SK海力士称DRAM和HBM到2029年产能全部售罄

控股子公司海太半导体与SK海力士签署《第四期后工序服务合同》（2025年7月1日至2030年6月30日），以'全部成本+约定收益'模式为SK海力士12英寸DRAM晶圆线提供封测后工序服务，产品全部销往海力士。海力士产能售罄至2029年意味着其DRAM满产运行，海太半导体后工序订单量与营收直接受益，业绩弹性确定性高。

SK海力士核心代理商，子公司联合创泰主要经销海力士数据存储器与联发科主控芯片，2025年报明确'发挥SK海力士核心代理商优势'。2026年3月公告直言'因存储芯片价格持续上涨，2026年采购销售规模预计大幅增长'需追加授信；自主品牌海普存储企业级SSD/DRAM 2025年首次年度盈利。海力士产能售罄直接放大其分销货源价值与涨价收益。

半导体前驱体（high-k、硅基、金属材料）覆盖3D NAND、DRAM及先进制程逻辑芯片，2025年报称凭'覆盖国内外头部半导体制造商的优势持续保持领先行业地位'，设中韩双研发部门跟踪前沿技术，客户含SK海力士等韩系原厂。海力士DRAM/HBM扩产至2029年售罄将直接拉动前驱体等材料采购需求。

存储器研发封测一体化厂商，2025年报存储业务（嵌入式60.9%+PC存储32.7%）占收入超96%，获大基金二期战投。DRAM/NAND供应紧张、合约价上行周期中，模组厂库存增值与售价弹性显著；公司布局HBM相关先进封测与CXL DRAM模组，直接受益于供需紧张预期强化。

全球领先存储品牌商，2025年报存储业务收入占比100%（嵌入式44%、SSD 24.5%、移动存储21.5%、内存条9.7%），采购原厂NAND/DRAM颗粒。海力士DRAM产能售罄确认供不应求延续至2030年，模组售价上行叠加低价库存增值，利润弹性大，是存储涨价周期核心标的。

存储主控芯片+存储模组厂商，2025年报存储业务收入占比100%（SSD 42.5%、嵌入式34%），国外收入占64%。全球存储原厂产能售罄驱动NAND/DRAM合约价持续上行，公司模组产品涨价与库存收益双击，业绩增长预期强化（概念标签含'业绩增长''密集调研'）。

国内高端存储芯片封测龙头，子公司合肥沛顿存储从事DRAM/NAND/嵌入式存储（DDR4/DDR5/LPDDR5/eMCP）封装测试，具备多层堆叠封装工艺能力，2025年报确认存储半导体为核心业务。原厂产能售罄、存储涨价周期下，国产DRAM扩产将带动封测订单，公司为独立存储封测稀缺标的。

国内利基型存储龙头，2025年报存储芯片收入占比71.3%（NOR Flash全球市占率第二+利基DRAM），并布局长鑫存储生态。海外原厂将DRAM产能向HBM倾斜、常规DRAM供给收缩，利基DRAM价格随之上行，公司DRAM产品线直接受益于供需紧张外溢。

存储芯片（利基DRAM/SRAM/NOR）2025年收入占比61.4%、利润占比57.6%，海外收入占比82.7%。SK海力士等原厂将先进制程产能转向HBM，成熟DRAM供给持续收紧，利基存储涨价周期确立，公司作为全球车规/工控利基DRAM主要供应商受益于价格上行。

内存接口芯片全球领先厂商，2025年报内存接口芯片收入占比94.2%、利润占比99.2%，为DDR5内存接口及模组配套芯片核心供应商。AI服务器带动DDR5渗透率提升、内存容量需求扩张，海力士DRAM满售背景下服务器内存出货高景气直接拉动接口芯片需求量。

环氧塑封料（EMC）国产龙头，2025年报环氧塑封料收入占比93.5%，已进入长电科技、通富微电等头部封测厂供应链，公告披露2025年QFN、BGA、MUF等中高端产品销量同比大幅增长。HBM/先进封装采用MUF工艺堆叠层数增加带动塑封料用量超线性增长，存储扩产间接拉动需求。

半导体封装电镀液及光刻胶材料厂商，2025年报电镀液及配套试剂收入占比48.6%、利润占比64.9%。公司年报明确产品支撑2.5D/3D、Chiplet、TSV、HBM等先进封装技术发展；HBM产能扩张将提升TSV电镀液等配套化学品用量，属HBM材料国产替代方向。

半导体存储器测试设备商，2025年报半导体存储器件测试收入占比55.6%。公司年报指出HBM、先进封装迭代节奏加快导致测试内容复杂化、测试速度需提升，直接转化为高端测试设备刚性需求。存储原厂扩产至2029年售罄将带动存储测试设备资本开支上行。

自动化组装与检测设备厂商，半导体业务2025年收入占比17.8%，概念板块含'高带宽存储器HBM'，市场认知其切入HBM检测设备环节。HBM供需紧张预期强化、原厂扩产周期中，HBM检测设备需求随之增长，但公司半导体业务占比不高，关联强度中等。