SK海力士计划年底前将M15X工厂产能提升至最大水平，扩大HBM4生产
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控股子公司海太半导体2025年7月与SK海力士正式签署《第四期后工序服务合同》并生效，以'全部成本+约定收益'模式向SK海力士提供半导体后工序（封装、测试、模组装配）服务。SK海力士将M15X产能年底拉满、扩产HBM4，直接放大海太半导体封测业务量，业绩弹性最直接。
公司档案显示旗下分销平台联合创泰拥有SK Hynix海力士、MTK联发科等一线品牌代理资格，2025年报电子元器件分销收入占比94.2%。SK海力士DRAM/NAND出货与均价环比涨约20%、HBM4放量，代理分销量价齐升直接受益；华鑫证券2026-03-22研报亦指出其为企业级存储需求旺盛的核心分销标的。
光大证券2026-03-05研报指出：公司前驱体纯度达7N级，全球HBM前驱体市占率18%，是SK海力士的独家供应商，并打入中芯国际、长江存储等晶圆厂供应链。2025年前驱体材料营收21.11亿元（+8.01%）、毛利率44.79%。SK海力士M15X扩产HBM4直接拉动其前驱体用量，公司HBM概念档案亦确认该属性。
2025年报摘要披露：通过代理模式形成销售的客户主要包括SK海力士、台湾UMC，且SK海力士（无锡）已实现高纯氯气直销，代理+直销双重模式。公司主营电子湿化学品、电子特气及前驱体（HCDS/BDEAS/TDMAT），SK海力士M15X产能拉满至最大水平将直接增加其晶圆制造材料采购量。
公司档案载明产品已进入英特尔、美光、台积电、SK海力士、三星等全球领先半导体企业供应链体系。2025年报称公司为HBM核心TSV刻蚀提供高端特气，直接受益HBM爆发，并援引2026年HBM市场规模546亿美元（+58%）、三大原厂将70%新增产能投向HBM。SK海力士扩产HBM4直接抬升其特气采购需求。
2025年报披露：2022年三星、SK海力士先后推出其最新CXL内存产品，均采用公司全球首发的MXC内存接口芯片；公司内存接口芯片占2025年收入94.2%。SK海力士DRAM/HBM放量与DDR5渗透提升同步带动内存接口芯片配套需求，双方已形成直接生态配套关系。
研发封测一体化存储模组厂，2025年报嵌入式存储占收入60.9%、PC存储32.7%，采购SK海力士等原厂晶圆。新闻披露Q3 DRAM均价环比高20%区间、NAND环比中20%区间，且2027年DRAM需求同比+20%以上，原厂涨价向模组端传导，公司库存与产品提价直接增厚利润，年报亦援引SK海力士等原厂竞争格局。
全球领先存储品牌企业，2025年报存储业务收入占比100%（嵌入式44%、SSD 24.5%、移动存储21.5%、内存条9.7%），大量采购三星/SK海力士/美光原厂颗粒。SK海力士指引2027年DRAM需求+20%以上、NAND高十几点增长，量价齐升周期下公司产品提价与存货增值直接受益。
国内存储主控芯片第一股，2025年报存储业务收入占比100%（SSD 42.5%、嵌入式34%）。其2026-02-04增发募集说明书披露SK海力士与美光HBM4均采用1b/1βnm DRAM、1c nm工艺量产推进等行业格局。NAND出货中个位数增长+均价环比中20%区间上涨，公司模组产品随之提价受益。
利基存储设计龙头，2025年报存储芯片占收入71.3%。国盛证券2026-05-07研报指出公司各品类存储全面涨价，26Q1 DRAM环比翻倍以上增长，预计2026年营收189亿元（+105%）、归母净利77亿元（+367%）。SK海力士等原厂产能向HBM/DDR5倾斜造成的利基DRAM供给缺口，正是公司涨价弹性的核心来源。
2025年报摘要披露：核心技术在HBM全制程检测、晶圆边缘全维度检测等方向已实现商业化落地与头部客户导入，晶圆检测及量测设备在HBM制造检测领域形成差异化优势；并购后已成为Sumco、三星等晶圆厂检测量测设备供应商。全球HBM4产能扩张带动检测量测设备需求，公司为国内HBM检测设备稀缺标的。
子公司沛顿科技为国内存储封测龙头，覆盖DRAM、NAND及嵌入式芯片封装测试。2026年5月26日公告深圳沛顿+合肥沛顿拟共同投资14.70亿元扩充高端存储芯片封测产能（达产后月增封装产能合计3380万颗晶粒），国投证券2026-06-12研报称扩产系响应客户增量封测需求。存储原厂量价齐升直接拉动其封测订单。
科创板电镀液+光刻胶封装材料商，2025年报半导体行业收入占92.4%。年报指出HBM正从8层向12层、16层演进，SK海力士已展出全球首款16层HBM4样品，堆叠层数指数级增长驱动光刻胶及配套试剂需求超线性扩张。SK海力士扩大HBM4生产直接放大其先进封装材料配套需求，公司HBM概念档案亦确认。
国产测试机龙头，2025年报测试机占收入60.5%。东吴证券2026-06-23研报指出：HBM 3D堆叠使CP测试道数由3-4道提升至15道以上，存储测试机需求成倍增长；国内长鑫存储已启动HBM扩产（拟IPO募295亿元），SK海力士HBM4放量验证行业景气，国产HBM量产带动存储测试设备进入放量期。
2025年报披露：三星、SK海力士、美光持续将产能向DDR5、LPDDR5X及HBM倾斜，在利基型DRAM市场形成显著供给缺口，为大陆供应商创造战略发展机遇；三大原厂MLC产线缺乏扩产动力亦加速2D NAND出清。SK海力士全力扩HBM4进一步抽走通用产能，公司NAND/DRAM利基产品迎结构性涨价机会。