花旗：上调SK海力士目标价至310万韩元 评级“买入”
【花旗：上调SK海力士目标价至310万韩元 评级“买入”】花旗发表报告，预期SK海力士将受益于强劲的大宗记忆体平均售价上升趋势，以及2026年下半年高频宽记忆体(HBM)价格增长优于预期。由于预计2026年第四季HBM定价将季增30%，该行预期SK海力士将受益于HBM产品组合效应，以及由Anthropic近期更新(推升词元上限超过两倍)支撑的强劲大宗记忆体定价。该行将目标价从170万韩元上调至310万韩元。维持“买入”评级。
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15 只 · 按关联度排序
太
92%
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控股子公司海太半导体以『全部成本+约定收益』模式向SK海力士提供半导体后工序服务，2025年7月已完成《第四期后工序服务合同》正式签署（公告编号：临2025-035）。海太半导体是SK海力士在中国唯一的后工序服务合作伙伴，合同排他性条款明确规定不得向SK海力士竞争者提供服务。SK海力士扩产直接驱动太极实业半导体业务收入增长（2025年报半导体收入占15.3%、利润占26.0%）。近5日主力资金面中
香
88%
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子公司联合创泰拥有SK海力士（SK Hynix）、MTK、AMD等品牌授权代理权（商络电子可转债公告披露）。2025年报电子元器件分销收入占比94.2%，SK海力士存储产品量价齐升直接推高分销业务收入和利润弹性。受益HBM定价2026Q4季增30%及大宗存储涨价趋势，分销业务有望量价双重受益。具备『高带宽存储器HBM』和『AMD概念』板块属性。
华
85%
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已进入SK海力士全球供应链体系（2025年报披露客户涵盖SK海力士、英特尔、台积电等）。公司深度布局HBM产业链，为HBM关键的TSV（硅通孔）工艺提供先进刻蚀气体。年报明确表示『公司深度布局HBM产业链，为其关键的TSV工艺提供先进刻蚀气体，精准卡位产业链关键核心环节，将充分受益于HBM产业爆发式增长红利』。2025年HBM市场规模546亿美元(+58%)，公司直接受益。
佰
82%
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半导体存储器研发封测一体化厂商（嵌入式存储收入60.9%）。SK海力士是其NAND Flash及DRAM晶圆核心供应商之一（2025年报明确披露SK海力士为DRAM/NAND主要原厂供应商）。公司年报专题分析HBM行业，指出『SK海力士HBM销售收入持续大幅增长，市场需求旺盛』。存储涨价周期中公司毛利率从2022年13.7%提升至2025年21.4%，受益显著。
通
82%
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国内封测龙头，掌握TSV、2.5D异构集成、硅中介层等核心技术，公告明确『通过硅通孔（TSV）与硅中介层技术，实现HBM与图形处理器的高密度集成』。SK海力士HBM产能扩张→先进封装需求爆发→封测企业受益。AMD（通富微电核心客户）是SK海力士HBM重要采购方。近5日主力资金净流入4.95亿元，资金面积极。
澜
78%
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全球内存接口芯片龙头（收入占比94.2%），产品用于服务器DDR5内存模组。SK海力士DDR5/HBM出货量增长直接带动配套内存接口芯片（RCD/MDB）需求。DDR5渗透率提升叠加AI服务器对高带宽内存的刚性需求，公司作为DDR5内存接口芯片核心供应商，充分受益于存储涨价+服务器扩容双重逻辑。
北
78%
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存储芯片收入占比61.4%（2025年报），拥有DRAM和SRAM产品线。年报明确指出『SK海力士等存储大厂将更多产能转向HBM产品，传统DRAM产品产能受到大幅挤压，引发DRAM芯片缺货和涨价潮，存储行业迎来超级周期』。公司直接受益于DRAM涨价及产能重构带来的供给缺口，国产存储替代空间广阔。
兆
76%
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国内存储芯片龙头，存储芯片收入占比71.3%（2025年报），产品涵盖NOR Flash、SLC NAND和利基型DRAM。SK海力士等大厂产能转向HBM挤占传统DRAM供给，利基型DRAM市场供给趋紧涨价。公司SPI NOR Flash全球市占率第二，累计出货超200亿颗，直接受益于存储行业涨价周期。
江
75%
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全球领先存储品牌企业，产品线涵盖嵌入式存储（44%）、固态硬盘（24.5%）、内存条（9.7%）。存储涨价周期中品牌厂商利润率弹性最大。年报专题分析HBM对DRAM产能的重构影响，SK海力士等大厂扩HBM挤压传统产能，推升存储产品ASP。公司作为存储模组龙头直接受益行业景气上行。
德
75%
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集成电路封装材料收入16.2%，产品涵盖底部填充胶、导热界面材料、芯片级散热盖粘接胶等，可满足HBM/CoWoS等先进封装需求。2025年报明确『HBM存储器封装带动TSV材料、ABF载板、高导热界面材料需求激增』。公司作为高端电子封装材料供应商，直接受益于SK海力士HBM扩产带动的封装材料需求增长。
精
72%
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半导体存储器件测试业务收入占比55.6%，正研发『HBM存储芯片集成化测试系统与软件协同开发』项目。2025年报指出『AI对高性能算力与高密度存力的极致诉求，推动HBM等高端芯片需求激增，测试环节面临两大核心难题』。HBM产能扩张直接拉动存储测试设备需求，SK海力士大幅扩产利好公司测试设备订单增长。
晶
72%
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拥有领先的TSV（硅通孔）晶圆级封装技术。2025年报明确『2.5D/3D先进封装将以远高于行业均值的复合增速快速放量，成为AI服务器、HBM及高性能计算需求外溢的主要载体』。TSV是HBM制造的核心工艺（用于DRAM堆叠），SK海力士HBM扩产直接拉动TSV封装需求，公司作为国内TSV封装龙头充分受益。
上
70%
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集成电路材料收入76.3%，自主开发的TSV（硅通孔）工艺材料广泛用于先进封装。2025年报明确『TSV技术作为先进封装的核心工艺，通过与2.5D/3D封装、异构集成等技术深度融合，成为推动芯片性能与集成度跃升的关键路径』。HBM需求爆发驱动TSV工艺材料需求增长，公司作为国产半导体材料龙头深度受益。
华
70%
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CMP设备龙头（收入占比87.2%），2025年12月公告明确『密切跟踪HBM、CoWoS等先进封装技术演进趋势，持续推进产品技术革新与品类拓展』。HBM产能扩张需要大量CMP设备（TSV工艺中的关键环节），SK海力士2026年资本支出增至30万亿韩元以上，公司作为国产CMP龙头有望切入其设备供应链。
朗
70%
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闪存应用产品收入70.9%，2025年报详细披露存储行业涨价趋势：『掌握定价权的原厂面向所有应用市场开展大范围涨价，存储产品合约价涨幅普遍超过30%』。预计2026年全球存储市场规模同比增长64.15%至3,772亿美元。SK海力士作为全球DRAM第二大厂（市占33.2%），涨价直接带动存储行业景气度，公司作为『存储第一股』充分受益。