韩国政策高层提议：以AI产业的超额利润向全体国民发放“公民红利”
【韩国政策高层提议：以AI产业的超额利润向全体国民发放“公民红利”】韩国总统府政策室长金容范提出，考虑设立所谓“公民红利”，资金来源为人工智能(AI)产业产生的超额利润。“人工智能基础设施时代的收益，并非仅由个别企业创造，而是源于整个国家在过去半个多世纪中所构建的产业基础。因此，这些收益中的一部分应通过制度安排回馈给全体国民，”金容范在其Facebook发文中表示他指出，随着人工智能基础设施持续发展，韩国有望突破以往周期性出口主导的增长模式，迈向一种以技术主导、可持续产生超额收益的新型经济结构。不过，他同时强调，人工智能时代的超额利润具有明显的集中性特征：存储芯片企业的股东、核心工程师以及各类资产持有者，极有可能获得丰厚回报，而广大中产阶层则可能仅能感受到间接效应。
小财注：韩国存储芯片巨头三星电子和SK海力士公司股价早盘上涨后出现逆转，跌幅超过5%。韩国综合股价指数一度跌超5%。
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17 只 · 按关联度排序
太
90%
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控股子公司海太半导体以"全部成本+约定收益"模式向SK海力士提供半导体后工序服务，2025年6月签署第四期后工序服务合同（2025.7-2030.6），是A股唯一与SK海力士有明确长期业务合同的上市公司。SK海力士若因韩国"公民红利"政策利润承压，将直接影响海太半导体业务稳定性。
华
88%
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2025年报明确披露"深度布局HBM产业链，为其关键的TSV（硅通孔）工艺提供先进刻蚀气体"。HBM是三星、SK海力士超额利润的核心来源（新闻中称HBM推动SK海力士2026年销售额突破165万亿韩元），华特气体精准卡位HBM制造关键环节，直接受益于HBM产业爆发。
精
85%
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控股子公司上海精测连续12月与客户签订半导体量检测设备合同累计4.32亿元，"主要向客户出售膜厚系列产品、OCD设备、电子束设备等，应用场景主要为先进存储和HBM等相关领域"。HBM产能扩张直接带动检测设备需求，近8日主力净流入5.78亿元。
佰
82%
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国产存储龙头，2025年报指出国产DRAM份额仅5%、NAND份额低于10%，并详细分析HBM市场规模2026年同比增长超90%达600亿美元。若韩国存储巨头因"公民红利"利润承压，国产存储替代进程将加速，佰维作为研发封测一体化存储厂商有望承接更多市场份额。
兆
80%
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存储芯片收入占比71.3%，SPI NOR Flash全球市占率第二，正积极布局利基型DRAM。新闻中明确存储芯片企业是AI超额利润的主要获得者，韩系厂商若受政策挤压，兆易创新作为中国大陆存储芯片设计龙头将受益于国产替代加速。
澜
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内存接口芯片收入占比94.2%，DDR5 RCD/MDB全球领先供应商，与三星、SK海力士等存储原厂深度绑定。DDR5内存接口是AI服务器存储子系统的核心器件，新闻中"AI基础设施时代"的收益将直接传导至内存接口芯片需求增长。
神
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2025年报专门引用SK海力士业绩预测（"2026年销售额突破165万亿韩元"），大直径硅材料间接供应三星/台积电刻蚀设备，硅零部件已进入中国主流存储芯片厂供应链。硅零部件收入同比增长100.15%，充分受益于存储芯片产能扩张。
通
78%
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拥有TSV硅通孔、2.5D/3D封装等HBM所需先进封装技术，公告显示其封装技术涵盖"实现HBM"等应用。HBM是韩国存储巨头AI超额利润的核心载体，通富微电作为国内先进封装龙头将受益于HBM国产化替代趋势。
北
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存储芯片业务收入占比61.4%（通过ISSI经营DRAM芯片），产品覆盖SRAM、DRAM等。新闻强调韩国存储芯片企业将从AI超额利润中受益，若韩系厂商面临政策压力，北京君正作为中国DRAM设计公司有望在国产替代浪潮中扩大市场份额。
江
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NAND Flash及DRAM存储品牌企业，产品线覆盖嵌入式存储(44%)、固态硬盘(24.5%)等，年报指出国产DRAM份额不足5%。韩国巨头若受利润分配政策影响，中国存储品牌企业的竞争格局将改善，江波龙有望受益于客户向国产存储转移。
利
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正在研发"HBM存储芯片集成化测试系统与软件协同开发"，并布局"第一代AI算力芯片测试平台"。HBM存储芯片是韩国巨头AI超额利润的核心产品，利扬芯片作为独立第三方芯片测试龙头，将直接受益于HBM扩产带来的测试需求增长。
晶
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拥有全球领先的TSV（硅通孔）先进封装技术，年报指出"2.5D/3D封装将成为AI服务器、HBM及高性能计算需求外溢的主要载体"。HBM通过TSV技术实现3D堆叠，晶方科技作为国内TSV封测龙头将受益于HBM产能扩张。
德
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自主可控的闪存主控芯片设计公司，产品覆盖固态硬盘(42.5%)、嵌入式存储(34%)。年报引用"长鑫存储为代表国产DRAM加速国产化"。若韩系存储巨头因政策承压，国产存储模组与主控芯片份额有望提升。
中
70%
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等离子体刻蚀设备龙头，刻蚀设备是3D NAND和DRAM制造的核心工艺设备。新闻中存储芯片企业的超额利润依赖先进制程产能，中微公司作为国产刻蚀设备龙头，在中国存储芯片产能扩张中将持续受益。
上
70%
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年报指出已量产适用于TSV工艺的铜互连电镀添加剂（深宽比可达20:1），TSV是HBM 3D堆叠的核心工艺。HBM产能扩张将直接拉动上游电镀材料需求，上海新阳作为国内TSV电镀材料供应商将受益。
寒
68%
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云端AI芯片收入占比99.7%，新闻中"AI基础设施时代的收益"和"技术主导的新型经济结构"均指向AI算力基础设施。若韩国通过制度设计将AI收益回馈社会，将进一步推动全球AI基础设施建设，利好国产AI芯片龙头。
海
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国产高端处理器龙头（CPU+DCU），产品用于AI服务器、数据中心。新闻强调AI基础设施将带来超额收益，海光信息作为国产AI算力底座核心供应商，将受益于AI算力基础设施持续投入。