野村将三星电子目标价由34万韩元上调至59万韩元，将SK海力士目标价从234万韩元上调至400万韩元。
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野村将三星电子目标价由34万韩元上调至59万韩元，将SK海力士目标价从234万韩元上调至400万韩元。
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8 只 · 按关联度排序
江
90%
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存储品牌龙头：100%收入来自存储业务（嵌入式44%、SSD 24.5%、移动存储21.5%、内存条9.7%），NAND Flash及DRAM晶圆主要采购自三星、SK海力士。DRAM和NAND上游涨价直接增厚其模组产品的收入和库存价值，是最纯正的受益标的。
晶
85%
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HBM先进封装核心：公司拥有全球领先的晶圆级TSV封装技术，2025年投资者交流会确认在HBM技术相关的封装工艺研发上取得进展，年报强调3D堆叠利用TSV实现垂直互连，是HBM产业爆发关键受益方。
精
85%
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DRAM测试设备龙头：55.6%收入来自半导体存储器件测试，提供DRAM FT测试机、UDS测试验证系统等核心设备。年报明确受AI服务器对HBM/服务器DRAM需求提升驱动，DRAM原厂扩产直接拉动其设备订单。高带宽存储器HBM概念股。
神
82%
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硅零部件用于存储刻蚀：2025年报详细讨论了SK海力士2026年HBM驱动销售额突破165万亿韩元、资本支出30万亿韩元，指出HBM对TSV工艺提出更高要求，对刻蚀技术和应用数量提出更高要求。公司硅零部件已进入主流存储芯片制造厂供应链。
普
80%
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直接供货三星：公司档案确认产品广泛应用于三星、OPPO等品牌，DDR5内存SPD芯片配套内存条，受益DDR5渗透率提升。2026年1月公告确认市场对存储行业超级周期关注度较高，存储供需紧张、价格上行态势明确。
利
78%
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HBM芯片测试服务：2026年定增项目包含HBM存储芯片集成化测试系统与软件协同开发，并具备NAND Flash芯片测试能力。存储原厂产能扩张带动封测外包需求增加，独立第三方测试厂最直接受益。
东
78%
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中国大陆稀缺的同时布局NAND/NOR/DRAM的芯片设计公司，NAND产品收入占65.2%。三星/Hynix目标价大幅上调折射存储行业景气上行，国产替代逻辑增强，1xnm闪存量产、DRAM产品线拓展均受益于行业顺风。
诚
75%
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转型存储半导体：2025年报存储产品收入占67.3%（原为园林公司，已更名诚邦智芯）。公告明确存储盘模组产品支持三星、海力士、长江存储等各家原厂晶圆，直接采购三星/Hynix NAND晶圆生产模组，上游涨价利好库存重估。