受益3D堆叠DRAM/HBM扩产，电镀液及配套试剂占收入48.6%。

2025年报：减薄装备广泛覆盖3D IC、CoWoS、3D NAND、HBM、TSV等关键工艺需求；12英寸CMP装备Universal-S300适配3D IC、HBM、CoWoS等先进封装场景。3D堆叠DRAM每一层DRAM die均需晶圆减薄+CMP平坦化，堆叠层数增加使设备需求倍增，公司为国内CMP/减薄设备龙头（CMP设备占收入87.2%）。

2025年报：半导体前驱体包括high-k高介电常数材料、硅基和金属材料，广泛用于3D NAND、DRAM内存芯片先进制程，并正开发人工智能先进封装复杂芯片组所需各种前驱体；江苏先科前驱体国产化项目产品通过国内客户验证转入批量试生产。3D堆叠DRAM靠TSV+薄膜沉积扩容，前驱体为沉积核心耗材，公司为国内前驱体龙头、HBM概念标的。

环氧塑封料占收入93.5%（2025年报），为国内半导体塑封料龙头、HBM概念标的。颗粒状环氧塑封料（GMC）是HBM/3D堆叠DRAM TSV垂直堆叠封装的关键包封材料，公司承担颗粒状环氧塑封料全套制备装备及工艺技术攻关项目（直径<0.5mm适配压缩模塑），在国产3D堆叠存储封装材料环节完成核心卡位。

全球头部封测厂，芯片封测占收入99.6%（2025年报），具备晶圆级封装（WLP）、2.5D/3D封装、SiP系统级封装全技术平台，应用覆盖人工智能、高性能计算、高密度存储，在中国、韩国、新加坡设有八大生产基地。3D堆叠DRAM成为AI内存主流路线后，国内存储与AI芯片的三维集成封装订单向头部封测平台集中。

2025年报：ICP刻蚀设备Primo TSV 200E/300E深硅刻蚀设备在晶圆级先进封装、2.5D封装产线持续获重复订单，并在12英寸3D芯片硅通孔（TSV）刻蚀工艺上验证成功；2026年将继续推进TSV硅通孔刻蚀设备在先进封装产线应用。TSV垂直互连正是英伟达下一代LPU 3D堆叠DRAM架构的核心工艺，刻蚀为其中价值量最高环节之一。

控股海太半导体（无锡）为SK海力士提供存储芯片封装测试、模组装配及测试（2025年报：封装测试+模组产品收入占比约15%，半导体业务利润占比26%）。SK海力士2025Q3 DRAM市占率33.2%、为全球最大HBM原厂（TrendForce，引自佰维存储年报），英伟达转向3D堆叠DRAM将抬升其存储封测配套需求，太极实业为其在A股最直接的封测伙伴。

2025年报：存储半导体业务收入占比26.0%、利润占比28.9%，为公司第二大业务，旗下沛顿科技是国内领先独立存储封测厂，深度配套长鑫存储。东吴证券2026-06-23研报指出长鑫存储已启动HBM扩产、拟IPO募资295亿元用于DRAM（含HBM）技术升级，国产3D堆叠DRAM放量将直接消化沛顿封测产能。

国内功能性球形粉体龙头（国家制造业单项冠军），球形硅微粉收入占比58.4%、利润占比74.8%（2025年报）；产品覆盖EMC、LMC、GMC颗粒状塑封料、底部填充料等封装材料体系，为HBM/Chiplet概念标的。GMC是3D堆叠DRAM/HBM TSV堆叠包封的核心填料，堆叠层数从8层向16层演进将成倍放大球形填料用量。

东吴证券2026-06-23研报指出：HBM因3D堆叠结构及底层Logic Die引入，CP测试道数由3-4道提升至15道以上，新增WIBI晶圆级筛选、KGSD多温区测试等环节，存储测试机需求成倍增长；长鑫HBM扩产带动国产存储测试设备放量。公司为国产测试机龙头，测试机占收入60.5%（2025年报），存储测试为第二增长曲线。

国内封测二强，集成电路封测占收入97.6%（2025年报），大基金二期2022年参与定增、稳居第二大股东；在南通、合肥、厦门、苏州及马来西亚槟城设有九大生产基地，先进封装（Chiplet/2.5D/3D）产能持续扩张。3D堆叠DRAM与AI推理芯片封装订单向具备三维集成能力的头部封测厂集中，与长电科技同为国内核心承接平台。

研发封测一体化存储厂，2025年报系统论述：HBM是基于3D堆叠工艺的高性能DRAM，2025年市场规模307.5亿美元、同比增长超100%，2026年HBM4从送样迈向大规模量产；公司构筑存储介质研究—固件—封测一体化模式，先进封装及测试业务已量产（中报利润占比10.4%），卡位国产3D堆叠DRAM配套环节，大基金二期战略入股。

方正证券2026-05-06研报：公司作为国内ALD与高端CVD设备主要供应商，设备已广泛应用于国产存储芯片量产产线，据2025年11月投资者调研纪要，半导体新增订单超80%来自NAND与DRAM头部客户；其低温薄膜设备适配HBM、Chiplet、2.5D/3D封装需求。3D堆叠DRAM层数增长将放大ALD沉积设备与工艺次数需求。

子公司联合创泰拥有SK海力士（SK Hynix）、联发科一线品牌代理资格，电子元器件分销占收入94.2%（2025年报），为国内SK海力士存储产品核心分销平台，HBM概念板块标的。SK海力士为全球最大DRAM/HBM原厂，英伟达LPU转向3D堆叠DRAM将放大其HBM/DRAM出货规模，分销商作为供应链渠道环节间接受益。