3纳米以下二氧化钛薄膜“变身”铁电材料
【3纳米以下二氧化钛薄膜“变身”铁电材料】美国科学家在最新一期《科学》杂志上发表研究成果称，将二氧化钛薄膜的厚度降至3纳米以下，便可将其转化为铁电材料。这一最新进展，为大规模制造运行速度更快、功耗更低的计算芯片开辟了一条全新路径。
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微
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国内首家将量产型High-k ALD设备应用于集成电路前道生产线的国产厂商，iTomic系列ALD系统适用于High-k栅氧层等薄膜工艺。公告明确率先为新型存储提供薄膜沉积技术支持，与3nm TiO₂铁电薄膜制备所需ALD技术高度契合。
拓
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国内ALD设备龙头，PE-ALD和Thermal-ALD产品已量产，是专用量产型ALD领军企业。制造3nm以下TiO₂铁电薄膜需依赖ALD技术实现原子级精度控制，拓荆作为国产ALD核心供应商将直接受益于新路径的设备需求。
北
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国内最大半导体设备集团，电子工艺装备收入占比93.3%，产品体系覆盖ALD、PVD、CVD等各类薄膜沉积设备，可提供3nm级TiO₂铁电薄膜制备所需的先进薄膜沉积设备，受益于新路径对国产ALD/CVD设备的需求拉动。
中
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公司CDP产品部门开发的LPCVD、ALD等十多款导体和介质薄膜设备已顺利进入市场，用于先进存储和逻辑器件。ALD设备是其核心增长方向之一，3nm以下TiO₂铁电薄膜制备工艺与公司ALD/CVD设备产品线高度匹配。
兆
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大陆存储芯片设计龙头，存储芯片收入占比71.3%，SPI NOR Flash全球市占率第二。铁电存储器(FeRAM/FeFET)是3nm以下TiO₂薄膜铁电特性的直接应用方向，可替代传统存储器实现更快速度和更低功耗，公司作为国内存储芯片领军将受益。
盛
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立式炉管设备包括原子层沉积(ALD)炉，已进入多个晶圆厂并量产。ALD炉管是制备超薄TiO₂铁电薄膜的关键设备之一，公司作为国内ALD设备重要供应商有望受益于相关工艺研发和量产需求。
北
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存储芯片业务收入占比61.4%，是国内主要存储芯片设计企业。TiO₂铁电薄膜技术突破为新型非易失性存储器(FeRAM)开辟新路径，公司作为深耕存储芯片领域的国产设计厂商，具备承接铁电存储器技术迭代的产业基础。
复
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非挥发性存储器业务收入占比26.2%，是国内非挥发存储芯片重要供应商。独立董事钱鹤（清华大学教授）科研方向为新型半导体存储器。3nm TiO₂铁电薄膜技术可应用于非挥发性铁电存储器(FeRAM)，与公司存储器产品方向直接相关。
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业界首家采用SONOS电荷俘获技术量产NOR Flash的厂商，与铁电存储采用类似电荷俘获机制。公司在新型存储技术（电荷俘获型）上积累的研发和量产经验与3nm TiO₂铁电薄膜应用于新型存储的方向高度技术相关。
东
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国内少数同时提供NAND Flash、NOR Flash、DRAM完整解决方案的存储芯片设计公司。铁电存储器新技术路径若实现商业化，将对现有存储芯片格局产生深远影响，公司具备参与新赛道布局的技术和市场基础。
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全球MO源（高纯金属有机化合物）领导供应商，产品是ALD/CVD工艺制备薄膜的核心前驱体材料。TiO₂铁电薄膜的ALD制备需要钛基前驱体，公司作为国内ALD前驱体材料重要供应商，有望受益于该新技术路线的材料需求增长。
中
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中国大陆最大、全球领先的集成电路晶圆代工企业，提供0.35μm至14nm多种工艺节点。3nm以下TiO₂铁电薄膜技术的产业化最终需要晶圆代工厂的工艺验证和量产导入，公司作为国内先进制程制造龙头是技术商业化的关键载体。
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全球领先的特色工艺晶圆代工企业，拥有High-k栅介质工艺专利。TiO₂铁电薄膜作为新型高k介质材料，与公司已有的high-k工艺积累高度相关，公司具备将该技术导入特色工艺平台并实现量产的能力。
上
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半导体材料企业，集成电路材料收入占比76.3%，产品覆盖电子电镀、电子清洗、电子光刻、电子研磨、电子蚀刻五大核心技术。先进存储和逻辑芯片制造所需的高端电子化学品与3nm TiO₂薄膜工艺链相关，可为相关工艺提供配套材料。