三星电子计划最早3月停止在华城园区12号生产线制造2D NAND闪存，原有产线转产1c nm DRAM内存
三星电子最早将在今年3月停止在华城园区12号生产线制造2D NAND闪存，标志着三星2D NAND闪存时代正式结束。三星早在2013年就实现了3D NAND (V-NAND) 的量产，但保留了小规模2D NAND产能以应对特殊利基市场需求。华城12号生产线未来将服务于1c nm DRAM内存制造，负责后端的金属布线和表面处理工艺
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