财联社10月29日电，三星电子称，HBM4收入在第三季度较第二季度增长超过两倍。2027年HBM产品已售罄。

2025年报披露核心技术在「HBM全制程检测」方向已实现商业化落地与头部客户导入，晶圆检测量测设备是SUMCO、Samsung（三星）等境内外头部厂商核心供应商；半导体业务占营收17.8%。三星HBM4放量、2027年产能售罄将直接拉动其检测设备订单。

2025年报明确「公司为HBM核心TSV刻蚀提供高端特气，直接受益于HBM爆发」，并援引2026年HBM市场规模546亿美元、产能缺口50%-60%；公司档案披露已进入英特尔、美光、SK海力士、三星等全球领先半导体企业供应链体系，特种气体占营收65.1%。

2025年报披露韩国子公司具备开发HBM所要求的高导热EMC的技术能力，有望直接切入全球AI算力芯片供应链；衡所华威颗粒状环氧塑封料（GMC）已在NAND FLASH通过考核并批量供货。环氧塑封料占营收93.5%，HBM供不应求扩产直接拉动塑封料需求。

2025年报披露半导体前驱体广泛运用于3D NAND、DRAM等存储芯片先进制程，并构建中国和韩国双研发部门、开发人工智能先进封装复杂芯片组所需前驱体材料；半导体业务占营收31.4%，2025H1前驱体收入同比增长超30%，HBM扩产带动DRAM薄膜沉积材料需求。

2025年报披露电镀液业务在封装领域市占率约30%、占据主导地位，产品覆盖HBM、3D堆叠芯片等高端封装形式核心工艺环节（凸块制作、通孔填充、铜互连）；电镀液及配套试剂占营收48.6%，HBM4放量直接增加其电镀液用量。

2025年报指出作为AI算力核心受益领域的HBM中，混合键合技术将被引入以支持更高堆叠层数和互连密度，将带来对混合键合设备的新需求；公司先进键合设备面向三维集成，半导体专用设备占营收96.6%，HBM扩产周期直接利好其设备订单。

2025年度业绩快报披露公司作为国内涂胶显影后道龙头，深度绑定海内外重要客户，重点布局2.5D、HBM等新兴领域并持续获得国内头部客户订单；电子工艺装备占营收96.4%，HBM与先进封装扩产直接拉动涂胶显影设备需求。

公司档案显示旗下分销平台联合创泰拥有SK Hynix海力士、MTK联发科等一线品牌代理资格，电子元器件分销占营收94.2%；国盛证券2026-01-26研报指出AI驱动存储供不应求，2025年收入增长超40%至340亿元以上、归母净利同比+81.77%~134.78%，三星HBM售罄强化涨价周期。

2026年一季报营收同比+341.53%，公司称主要受益AI算力爆发与存储行业高景气、产品价格持续上涨；2025年报指出2026年HBM4从送样验证迈向大规模量产，公司为研发封测一体化存储厂商（嵌入式存储占营收60.9%），HBM售罄延续存储涨价红利。

2025年报明确CMP作为先进封装（含3D IC、HBM、CoWoS）的关键工艺，贯穿键合表面制备、晶圆背减、TSV金属化全流程，工艺控制直接决定键合良率；CMP设备占营收87.2%，三星/HBM扩产资本开支直接转化为CMP设备需求。

2025年报直接点名：三星、美光、海力士等存储大厂纷纷将更多产能转向HBM，带来DRAM产能分布重构，引发DDR4、LPDDR4缺货和涨价潮；公司存储芯片占营收61.4%，利基DRAM缺货涨价逻辑与本事件同一驱动源。

东吴证券2026-06-23研报指出HBM 3D堆叠与Logic Die引入使CP测试道数由3-4道提升至15道以上，存储测试机需求有望成倍增长；公司为国产测试机龙头，测试机占营收60.5%（2025年报），HBM扩产周期放大存储测试设备需求。注：该逻辑目前主要由研报支撑。

2025年报摘要（2026-04-28）指出HBM、GAA-FET等尖端芯片和高端存储产能扩产将是半导体设备市场未来主要推动力；公司ALD/CVD薄膜装备针对2.5D和3D先进封装工艺需求设计，随3D封装、HBM持续演进在高密度互连、热管理环节重要性凸显。

2025年报半导体存储器件测试占营收55.6%为第一大业务，公司指出HBM、先进封装等新兴技术迭代使测试环节复杂度和速度要求提升，直接转化为高端测试设备的刚性市场需求；国内存储厂HBM扩产带动其存储测试设备放量。

2025年报披露间接参股远见智存（穿透持股7.1671%）聚焦HBM领域，提供整套HBM DRAM堆叠及核心IP解决方案实现国产替代，HBM2e产品已实现流片及量产、HBM3/3e已完成设计及仿真；另参股ABF载板企业科睿斯。关联为参股而非主业，权重下调。